Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Наноматериалы и нанотехнологии

..pdf
Скачиваний:
47
Добавлен:
15.11.2022
Размер:
18.83 Mб
Скачать

ным эффективным спином S =10. Кристаллическое поле с аксиальной симметрией типа E = DS 2 расщепляет основное состояние спина на два уровня с Sz = +10 и Sz = −10 с константой кристаллического поля D = 0,61Тл. При увеличении магнитного поля происходит пересечение магнитной энергией этих электрических уровней. При их совпадении релаксация магнитного момента кластера ускоряется. Это соответствует квантовому туннелированию во всей наноструктуре.

Магнитные частицы в нанопорах. В природе существуют ма-

териалы с молекулярными полостями, заполненными магнитными наночастицами. Ферритин – биологическая молекула, содержащая 25 % железа по массе, состоящая из симметричной белковой оболочки и в форме полой сферы с внутренним диаметром 7,5 нм и внешним диаметром 12,5 нм. Эта молекула в биосистемах играет роль

хранилища ионов железа Fe3+ . Одна четверть железа в организме человека находится в молекулах ферритина и 70 % в молекулах гемоглобина. Полость ферритина заполнена кристаллическим оксидом железа 5Fe2O3 9H2O. Температура блокирования TB – это темпера-

тура, ниже которой термоактивированные переходы между различными магнитными ориентациями замораживаются. Температура блокирования понижается при уменьшении количества атомов в полости. При очень низких температурах в ферритине наблюдается квантовое туннелирование.

Наноуглеродные ферромагнетики. В образовании сонаправлен-

ных углеродных нанотрубок при пиролизе фталоцианида железа (II) (FePc) участвуют две частицы железа. Маленькая частица слу-

жит зародышем, большая частица железа ускоряет рост углеродной нанотрубки. В дальнейшем частицы железа остаются на концах нанотрубок. Так можно синтезировать неполимерные органические ферромагнетики, являющиеся диэлектриками.

Гигантское магнетосопротивление (ГМС). Магнетосопро-

тивлением называется эффект изменения электрической проводимо-

81

сти материала при помещении его в магнитное поле. Эффект наблюдается в сильных магнитных полях, при которых траектория электрона существенно искривляется на длине свободного пробега электрона. Сопротивление материала вызывается рассеянием электронов при соударении, так как направление движения электронов после соударения меняется. Эффект наблюдается в металлах при низких температурах. В чистой меди при 4 К и магнитной индукции 10 Тл проводимость меняется в 10 раз.

Эффект гигантского магнетосопротивления состоит в значительном уменьшении сопротивления наноматериала под действием магнитного поля (до 1000 %). Магнетосопротивление массивных материалов меняется незначительно. Сопротивление массивного пермаллоя (80 % Ni – 20 % Fe) в магнитном поле уменьшается на 3 %.

Нанокластерные металлические материалы ГМС получают растворением нанокластеров железа Fe или кобальта Co в матрице другого металла с хорошей проводимостью – меди Cu или серебре Ag, причем компоненты должны плохо растворяться друг в друге.

При прохождении электрического тока происходит рассеяние электронов на магнитных моментах кластеров. При наложении магнитного поля на образец направление магнитных моментов кластеров меняется. Это приводит к изменению скорости рассеяния электронов и изменению электропроводности. Максимальный эффект ГМС наблюдался в системе Co Ag при концентрации Co 20 %, что связы-

вается с оптимальным размером кластеров кобальта.

На опыте определяется суммарное значение магнетосопротивления, связанное с общим изменением намагниченности М:

ρ(H ) −ρ(0)

 

 

M

2

 

M

4

 

 

 

 

.

ρ(0)

 

 

 

 

 

MS

 

MS

Распределение кластеров по размерам и межкластерные взаимодействия приводят к появлению второго слагаемого. На рис. 4.10 представлена экспериментальная зависимость системы Со – Сu при 5 К.

82

а)

б)

Рис. 4.10. Магнетосопротивление (а) и петля гистерезиса (б) наносистемы Co16Cu84 [2]

Относительное изменение магнетосопротивления в зависимости от концентрации кобальта приведено на рис. 4.11 и нормализованной намагниченности – на рис. 4.12.

Рис. 4.11. Изменение магнетосопротивления

впроцентах для наносистемы Co – Ag при разной концентрации Co при T, равном 5 и 300 К [2]

83

Рис. 4.12. Зависимость относительного магнетосопротивления в процентах

от нормализованной намагниченности М/МS

Эффект ГМС можно объяснить на основе модели двух электрических токов. В разориентированной наносистеме рассеяние электрона на магнитном домене кластера эквивалентно в двух направлениях (например, вверх и вниз). В упорядоченной магнитным полем наносистеме одно из направлений (вдоль оси магнитного поля) обладает меньшим сопротивлением, чем другое. Оба канала работают параллельно, сумма параллельно соединенных сопротивлений становится меньше меньшего, что ведет к значительному уменьшению сопротивления.

