Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Учебное пособие 2187

.pdf
Скачиваний:
5
Добавлен:
30.04.2022
Размер:
11.24 Mб
Скачать

В блоке 2 резервируются массивы: Т(m) 0 ≤ m ≤ [(Sp /2) – 1] - величина тока стока умноженной частоты при выбранном значении параметра «m»; Тs(m) – суммарная величина тока стока умноженной частоты при вариации параметра «m» от 0 до текущего значения; А(m), B(m), С(m) – сомножители, входящие в выражение (5.7):

A(m)

 

 

1

 

,

 

(5.12)

22m(m!)2

 

 

B(m)

d2m f (U

0)

,

(5.13)

 

dU2m

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

C(m) U

2m .

 

 

 

(5.14)

 

 

 

m

 

 

 

 

В блоке 3 задаётся исходный номер сечения по смещению рабочей точки транзистора. При этом начинается внешний цикл расчёта гармонических компонент тока стока. Внешний цикл характеризуется вариацией напряжения смещения на затворе транзистора в заданных пределах с установленным шагом.

Блок 4 задает начальное значение коэффициента m=0 и суммарной величины тока стока TS(m)=0.

Блоки внутреннего цикла 5-8 производят расчёт составляющей тока стока при заданном значении параметра m, при этом значения производных выбираются из табл. 5.3 для коэффициента умножения N=2, а при N=3 значения выбираются из табл. 5.4.

Таблица 5.3

Значения производных четного порядка

Порядок производ-

2

4

 

6

 

8

10

 

ной

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Значение m

0

1

 

2

 

3

4

 

Значения производных нечетного порядка

 

 

Таблица 5.4

 

 

 

 

 

 

Порядок производной

 

3

 

5

7

 

 

9

 

Значение m

 

0

 

1

2

 

 

3

 

Вблоке 9 осуществляется подсчёт результирующего (суммарного) тока ТC гармонической составляющей тока стока МОП-транзистора.

Вблоке 10 выполняется выбор следующего значения параметра

m.

121

Вблоках 12 и 13 контролируется соответствие текущего значения параметра m максимально допустимому значению в зависимости от заданного значения коэффициента умножения N и степени полинома. Блоки 12 и 13 являются заключительными блоками внутреннего цикла.

Если исчерпаны разрешенные значения параметра «m», то в блоке 14 итоговая величина вычисленного значения тока стока Тs запоминается как величина тока, соответствующая заданному ранее напряжению U0 на затворе МОП-транзистора.

Блок 15 определяет новое (следующее) значение сечения по смещению рабочей точки транзистора.

Вблоке 16 выполняется сравнение текущего значения смещения L с заданным максимальным номером LK. При достижении L максимального значения осуществляется переход к блоку 19 печати рассчитанных массивов в виде графиков или таблиц. Если же значение L еще не достигло максимально возможного числа – осуществляется переход к следующему напряжению смещения, расчет которого выполняется в блоке 17.

Блок 18 проверяет текущее значение напряжения смещения и, если оно не превышает максимально разрешенного значения, продолжается выполнение внешнего цикла - осуществляется расчёт гармонической компоненты тока стока при новом значении напряжения смещения рабочей точки транзистора. В противном случае в блоке 19 производится печать заданных параметров и найденных предельных значений гармонических составляющих тока стока МОП-транзистора для анализируемой субмикронной или глубоко субмикронной технологии.

Представленный алгоритм лежит в основе методики расчета предельных значений гармонических компонент выходного тока МОПтранзисторов субмикронного технологического базиса в режиме кратного умножения частоты.

