- •Методические указания
- •1.1. Термическое окисление кремния в планарной технологии полупроводниковых интегральных микросхем
- •1.2. Модель Дила-Гроува термического окисления кремния
- •Из (14) получаем
- •2. Лабораторные задания
- •3. Требования к отчёту
- •4. Контрольные вопросы
- •Теоретические сведения
- •1.1. Диффузионное легирование кремния в технологии
- •1.2. Моделирование стадии
- •1.3. Моделирование стадии
- •2. Лабораторные задания
- •3. Требования к отчёту
- •4. Контрольные вопросы
- •Библиографический список
- •394026 Воронеж, Московский просп., 14
Библиографический список
1. Технология СБИС: пер. с англ./под ред. С. Зи. - М.: Мир, 1986.
2. Готра З. Ю. Технология микроэлектронных устройств: справочник./ З. Ю Готра. - М.: Радио и связь, 1991.
3. Черняев В. Н. Физико-химические процессы в технологии РЭА: учебник для вузов /В.Н. Черняев. - М.: Высш. шк., 1987.
4. Сысоев О.И. Физико-химичекие основы технологии материалов и структур твёрдотельной электроники /О.И. Сысоев, Л.Н. Коротков, И.В. Бабкина. Воронеж, ФГБОУ ВПО ВГТУ 2010.
5. Броудай И. Физические основы микротехнологии: пер. с англ./И. Броудай, Дж. Мерей. - М.: Мир, 1985.
МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ
к выполнению лабораторных работ №1-2
по дисциплине «Физико-химические основы технологии
материалов и структур твёрдотельной электроники»
для студентов направления 223200.62
«Техническая физика» (профиль «Физическая электроника»)
очной формы обучения
Составители:
Сысоев Олег Иванович
Коротков Леонид Николаевич
Бабкина Ирина Владиславовна
Каширин Максим Александрович
В авторской редакции
Подписано к изданию 22.10.2012.
Уч.-изд.л. 2,7.
ФГБОУ ВПО «Воронежский государственный
технический университет»
394026 Воронеж, Московский просп., 14