Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Учебное пособие 800552

.pdf
Скачиваний:
38
Добавлен:
01.05.2022
Размер:
5.07 Mб
Скачать

Вначале необходимо определить глубину скин-слоя меди на частоте

100 МГц

 

 

 

1

 

 

 

1

 

6,6

10 6 м 6,6 мкм .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

медь

f

 

108 4 10 7 5,81 107

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Толщина материала значительно больше толщины скин-слоя, и поэтому для вычисления эффективности экранирования можно применить выражение (6.13), и, таким образом, вклад потерь на поглощение составляет

A(dB) 8,7

 

t

 

 

 

 

 

 

 

 

 

8,7

 

50 мкм

66 дБ .

 

 

 

 

 

 

6,6 мкм

 

Для вычисления потерь на отражение необходимо определить волновое сопротивление меди на частоте 100 МГц по выражению

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2 108

4 10 7

 

 

 

 

 

 

2 f

 

 

 

3,69

10 3 Ом .

медь@100МГц

 

 

5,81 107

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Тогда потери на отражения определяются как

R(dB) 20log

0

20log

377

88 дБ .

4

S

4 3,69 10 3

 

 

 

 

 

 

 

 

Общая эффективность экранирования определяется как сумма потерь на отражение и потерь на поглощение

SE 88 дБ 66 дБ 154 дБ .

Отметим, что вся падающая энергия отражается экраном лишь теоретически. Величина в 154 дБ является идеализированной и предполагает, что проходящая энергия уменьшается на величину 1015 от падающей. На практике такое ослабление не только не реализуемо, но и не измеримо. Максимально достижимые напряженности полей (не вызывающие ионизацию воздуха) находятся в пределах 106 В/м. Минимально обнаруживаемые напряженности полей (с использованием чувствительных пробников поля) – на уровне 10-6 В/м. Таким образом, динамический диапазон составляет

20log 106 10 6 240 дБ . На практике техническое испытательное оборудо-

вание имеет максимальный динамический диапазон в районе 80-120 дБ. Т.е. любые аналитические значения ослабления или эффективности экранирования, существенно превышающие 100 дБ, подразумевают, что материал является практически непроницаемым. Таким образом, материал с расчетной эффективностью экранирования 154 дБ, по сути, не лучше и не хуже материала с расчетной величиной 120 дБ.

70

Если экранирующая стенка имеет недостаточную толщину относительно глубины скин-слоя, то некоторое количество энергии, отраженной от второй границы (внутренняя при x=t), распространится обратно и вновь отразится от первой границы (x=0+). Затем она вновь продолжит движение по направлению ко второй границе, тем самым понижая эффективность экранирования. Такое переотражение может повториться несколько раз до тех пор, пока отраженная волна не достигнет величины, не оказывающей существенного влияния на проходящее поле. Если компонент потерь на поглощение в (6.12) менее чем 15 дБ, то точность оценки эффективности экранирования из-за подобных многократных отражений оказывается сомнительной.

Для проводящих материалов, являющихся «электрически тонкими» (т.е. t ), можно преобразовать выражение, определяющее эффективность экранирования (6.12), добавив третий компонент, что позволит учитывать множественные отражения [10, 13]:

SE 20log 0 4 S

20logexp t

 

 

 

 

2t

 

20log

1 exp

 

 

 

 

 

 

 

 

R(дБ) A(дБ) B(дБ) .

 

 

 

 

(6.14)

Отметим, что компонент потерь множественного отражения имеет отрицательную величину и понижает общую эффективность экранирования. Как правило, он вносит незначительные коррективы в выражение (6.14). Однако в случае электрически тонких материалов t или материалов с малыми потерями этот компонент может стать сопоставим с потерями на отражение, что будет сигнализировать о невозможности использовать данное выражение для определения эффективности экранирования.

6.2. Экранирование ближнего поля

Теория экранирования плоской волны позволяет удобно определять величину эффективности экранирования на основании свойств материала и его толщины. Однако на практике ЭМЭ почти никогда не располагаются в дальнем поле ни от источника, ни от рецептора помех. Таким образом, маловероятно, что с обеих сторон экрана сформируется плоская волна, а значит, применение выражений (6.12) и (6.14) для определения эффективности экранирования невозможно.