5.2.3. Программа расчета предельных значений гармонических компонент выходного тока МОП-транзисторов в режиме кратного умножения частоты

На основе разработанной методики [165], описанных выше аналитических соотношений и предложенного алгоритма разработана программа для расчета предельных значений тока гармонических компонент выходного сигнала [166], позволяющая определять эффективность использования той и или иной технологии для построения кратных преобразователей частоты гармонических сигналов. Расчет значений тока возможен для любых существующих технологий, в том числе техноло-

122

гий с проектными нормами в субмикронном и глубоко субмикронном топологическом базисе при вариации параметров МОП-транзистора в пределах технологических допусков. Использование программы позволит существенно сократить общее время разработки умножителей, а также получить сведения о технической реализуемости требуемых выходных параметров умножителя и эффективности преобразования сигналов выбранными полупроводниковыми структурами.

Программа разработана в приложении Matlab v.7.9 [167 - 171] и состоит из трех файлов:

-vpar.m – выполнение аппроксимации сток-затворной характеристики МОП-транзистора;

-Dif1.m – расчет производных требуемого порядка;

-Igarm.m – расчет тока второй и третьей гармоник в диапазоне напряжений на затворе МОП-транзистора.

На рис. 5.3 показано стартовое окно программы в приложении Matlab, в левой части которого находятся указанные файлы.

Рис. 5.3. Общий вид программы расчета значений тока гармонических компонент

В программе представлен расчет токов второй гармоники применительно к базовым и широко используемым размерам транзисторов, входящих в состав библиотеки элементов современных субмикронных технологий. Выполнена аппроксимация сток-затворной характеристики для следующих размеров транзисторов (l/w):

123

-технология XH035 (350 нм): 350нм/700нм, 350нм/7мкм, 3.5мкм/700нм, 3.5мкм/7мкм;

-технология gpdk180 (180 нм): 180нм/280нм, 180нм/2.8мкм, 1.8мкм/280нм, 1.8мкм/2.8мкм;

-технология gpdk090 (90 нм): 100нм/120нм, 100нм/1.2мкм, 1мкм/120нм, 1мкм/1.2мкм;

-технология gpdk045 (45 нм): 45нм/120нм, 45нм/1.2мкм, 450нм/120нм, 450нм/1.2мкм, 600нм/800нм.

Для построения сток-затворной характеристики МОП-транзистора

ирасчета значений тока гармонических компонент необходимо ввести следующие исходные данные:

1. В файле vpar.m указать:

-входное напряжение Ug;

-использовать имеющиеся значения Vgs – Vgs3 или создать новую матрицу (матрицы) Vgsx, в которой ввести значения напряжения на затворе через равный шаг;

-создать матрицу токов Isx, соответствующих заданным ранее напряжениям на затворе (обратите внимание количество значений напряжений и токов должно быть одинаково);

-в строку t={} добавить размеры транзисторов для которых будет выполняться расчет (будет отображаться в выводимом окне графика тока);

-добавить название матрицы тока в строку IS={},

-добавить (если создавалась новая переменная) Vgsx в строку save () для ее сохранения.

2. В файле Igarm.m ввести следующие исходные данные:

-N – номер гармоники, ток которой будет рассчитан. Программа поддерживает расчет токов второй и третьей гармоник;

-указать в строке «for a=13:-4:1» номера рассчитываемых в формате a=x:y:z, где: x - номер матрицы тока стока из файла vpar.m, для которой необходимо произвести расчет тока гармоники (в данном случае указано число 13, т.е. первый расчет будет выполнен по матрице токов стока Is13); y – значение шага смещения – используется для определения следующего номера матрицы токов из файла vpar.m, для которой будут производится расчеты (в данном случае -4, т.е. следующий номер матрицы будет 13-4=9, следующий 9-4=5, и т.д.); z – номер матрицы тока до которого будет вычисляться с помощью шага смещения (в данном случае 1 – последней матрицей, используемой для расчетов станет матрица Is1.

