- •Введение
- •1. Физическая верификация. Характеризация топологии. Цели и задачи. Этапы верификации (drc, lvs, rcx). Моделирование с учетом паразитных элементов
- •2. Паразитные элементы. Механизмы возникновения паразитных элементов, их типы. Паразитные эффекты в топологии аналоговых устройств, их физическая сущность
- •3. Обзор программ верификации. Программы верификации Diva, Assura, Calibre
- •4. Программа верификации Diva. Основы работы. Проверка проектных норм (drc). Проверка на соответствие топологии электрической схеме (lvs). Экстракция паразитных параметров (rcx)
- •5. Программа верификации Assura. Основы работы. Проверка проектных норм (drc). Проверка на соответствие топологии электрической схеме (lvs). Экстракция паразитных параметров (rcx)
- •6. Программа верификации Calibre. Основы работы. Проверка проектных норм (drc). Проверка на соответствие топологии электрической схеме (lvs). Экстракция паразитных параметров
- •7. Моделирование с учетом паразитных элементов. Создание файла конфигураций моделирования и его настройка. Моделирование
- •8. Подготовка к производству. Правила передачи топологии. Понятие gds файла. Подготовка управляющего файла в формате gdsii
- •Заключение
- •Библиографический список
- •Оглавление
- •394026 Воронеж, Московский просп., 14
7. Моделирование с учетом паразитных элементов. Создание файла конфигураций моделирования и его настройка. Моделирование
Моделирование представляет собой процесс симуляции функционирования схемы, обеспечивающий подтверждение работоспособности моделируемой схемы, ее функциональности и технических параметров при заданных условиях, таких как напряжение питания, температура окружающей среды, возможные отклонения параметров приборов от типовых в процессе изготовления кристаллов и др.
Моделирование обычной схемы, или схемы, экстрактированной из топологии, разработанных применительно к технологическому процессу 90 нм не может, к сожалению, служить абсолютным подтверждением ее работоспособности и, тем более, не в состоянии подтвердить расчетные параметры схемы. В первую очередь этот факт связан с отсутствием в моделируемой схеме неучтенных элементов, всегда возникающих в топологии разрабатываемого устройства.
В технологиях глубокого субмикронного диапазона, к которым относятся технологии 90 нм, лишь учет паразитных элементов при моделировании может гарантировать работоспособность разрабатываемого аналогового блока и обеспечить выполнение требований технического задания в плане технических характеристик.
Паразитный элемент (parasitic element) – прибор, не создаваемый разработчиком, формируется дополнительно в топологии устройства и обусловлен топологическими зависимостями, такими как, наложение или пересечение слоев (паразитная емкость), сопротивление контактов и слоев (паразитный резистор) и др.
Маршрут подготовки к моделированию:
- экстракция электрической схемы с паразитными элементами из топологии разработанного аналогового блока в виде нетлиста в требуемом формате или в виде электрической схемы;
- настройка программы-симулятора;
- выполнение моделирования.
Экстракция электрической схемы с паразитными элементами может производиться в программах Diva, Assura, Calibre. Приложение Diva Extractor извлекает электрическую схему из топологии разработанного блока и представляет ее в виде экстракта – топологии блока с наложенной на нее электрической схемой, содержащей паразитные элементы. Приложения Assura и Calibre могут представлять электрическую схему в виде нетлиста.
Общее количество приборов в электрической схеме с паразитными в может превышать в десятки раз количество основных приборов в такой же обычной электрической схеме без паразитов, в связи с этим моделирование таких схем требует больших ресурсных и временных затрат. Поэтому крайне важно добиться полной работоспособности электрической схемы на ранних этапах проектирования, без наличия паразитных структур.
Основные настройки и моделирование электрической схемы с паразитными элементами. Моделирование электрической схемы с паразитными элементами выполняется аналогично моделированию обычной электрической схемы аналогового блока.
При наличии экстракта, т.е. топологи с наложенной на нее электрической схемой, для запуска приложения Spectre необходимо запустить основное окно моделирования с помощью команды «Tools/Analog environment». В результате выполнения команды откроется окно Analog environment, представленное на рисунке.
Основное окно моделирования Virtuoso Analog Design Environment
Основные настройки окна должны быть установлены в следующее состояние:
- Simulator – spectre, (выбранный симулятор);
- Library – библиотека, в которой располагается электрическая схема;
- Cell – название ячейки блока;
- View – представление ячейки, должно быть представление extracted.
Для создания нетлиста на основе электрической схемы с паразитными элементами необходимо выбрать в меню окна моделирования Virtuoso Analog Design Environment «Simulation/Netlist/Create». После выполнения данной команды будет создан нетлист схемы с паразитными элементами в формате базы Spectre (*.scs). Перед моделированием необходимо задать тип анализа в меню «Analyses/Choose…», входные воздействия «Setup/Stimuli…», модели приборов схемы «Setup/Model Libraries…» и цепи, которые будут выведены для просмотра «Outputs/To Be Plotted». После успешного окончания моделирования будет выведено сообщение об окончании процесса и построены графики сигналов для выбранных ранее цепей.
При наличии нетлиста в формате Spectre нетлист необходимо расположить в рабочем каталоге Spectre и работать как с обычным нетлистом.
Таким же образом поступают при моделировании в программе-симуляторе UltraSim. При извлечении электрической схемы с паразитными элементами из топологии необходимо указать тип нетлиста для UltraSim. Перед запуском моделирования необходимо расположить нетлист извлеченной схемы с паразитными элементами в рабочий каталог программы. В дальнейшем работа в программе подобна моделированию обычной электрической схемы.