Для понимания отличия механизмов экранирования ближнего поля от экранирования плоской волны на рис. 6.3 представлены конфигурации для двух основных случаев. Так, на рис. 6.3, а падающая плоская волна заменена электрическим источником в виде диполя, а экранирующий материал расположен в ближнем поле этого источника. На рис. 6.3, б источником магнитного поля является петля с током.

71

а)

б)

Рис. 6.3. Экранирование источников электрического и магнитного поля

С учетом того, что в ближнем поле ( r 2 ) электрический диполь

создает преимущественно электрическое поле, волновое сопротивление приблизительно равно

ZЕ

 

 

E

 

 

1

 

,

(6.15)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2 f

 

 

 

 

 

 

H

 

 

0r

 

а в случае петли с током преобладает магнитное поле и волновое сопротивление приблизительно равно

Z

H

 

 

E

 

2 f

r .

(6.16)

 

 

 

 

 

 

H

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Оценить эффективность экранирования стенки в ближнем поле можно, заменив волновое сопротивление вакуума 0 в (6.12) на ZW , соответствующее

волновому сопротивлению ZЕ или ZH , что приводит к новому выражению компонента потерь на отражение

R dB 20log

Z

 

W

.

(6.17)

4

 

S

 

Компоненты потерь на поглощение и на множественные отражения не изменятся. Хотя такой подход для определения эффективности экранирования сильно упрощен, он позволяет оценить влияние различных вариантов конструкторского исполнения экрана на параметры экранирования в реальных ситуациях.

Пример 2. На расстоянии 0,1 м от работающего трансформатора расположена экранирующая структура, сделанная из медного листа толщиной 10 мм. Оцените эффективность экранирования такого экрана на частоте 1,5 кГц.

72

SE 10log энергия, поданная от источника . энергия, полученная на выходе
73

При работе трансформатора создается преимущественно магнитное поле. Представив трансформатор как магнитный дипольный источник, можно оценить волновой импеданс на расстоянии до экрана

ZH 2 f 0r 2 1,5 103 4 10 7 0,1 1,18 10 3 Ом .

Волновое сопротивление и глубина скин-слоя меди равны соответственно

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2 f

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4 10 7

 

 

 

 

 

 

 

медь@1,5кГц

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

1,5 103

 

 

 

 

 

 

 

1, 43 10 5 Ом ,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

5,81 107

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1,7 10 3

м 1,7 мм .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

медь

f

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

7

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1,5

10

3

 

 

 

4 10

 

 

 

 

 

5,81 10

7

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Таким образом, эффективность экранирования составляет

 

SE 20log

 

1,18 10 3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

10

 

 

26 дБ 51 дБ 0 дБ 77 дБ.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

20log

exp

 

 

 

 

4 1,43 10

5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1,7

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Отметим, что в этом случае потери на поглощение играют решающую роль в общей эффективности экранирования. Обычно на НЧ волновое сопротивление вблизи от источника магнитного поля мало, а потери на отражение вследствие проводимости экрана значительно меньше.

6.3. Измерение эффективности экранирования

Эффективность экранирования плоской волны

Приведенная выше концепция оценки эффективности экранирования плоских волн удобна тем, что она опирается на свойства и толщину экранирующего материала. Для практического измерения эффективности экранирования плоской волны используется коаксиальная тестовая установка, в которой расположен образец материала. Ко входу тестовой установки подключается источник направленной ТЕМ волны, а к выходу – согласованный измеритель, что представлено на рис. 6.4.

Установка содержит линию передачи с определенным волновым сопротивлением (обычно 50 Ом). В поперечном сечении установка имеет форму тора, увеличивающегося к центру для закрепления образца материала требуемого размера. Измеряемая эффективность экранирования определяется как

(6.18)

Рис. 6.4. Тестовая установка определения эффективности экранирования плоской волны

Когда измерения выполняются с векторным анализатором цепей, эффективность экранирования может быть удобно выражена в s-параметрах как SE 20log S12 . Несмотря на то что волновое сопротивление (отношение

V

I ) тестовой установки равно 50 Ом, отношение |E| к |H| продолжает

определяться волновым сопротивлением среды ( 0 377 Ом в воздухе).