124

5.2.4. Исследование влияния технологического процесса с субмикронными проектными нормами на интенсивность генерируемых гармонических компонент

С использованием описанной программы был произведен расчет значений второй гармоники тока выходного сигнала МОП-транзистора в режиме умножения для технологий субмикронного и глубокого субмикронного базиса. Расчет выполнялся для ряда размеров, начиная от базовой (минимальной) поддерживаемой технологией ширины и заканчивая оптимальным значением габаритов, при котором наблюдается максимальная интенсивность генерируемой гармонической компоненты. В табл. 5.5 представлены расчетные данные тока второй гармоники при оптимальных габаритных параметрах МОП-транзисторов, определенных для технологий известных полупроводниковых фабрик с базисом различной размерности.

Таблица 5.5 Ток второй гармоники для оптимальных габаритов МОПтранзисторов, выполненных по субмикронным технологиям известных

производителей.

Название

Фабрика

Проектные

Оптимальный

Значение

технологии

 

нормы

размер тран-

тока вто-

 

 

 

зистора

рой гармо-

 

 

 

 

ники, мкА

XH035

XFAB

350 нм

0,35/5,4 мкм

25,29

UC1H

HHNEC

350 нм

0,35/7 мкм

21,76

CZ6H

HHNEC

250 нм

0,25/3,8 мкм

12,41

TSMC250NM

TSMC

250 нм

0,25/3,6 мкм

14,43

XC018

XFAB

180 нм

0,18/2,8 мкм

8,25

CA18

HHNEC

180 нм

0,18/2.8 мкм

7,84

UMC018tech

UMC

180 нм

0,18/2,8 мкм

9,17

TSMC180NM

TSMC

180 нм

0,18/2,5 мкм

7,59

UMC130tech

UMC

130 нм

0,13/2,2 мкм

5,36

EF130

HHNEC

130 нм

0,13/2,0 мкм

5,03

UMC90tech

UMC

90 нм

90/1400 нм

1,02

TSMC90NM

TSMC

90 нм

90/1500 нм

1,10

TSMC65NM

TSMC

65 нм

65/1000 нм

0,51

UMC65tech

UMC

65 нм

65/1100 нм

0,58

TSMC50NM

TSMC

40 нм

40/650 нм

0,22

125

Исследовались стандартные КМОП технологии на объемном кремнии зарубежных фабрик XFAB, HHNEC, TSMC, UMC. Подтверждение верности расчетных значений производилось с помощью высокоточного моделирования в симуляторе Spectre САПР Cadence. В схеме УЧ применялись типовые МОП-транзисторы из состава технологических библиотек, поставляемых фабрикой-изготовителем.

В ходе моделирования для каждой технологии подбиралось фиксированное значение напряжения смещения МОП-транзистора, при котором достигалось максимальное значение выходного тока второй гармоники при оптимальном размере транзистора, определенном с использованием программы расчета предельных значений тока гармоник. Результаты моделирования представлены в табл. 5.6.

Таблица 5.6 Ток второй гармоники для оптимальных габаритов МОПтранзисторов различных технологий, полученный в результате моделирования в приложении Spectre, и отклонение тока от расчетных значе-

ний.

Название

Фабрика

Про-

Оптималь-

Ток

Откло-

технологии

 

ект-

ный размер

второй

нение от

 

 

ные

транзистора

гармо-

расчет-

 

 

нор-

 

ники,

ного

 

 

мы,

 

мкА

значе-

 

 

нм

 

 