Уменьшение гигантского магнетосопротивления ∆ρ коррелирует с увеличением размера d кластера ∆ρ 1/d. ГМС определяется от-

ношением поверхности магнитных кластеров и площади межфазных границ к их объему. Рассеяние электронов в зависимости от спина происходит на межфазных границах между кластерами и матрицей.

Эффект ГМС впервые наблюдался на пленках, в которых чередовались слои железа и хрома (рис. 4.13) [1].

Материалы из однодоменных ферромагнитных частиц со случайной ориентировкой векторов намагниченности в немагнитной проводящей матрице обладают также ГМС (см. рис. 4.13, б).

84

а

б

в

Рис. 4.13. Три структуры с гигантским магнетосопротивлением: а – чередующиеся слои немагнитного материала с ферромагнитными слоями; б – случайно ориентированные ферромагнитные наночастицы кобальта в немагнитной медной матрице; в – смешанная система, состоящая из серебряных слоев с наночастицами кобальта и магнитных слоев из сплава Ni – Fe

с чередующимися направлениями намагниченности

На рис. 4.14 приведена зависимость электрического сопротивления системы Fe – Cr от магнитного поля, на рис. 4.15 – зависимость магнетосопротивления от толщины магнитного слоя Fe в постоянном магнитном поле.

Рис. 4.14. Зависимость электриче-

Рис. 4.15. Зависимость магнетосо-

ского сопротивления многослойной

противления ∆R от толщины маг-

системы Fe – Cr от магнитного поля,

нитного слоя железа в многослойной

приложенного параллельно поверх-

структуре Fe – Cr в постоянном маг-

ности слоев [1]

нитном поле [1]

 

85

На рис. 4.16 показана зависимость магнетосопротивления тонкой пленки кобальта в медной матрице от внешнего магнитного поля. На рис. 4.17 показана кристаллическая структура LaMnO3 , леги-

рованная кальцием, что приводит к громадному магнетосопротивлению.

Рис. 4.16. Зависимость магнетосопротивления от напряженности магнитного поля для тонкой пленки наночастиц кобальта в медной матрице [1]

Рис. 4.17. Кристаллическая структура LaMnO3, легированная кальцием или стронцием, замещающими лантан [1]

Явление гигантского магнетосопротивления служит чувствительным детектором магнитного поля и служит основой для создания высокочувствительных считывающих головок магнитных дисков.

4.3. Ферромагнитные жидкости

Ферромагнитные жидкости – это коллоиды, состоящие из магнитных частиц размером 10 нм, покрытых для предотвращения их слипания поверхностно-активным веществом и взвешенных в керосине или трансформаторном масле. Наночастицы представляют собой однодоменные магниты, ориентация магнитных моментов случайна, и полная намагниченность жидкости в целом равна нулю. При

86

наложении магнитного поля магнитные моменты отдельных частиц выстраиваются в направлении поля и жидкость намагничивается. Обычно используют частицы магнетита Fe3O4 . Феррожидкости – это

суперпарамагнитные магнитомягкие материалы без гистерезиса

(рис. 4.18).

При наложении магнитного поля параллельно поверхности стеклянной ячейки со слоем несколько микрон, магнитные частицы в жидкости собираются в иглообразные цепочки.

Рис. 4.18. Кривая намагничивания ферромагнитной жидкости на основе наночастиц магнетита Fe3O4

Рис. 4.19. Изображение концов цепочек магнитных наночастиц в ферромагнитной жидкости в магнитном поле, наложенном перпендикулярно пленке, полученное в оптическом микроскопе [1]

При наложении магнитного поля перпендикулярно поверхности пленки цепочки магнитных наночастиц собираются в упорядоченную структуру. При увеличении напряженности поля после критического значения возникает гексагональная структура колечек

(рис. 4.19).

Образование цепочек в феррожидкости делает ее оптически анизотропной. Когда линейно-поляризованный свет падает на пленку ферромагнитной жидкости, находящейся в магнитном поле, после

87

выхода из пленки он превращается в эллиптически поляризованный свет (эффект Коттона–Мутона).

С помощью ферромагнитной жидкости можно создавать настраиваемые магнитным поле дифракционные решетки. Ферромагнитные жидкости используются как уплотнители между вращающимся валиком и втулкой в виде постоянного цилиндрического магнита.