Другие способы измерения эффективности экранирования

Разумеется, эффективность экранирующего корпуса может сильно отличаться от экранирующих свойств материала, из которого он сделан. На итоговую эффективность экранирования корпуса влияет множество различных факторов, таких как размер и форма конструкции, тип и расположение источников. Кроме того, решающий вклад в уменьшение эффективности экранирования вносят различные неоднородности – швы, щели, стыки, отверстия. По этим причинам более правильным будет определение эффективности экранирования корпуса следующим образом:

SE 20log

Е поле, принятое от источника без экрана

. (6.19)

 

Е поле, принятое от экранированного источника

Например, пусть измеренное ЭМИ от электронного устройства без корпуса (или с пластиковым корпусом) составило 52 дБ(мкВ/м). Затем это же устройство, помещенное в металлический корпус, было повторно протестировано тем же способом, при этом измеренное ЭМИ оказалось равным 38 дБ(мкВ/м). Тогда эффективность экранирования корпуса в данном исполнении будет равна

SE 52 дБ мкВ м 38 дБ мкВ м 14 дБ .

74

Возможно, эта величина значительно меньше, чем эффективность экранирования плоской волны, но она учитывает утечки через отверстия и стыки. Подобный способ оценки также учитывает тот факт, что экранирующий корпус, взаимодействуя с экранируемым источником, сам становится частью непреднамеренной излучающей антенны.

Пример 3. Итоговая эффективность экранирования корпуса, сделанного из материала, ослабляющего плоскую волну на 60 дБ, будет:

а) примерно 60 дБ; б) всегда меньше чем 60 дБ;

в) обычно больше чем 60 дБ; г) иногда меньше чем 0 дБ.

Учитывая предыдущие рассуждения об источниках непреднамеренных помех и эффективности антенны, должно быть ясно, что даже слабый источник излучения может значительно увеличить излучающую способность при взаимодействии с крупными проводящими структурами. Таким образом, вполне возможно, что из-за наличия экранирующего корпуса с отверстиями

истыками произойдет усиление излучения слабых источников. Другими словами, эффективность экранирующего корпуса на определенных частотах легко может быть меньше 0 дБ, т.е. такой корпус не только не будет ослаблять, а наоборот, дополнительно усиливать излучаемые помехи. Тем не менее, на других частотах такой корпус вполне может ослаблять сильные источники излучения, а суммарный эффект даст в итоге общее ослабление максимального ЭМИ. Это лишний раз показывает, что при разработке конструкций экранов

иэкранирующих корпусов разработчик должен очень внимательно учитывать все возможные факторы.

Контрольные вопросы к разделу

1.Какие три основных компонента определяют эффективность экранирования электромагнитного экрана?

2.Чем определяются потери на отражение и как за счет них можно повысить эффективность экранирования?

3.От чего зависят потери на поглощение и как за счет них можно повысить эффективность экранирования?

4.За счет чего возникают множественные внутренние отражения и как они влияют на общую эффективность экранирования?

5.Что называется ближнем полем и в чем особенность экранирования

втаком поле?

6.Какими основными способами можно измерить эффективность экранирования материала?

75

7. ПРАКТИЧЕСКОЕ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОЕ ЭКРАНИРОВАНИЕ

Обычно экранирующий корпус окружает компоненты электронного средства со всех сторон. При этом особое внимание уделяется уменьшению размеров отверстий и герметизации стыков. С другой стороны, также распространены экраны, закрывающие всего один радиоэлектронный модуль или только его некоторую часть. Такие экраны состоят из единого заземленного или незаземленного металлического листа и могут иметь вводы для проводников.

Почему же отверстия и стыки так важны в некоторых случаях и совсем не играют роли в других? Дело в том, что для решения различных задач применяются соответствующие способы экранирования. Все типы экранов можно разделить на три категории: экраны электрического поля, экраны магнитного поля и экранирующие корпуса [14]. Лучший подход к экранированию на практике зависит от большого числа факторов, включая электрические характеристики схемы или системы, подлежащей экранированию, физических ограничений (размер, вес, ремонтопригодность) и стоимость.

7.1. Экранирование электрического поля

Идеально проводящий корпус, полностью окружающий определенный объем, предотвращает всякое электрическое взаимодействие с объектами за пределами данного объема. Такой тип корпусов называется клеткой Фарадея. Электрическое поле, создаваемое внутри объема, ограничивается внутренними поверхностями стенок конструкции экрана, что представлено на рис. 7.1, а. Свободные заряды, образующиеся на поверхности экрана, самостоятельно перемещаются, что необходимо для полной компенсации полей внутри или снаружи корпуса.