ния, %

XH035

XFAB

350

0,35/5,4 мкм

24,61

2,7

UC1H

HHNEC

350

0,35/7 мкм

21,08

3,1

CZ6H

HHNEC

250

0,25/3,8 мкм

12,05

2,9

TSMC250NM

TSMC

250

0,25/3,6 мкм

13,82

4,2

XC018

XFAB

180

0,18/2,8 мкм

8,00

3,0

CA18

HHNEC

180

0,18/2.8 мкм

7,46

4,8

UMC018tech

UMC

180

0,18/2,8 мкм

8,85

3,4

TSMC180NM

TSMC

180

0,18/2,5 мкм

7,36

3,0

UMC130tech

UMC

130

0,13/2,2 мкм

5,17

3,5

EF130

HHNEC

130

0,13/2,0 мкм

4,77

5,1

UMC90tech

UMC

90

90/1400 нм

0,98

4,1

TSMC90NM

TSMC

90

90/1500 нм

1,05

4,1

TSMC65NM

TSMC

65

65/1000 нм

0,48

4,7

UMC65tech

UMC

65

65/1100 нм

0,55

4,9

TSMC40NM

TSMC

40

40/650 нм

0,20

5,5

126

Общая зависимость значения генерируемой компоненты тока МОП-транзистора от размерности технологического базиса представлена на рис. 5.4, а отклонение расчетных значений тока от результатов моделирования и аппроксимирующая характеристики отклонения показаны на рис. 5.5.

На графиках представлены усредненные по ряду технологий в базисе одной размерности значения тока и погрешности.

Рис. 5.4. Зависимость тока второй гармоники выходного сигнала МОП-транзистора от размерности технологического базиса

Рис. 5.5. Погрешность расчета тока второй гармоники выходного сигнала МОП-транзистора в технологических базисах

с различной размерностью

127

Анализ полученных результатов показывает, что эффективность генерации гармонической компоненты, соответствующей удвоенной частоте на входе МОП-транзистора уменьшается с уменьшением размерности базиса. При сравнении данных таблиц в части показателей выходного тока второй гармоники прослеживается общая тенденция к снижению значений результатов моделирования по отношению к расчетным значениям, что объясняется увеличением отклонения моделей реальных транзисторов от аппроксимированных характеристик МОПтранзисторов, являющихся базовой основой для работы программы расчета значений. Отклонение значения тока от расчетного не превышает 5,5 %, что является допустимым показателем при проектировании аналоговых устройств.

5.3. Методика расчета преобразования частоты на МОПтранзисторе с учетом влияния помеховой компоненты входного сигнала

5.3.1. Основные аналитические соотношения

Определим вклад помеховой компоненты входного сигнала в интенсивность колебания промежуточной частоты. Считаем что в установившемся режиме ко входу смесителя приложено воздействие

u(t) U0 Uг cos( гt 1 Uc cos( сt 2)

(5.15)

где U0 – постоянная составляющая приложенного напряжения, Uг, Uс, ωг, ωс, и 1, 2, – амплитуды, частоты и начальные фазы колебаний с частотами гетеродина, сигнала соответственно.

Амплитуды колебаний с частотами гетеродина, сигнала могут изменяться в широких пределах с учётом аппроксимирующей в интервале напряжений (U) нелинейной сток-затворной характеристики МОПтранзистора, которая описывается (5.1) и допускает разложение в ряд Тейлора на всём интервале, включая его концы.

Пусть для определённости ωс > ωг. В соответствии с характеристикой (5.1) и воздействием (5.15) искомый спектр отклика, представленный в символической форме, можно записать в виде

I

 

 

 

 

 

 

 

 

 

I p

 

 

X

 

 

d

 

*

( с

г)

 

 

 

 

 

1

 

Г

 

 

 

 

 

dx 0

 

 

p

1

p

2

 

 

 

 

 

 

 

(5.16)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

d

* f X

0 e

j p

p

 

 

t ,

 

 

*I p

2

X С

 

 

 

 

 

1

Г

 

2

 

С

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

dx0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

128

где I p (z)

 

z2m p

 

 

 

 

- модифицированная

 

2m p

 

 

m 0 2

(m p)! m!

функция Бесселя 1 рода p-го порядка.

Метод определения спектрального состава основан на применении ряда Тейлора, представленного в символической форме в виде экспоненциальных функций. Раскрытие сумм в выражении (5.16) с учётом свойства модифицированных функций Бесселя I+р (z) = I-р (z) [161] позволяет освободиться от отрицательных значений рi (i = 1, 2), а учёт формул Эйлера, связывающих экспоненциальную и тригонометрическую функции, приводит к выражению комбинационной компоненты промежуточной частоты в виде (5.17) [162].

