Структура МНОП-транзистора

Транзистор со структурой металл-нитрид окисла-полупроводник

Толщина слоя диэлектрика по плавающим затвором составляет единицы нанометров, поэтому занесение заряда на плавающий затвор и стирание заряда может выполняться низким напряжением в течение малого времени. Вспомогательная p-область является инжектором, увеличивающим лавинный поток.

В отличие от ПЗУ с ультрафиолетовым стиранием, полупроводниковая структура имеет повышенную чувствительность к температуре и потокам электронов и протонов.

МИЭМ НИУ ВШЭ. Сафонов С.Н.