хки сва парам транзист
.pdf
Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики
Аналогично при коротком замыкании на выходе
(uкэ=0) находим два других параметра:
i
= ik
б
Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики
Параметры холостого хода в соответствии с (выражениями) обозначаются как:
Н12 - обратная передача по напряжению; Н22 - выходная проводимость.
Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики
Параметры короткого замыкания определяются из (соотношений) и имеют значения:
Н11 - входное сопротивление;
Н21 - прямая передача по току.
Полученная система параметров транзистора не противоречит простейшей схеме замещения.
Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики
Режим насыщения
Для перехода из линейного режима в режим насыщения необходимо увеличивать iб до тех пор, пока Uкэ не понизится до такого значения, при котором произойдет отпирание коллекторного перехода. Такая ситуация может возникнуть когда в коллекторной цепи включено сопротивление нагрузки RН. В этом случае увеличение тока базы iб приведет к увеличению тока коллектора iк. В
результате увеличится падение напряжения на нагрузке RН и уменьшится напряжение на коллекторе uкэ.
Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики
Условием насыщения транзистора является
равенство нулю напряжения:
= 0
Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики
Выполнение условия Uкб=0 называют граничным
режимом насыщения транзистора, этот режим характеризует переход транзистора из линейного режима в режим насыщения.
Выполнение условия Uкб>0 называют глубоким насыщением транзистора.
Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики
Глубину насыщения транзистора характеризуют
коэффициентом насыщения, который определяют как
отношение тока базы Iб.нас транзистора в насыщенном
режиме к току базы Iб.гр в граничном режиме
.
Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики
Схема замещения транзистора в режиме насыщения
Uкэ. нас
|
|
|
|
ЕП |
|
S |
||
|
|
Rнас |
|
|
|
|
||
К |
iк |
|
|
|
Э |
|||
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики
В соответствии с этой схемой замещения напряжение на насыщенном ключе определяется по формуле:
+ EП
где RН - сопротивление насыщенного ключа, ЕП=0,5…0,1 В.
Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики
Режим отсечки
Другим ключевым режимом биполярного транзистора является режим отсечки. Перевести транзистор в режим отсечки можно приложением между базой и эмиттером
обратного напряжения.
Граничным режимом в этом случае является
выполнение условиям Uбэ=0.
В режиме отсечки транзистор можно заменить
разомкнутым ключом,