Корпус, не являющийся идеально проводящим, также можно считать клеткой Фарадея до тех пор, пока заряды могут достаточно быстро самостоятельно перераспределяться для компенсации внутренних полей. Большинство металлических корпусов, не имеющих значительных стыков или отверстий, обеспечивают отличное экранирование электрического поля в широком диапазоне частот. Без экрана линии поля могут замыкаться на других проводниках, образуя в результате паразитную разность потенциалов, что представлено на рис. 7.1, б.

Однако частичное экранирование (рис. 7.2, а) или даже простая металлическая пластина (рис. 7.2, б) также может существенно снизить подобные паразитные наводки, обеспечивая альтернативный путь линиям электрического поля и тем самым предотвращая достижение силовыми линиями цепирецептора.

76

а)

б)

Рис. 7.1. Экранирование (а) и взаимодействие (б) электрического поля

а)

б)

Рис. 7.2. Частичное экранирование электрического поля

Важным моментом при практическом экранировании электрического поля является определение местоположения экранирующей структуры, а также выбор соответствующего проводящего материала. При определении электрофизических параметров конструкционного материала необходимо учитывать рабочие частоты или скорость изменения поля. Эффективное подавление электрических полей будет обеспечиваться до тех пор, пока заряды способны двигаться достаточно свободно для самостоятельной перегруппировки при соответствующем изменении поля.

77

В случае электростатического поля почти любой материал можно рассматривать как проводящий, так как свободные заряды могут медленно переориентироваться. Однако для ВЧ электрических полей проводимость материала экрана должна быть достаточно высокой, чтобы позволить зарядам быстро двигаться назад и вперед.

Расположение экранирующей структуры производится таким образом, чтобы она в максимальной степени пересекала линии электрического поля, потенциально способные вызвать нежелательное взаимодействие между источником и рецептором. Несколько примеров практического экранирования электрического поля представлены на рис. 7.3.

а)

б)

в)

Рис. 7.3. Примеры практического экранирования электрического поля

На рис. 7.3, а представлен защитный печатный проводник, используемый для уменьшения связи между двумя параллельными дорожками ПП. Рис. 7.3, б показывает возможный способ заземления радиатора, ослабляющий электрическое поле между ним и заземляющим слоем ПП. На рис. 7.3, в продемонстрировано влияние ориентации печатного узла на паразитные наводки между шиной питания и компонентами основной платы.

78

7.2. Экранирование магнитного поля

Поскольку свободных магнитных зарядов не существует, то замкнуть линии магнитного потока на экранирующей структуре невозможно. Однако можно перенаправить магнитный поток для предотвращений нежелательного влияния. Это достигается за счет индукции электрических токов в проводящих экранах (рис. 7.4) или созданием альтернативных путей для линий магнитного потока с использованием магнитопроницаемых материалов с r 1 (рис. 7.5).

Так, на рис. 7.4, а вертикальное магнитное поле от электрического мотора воздействует на цепи, расположенные на ПП, что приводит к созданию помех. На рис. 7.4, б представлен тот же случай, но с использованием магнитного экрана в виде алюминиевой пластины, расположенной под ПП.

а)

б)

в)

Рис. 7.4. Экранирование магнитного поля при помощи материалов с хорошей проводимостью

На поверхности этой пластины образуется область, ограниченная короткозамкнутой петлей, через которую будет проходить воздействующее магнитное поле. Согласно закону Фарадея, в ней будет создаваться электрическое поле, равное

E dl

Ф

,

(7.1)

 

t

 

 

где правая сторона выражения характеризует скорость изменения общего магнитного потока, протекающего через петлю. Однако любое электрическое поле на хорошо проводящей поверхности будет вызывать появление тока. В свою очередь этот ток будет генерировать собственный магнитный поток, направленный в противоположную сторону по отношению к первоначальному потоку. В идеальном проводнике оба этих магнитных потока будут полностью компенсироваться. Токи, наводимые в проводящем материале под воздействием переменного магнитного поля, называются вихревыми токами. На рис. 7.4, б представлены оба вида магнитных полей, а на рис. 7.4, в представлен результат их суммирования. Можно видеть, что вихревые токи могут «отводить» магнитный поток от ПП и тем самым значительно ослаблять его влияние.

79