Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Технология производства проводов..pdf
Скачиваний:
71
Добавлен:
15.11.2022
Размер:
3.95 Mб
Скачать

При одинаковой толщине эмалированного слоя, наносимого за каж­ дый проход,

А\ + А2 +... + Ак

где А\, А ъ ...,Ak - СПО по 1, 2 и к-му проходам.

Экспериментально установлено, что изоляция эмалированных прово­ дов соответствует ГОСТу, если Аср > 0,75.

Слипание изоляции на катушках исключается, если степень пленкообразования последнего прохода Ак >0,5.

При тепловой обработке проволоки кроме пленкообразования проис­ ходит термоокислительная деструкция (ТОД), т.е. разрушение связей.

Степень деструкции можно рассчитать аналогично, так как разруше­ ние связей подчиняется тем же законам, что и их образование:

Вj

=1 - ехр

j 1

V>2VWI

 

 

 

 

где Р2, *02 ~~ коэффициенты, характеризующие деструкцию.

 

 

 

_ В \+ В 2 +.-. + Вк

 

 

 

Вср -------------1

Экспериментально установлено, что изоляция будет соответствовать

требованиям ГОСТа, если Вср <0,15.

 

 

 

 

 

л-1

4 -

1-

л -1

j 1 Pi Уж

 

 

 

 

для реакции пленкообразования, когда п з£1.

3*5. Условия возникновения газообразных включений на стадии пленкообразования

Так как часто реакция пленкообразования является реакцией поли­ конденсации, то наряду с образованием поперечных связей происходит выделение низкомолекулярных побочных продуктов, которые должны полностью удаляться из лаковой пленки, иначе образуются газообразные включения.

Для описания этого процесса справедливо уравнение диффузии:

D t? W = / ,

(3.23)

где D - коэффициент диффузии побочных продуктов в окружающую среду;

W - концентрация побочных продуктов в лаковой пленке;

I - количество побочных продуктов, которые выделяются в единицу времени в единице объема.

Левая часть уравнения - количество продуктов, выделившихся в еди­ ницу времени. Количество побочных продуктов, которое выделяется при прохождении реакции, пропорционально числу образовавшихся химиче­ ских связей N\ = NQ- N.

А =

N p - N *

M l d/

=1 - exp

 

*0

Vo

откуда

N Q - N = N Q - N Q exp

Vo ;

следовательно,

W = W0 - WQ exp

(3.24)

Vo

;

где WQ- количество побочных продуктов, которое выделилось бы, если бы образовались все возможные химические связи (NQ).

Из (3.24) имеем

т dW

i,w

(3.25)

I =—

=kiW0 exр - J M '

Qt

0

 

Подставим (3.25) в (3.23):

 

 

(3.26)

Д2W = d 2W dy2

где у - координата по толщине.

Решение уравнения (3.26) имеет следующий вид:

w =

ехр

Ь М *

(3.27)

 

2D

\0

 

 

 

 

где Д - толщина лаковой пленки.

 

 

 

к\ =к0 exP [“ ^ J -

(3.28)

где U\ - энергия активации пленкообразования.

 

 

 

 

(3.29)

где (р - энергия активации удаления побочных продуктов.

Подставим выражения (3.28) и (3.29) в (3.27):

 

f

тт *

ft

'N

W = W T O Az exp

- U\

exp b M

t

2D0i

kT

\0

 

 

 

 

Найдем наиболее допустимую температуру, при которой не образуются газовые включения:

fV=WAOUit = 0,

где WAon - допустимая концентрация побочных продуктов, при которой еще не образуются газовые включения;

Гн - температура

начала образования газообразных включений;

t - время образования газообразных включений.

W

-

крi^Q А2

 

и \

"доп

 

2До1

 

 

КГ

 

 

 

 

ехр

 

t h + i

J

^

01^доп

 

 

кТв

*01^

 

 

 

 

Преобразуем это выражение:

 

 

 

Ux U\ ~ Ф _ 1п % ^ 0А2

Щ

кТн

 

2D0lWaon

Обозначим

 

 

 

 

 

U\

_ ъ.

 

*0100

U \~ Ф

2^?О10доп

Тогда

- Ц - - 4 > 4

ЬкТ, ' '

Откуда

ЬкЩРА2)

Это и есть температура образования газообразных включений на ста­ дии пленкообразования. U\, Ъ и Р для некоторых эмаль-лаков имеют чи­ словые значения (табл. 3.3).

Таблица 3.3 Значения коэффициентов U\t b u P для некоторых типов эмаль-лаков

Тип эмаль-лака

и ьД к

Ь

Р, 1/м2

ПЭ-939

1,78- 10-1У

1,49

5,92-Ю15

ПЭ-999

1,65к г 1*

2,08

1,26-Ю14

ИД-9142

1,65-Ю"1*

2,08

1,26-1014

УР-9119

1,110''*

1,08

2,78-10Ь

Таким образом, для исключения образования пузырей в изоляции эмалированных проводов на стадии пленкообразования необходимо, что­ бы максимальная температура провода в процессе эмалирования Гпр тах не превышала температуру образования газообразных включений при реак­ ции пленкообразования Тн.

Тпр.шах < Т н •

1- 1

3.6.Расчет температуры эмалируемой проволоки

Тепло к проволоке в эмаль-печи передается путем конвективного теп­ лообмена от воздуха и путем лучеиспускания от стенок печи и нагревате­ лей. Поступившее к проволоке тепло идет на нагрев медной проволоки и изоляции. Исходя из этого, можно написать уравнение теплового баланса:

AQK+ dQm = dQM+ dQnn) (3.30)

где d£?K- тепло, которое передается проволоке от воздуха эмаль-печи пу­ тем конвекции;

dQm - тепло, которое передается проволоке от стенок эмаль-печи путем излучения;

dQM- тепло, которое идет на нагрев медной проволоки; d&m - тепло, которое идет на нагрев лаковой пленки.

Тепло, идущее на нагрев проволоки в единицу времени,

&QM УмCmF dT,

 

где ум - плотность меди, кг/м3;

 

См - теплоемкость меди, Дж/(кг*°С);

 

F - площадь поперечного сечения медной проволоки.

 

dflm пропорционально dQM и учитывается через

коэффициент

7/ = 1,03...1,1 1.

 

&QM"*■dQnji= v\dQM—t|.yMСм F dT,

(3.31)

dQK= PaK(TB- T ) d t,

(3.32)

где Р - периметр проволоки; а к - коэффициент конвективной теплоотдачи от воздуха к проволоке;

Гв - температура воздуха в эмаль-печи; t - время.

dQ находится из закона Стефана - Больцмана:

 

d£?H3 =E/>(pC0

(3.33)

где ф - коэффициент облучения проволоки;

 

Со - коэффициент

лучеиспускания абсолютно черного

тела, Со=

= 5,7-10-8 Вт/(м2-К4);

 

Б - коэффициент черноты проволоки;

 

Гс - температура стенки эмаль-печи, К;

 

- dh

..

т,

d/ = --------время нагрева на участке dИсо скоростью эмалирования кэм.

^эм

 

 

F

d

 

Отношение ~

~ , где d - диаметр проволоки.

 

Подставим выражения (3.31), (3.32) и (3.33) в (3.30):

 

Л ^ - а Л Г в Г) + ФС06

(3.34)