5. САМОСБОРКА И КАТАЛИЗ. ПОВЕРХНОСТНЫЕ ЭФФЕКТЫ

5.1. Процесс самосборки. Монослои

Самосборка больших биомолекул из маленьких (аминокислот) имеет аналог в нанонауке. Используют самопроизвольную организацию малых молекул в большие, стабильные молекулярные комплексы или агрегаты. Атомы или молекулы осаждают на подложку с последующим самоупорядочением в заданную наноструктуру. Слабые обратимые взаимодействия между частями молекул позволяют получить равновесные структуры без централизованного управления процессом.

Гетероэпитаксия – тип самосборки полупроводниковых островков. Он состоит в осаждении материала, образующего островок на подложке, состоящей из другого материала с близкой структурой и значением параметра решетки. Технология состоит из следующих процессов:

1)доставка атомов или молекул к поверхности подложки;

2)адсорбция и диффузия по поверхности с образованием зародыша островка путем присоединения с другими атомами;

3)присоединение атомов или молекул к существующему ост-

ровку;

4)десорбция с испарением лишних атомов в окружающее пространство.

Существует критический размер, при котором островки становятся устойчивыми и больше не испытывают существенного испаре-

88

Рис. 5.1. Самосборка монослоя n-алкантиолата на золоте [1]

ния. В стадии слияния существующие островки объединяются с образованием больших кластеров.

Самособранный монослой – модельная система, приготавливается на различных металлических и неорганических подложках. Самособранные монослои и мультислои приготавливают на металлических и неорганических подложках, на Ag, Au, Cu, Ge, Pt, Si, GaAs,

SiO2 и других материалах. Слои образуются при помощи связующих молекул или лигандов: алкантиолов RHC, сульфидов RSR, дисульфидов RSSR, кислот RCOOH и силоксанов RSiOR3. Здесь символы R, Rобозначают органические молекулярные группы, присоединяющиеся к радикалу тиола –SH или кислотному радикалу –COOH. Связывание с поверхно-

стью для тиолов, сульфидов и дисульфидов осуществляется с помощью атомов серы. На золотой подложке образуется объект RS – Au.

Иллюстрация самосборки монослоя n-алкантиола показана на рис. 5.1. Концевой атом серы находится в выемке между тремя плотноупакованными атомами золота. Концевые метиловые группы

помечены значком ×. Молекулы алкантиола RS–, связанные между собой слабыми силами Ван-дер-Ваaльса с энергией 1,75 ккал/моль располагаются под углом 30° к поверхности золотого слоя.

5.2. Поверхностные эффекты

Поверхность твердого тела – это особый мир, отличный от объема тела. Здесь проявляются свойства вещества одновременно в трех фазах: твердой, жидкой и газообразной. Свойства поверхности определяют многие характеристики нанокластеров, наноструктур и наноматериалов.

89

Площадь поверхности наночастиц. Для кубической наноча-

стицы со структурой алмаза с размером ребра 2,83 нм полное количество атомов 1165 шт., на поверхности – 300 шт., что составляет 25,8 %; с ребром 5,65 нм полное количество атомов 8630 шт., на поверхности их 1200 шт., что составляет 13,9 %. Доля атомов на поверхности уменьшается с ростом ребра. Количество атомов на поверхности кубической частицы со структурой алмаза показано в табл. 5.1 [1].

Таблица 5.1

Зависимость количества атомов на поверхности частицы со структурой алмаза от размера его ребра

 

Размер*

Полное

Количество

Доля атомов

n

n·α, нм

количество

атомов

на поверхности

 

атомов NV

на поверхности NS

NS /NV, %

 

 

2

1,13

94

 

51,1

48

 

 

 

 

 

3

1,70

279

108

38,7

 

 

 

 

 

4

2,26

620

192

31,0

 

 

 

 

 

5

2,83

1165

300

25,8

 

 

 

 

 

6

3,39

1962

432

22,0

 

 

 

 

 

10

5,65

8630

1200

13,9

 

 

 

 

 

15

8,48

2,84·104

2700

9,5

25

14,1

1,29·105

7500

5,8

50

28,3

1,02·106

3,0·104

2,9

100

56,5

8,06·106

1,2·105

1,5

* Приведены значения для GaAS (α = 0,565 нм).

Многие свойства материалов, состоящих из нанометровых зерен, сильно зависят от их удельной площади поверхности. Удельная площадь поверхности катализатора S указывается в квадратных мет-

рах, деленных на грамм, и рассчитывается по формуле S = ρAV , где

90