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

I

( с г)

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

*

 

 

 

2

2 m

1

* (m1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

m1 0

1

 

1)! m1!

 

 

 

 

d 2 m1 1

f (U 0

)

 

 

 

 

2 m1 1

 

 

 

 

 

1

(5.17)

*

 

 

 

 

 

 

 

*U г

 

 

*

 

 

 

 

 

 

 

*

 

dU

 

2 m1 1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

2 m

 

1

* (m2

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

m 2 0

 

2

 

1)! m2 !

* d 2 m 2 1

f (U 0

)

 

 

*

 

2 m 2 1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

*

U

с

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

dU

0

2 m 2 1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

В выражении (5.17) произведем перемножение рядов. В результате получим:

I

( с

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

г )

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

 

 

 

* (5.18)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2 ( m 1

m 2 ) 1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

m1 0

m 2 0 2

* ( m

1

1)! m

1

! ( m

2

1)! m

2

!

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2 ( m

1 m 2 ) 2

f (U 0

)

 

2 m1 1

2 m 2 1

 

 

 

 

 

 

 

d

 

 

 

 

 

 

 

 

*

 

 

 

 

* U г

 

 

U с

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2 ( m 1 m 2 ) 2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

dU 0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Аналогично, выражение постоянной составляющей тока стока МОП-транзистора с индуцированным каналом при воздействии напряжения (5.15) на сток-затворную характеристику (5.1) можно привести к виду:

129

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

 

 

 

d2m1f (U0)

 

 

 

2m

 

 

 

Ic

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

*

 

 

 

 

 

 

 

*U с

1 *

2

2m

 

 

 

 

 

 

2

 

dU

 

 

2m

 

 

0 m1 0

 

 

1 (m !)

 

 

 

0

 

1

 

 

 

 

 

(5.19)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

2m

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

 

 

 

 

d

2 f (U0)

*U 2m2

 

 

 

*

 

 

 

 

 

 

 

 

 

*

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

m2 0 22m2(m2!)2

 

dU02m2

 

 

 

г

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Ic0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

 

 

 

 

*

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2(m m

2

)

*(m !)

2

(m

!)

2

 

 

m 0m

2

0 2

 

 

 

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

2

(5.20)

 

d2(m1 m2) f (U0)

 

 

 

2m

 

 

2m

 

 

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

 

 

 

 

*

 

 

2(m m

2

)

 

 

 

*U г

 

 

 

 

U с

 

 

 

 

 

 

 

 

dU0

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

5.3.2. Алгоритм расчета преобразования частоты на МОП - транзисторе для технологий с субмикронными топологическими нормами

Алгоритм расчета преобразования частоты на МОП-транзисторах для технологий с субмикронными топологическими нормами представ-

лен на рис. 5.6 [172].

Вблоке «2» производится ввод исходных данных: массив напряжений Ua и массив токов Ia для разных соотношений l/w, константы Uω1=5мкВ, Uω2=100мВ, производится обнуление исходных перемен-

ных i, j, а.

Вблоке «3» под переменной «а» подразумевается выбор соотношения l/w для расчета вольт-амперной характеристики (ВАХ) из базы блока «4». Если a=1, то l/w=350нм/700нм; при a=2, l/w=180нм/280нм; при a=3, l/w=90нм/120нм; при a=4, l/w=45нм/120нм. Первое значение переменной «а»=1.

Вблоке «5» осуществляется расчет коэффициентов полинома для выбранного варианта переменной «a».

Вблоке «6» осуществляется вывод рассчитанных коэффициентов для выбранного значения переменной «а».

Вблоке «7» вычисляется уравнение полинома 10-степени по рассчитанным коэффициентам полиномов.

Вблоке «8» выбирается первое значение напряжения смещения для расчета комбинационной составляющей.

130