ПЗУ матричного типа. Топология матрицы

Вскрытия затворных окон (заштрихованы) в фоторезисте осуществляется над каналами тех транзисторов, в которые необходимо записать «0». Затем частично стравливается слой SiO2 для уменьшения порогового напряжения соответствующих транзисторов. Программирование матрицы выполняется на заводеизготовителе по таблице, предоставляемой заказчиком.

• Код, записанный в матрицу:

МИЭМ НИУ ВШЭ. Сафонов С.Н.

Однократно программируемое ПЗУ с пережигаемыми

перемычками

Пережигаемые перемычки изготавливаются напылением нихрома (сплав высокого сопротивления), или поликремния.

При пережигании в перемычках создается плотность тока порядка 105 А/мм2, происходит быстрый нагрев и испарение материала пленки. Для программирования микросхема ПЗУ подключается к внешнему программатору.

Микросхемы отличаются высокой надежностью хранения информации при высокой температуре и ионизирующих излечениях.

МИЭМ НИУ ВШЭ. Сафонов С.Н.

Репрограммируемое ПЗУ на лавинно-инжекционных транзисторах с плавающим затвором (ЛИПЗ МОП –

транзисторы)

Запись

информации в транзистор осуществляется путем переноса отрицательного заряда на плавающий затвор за счет лавинного пробоя подзатворного диэлектрика. При лавинном пробое ток ограничивается внешними цепями и не приводит к повреждению диэлектрика. Для записи между стоком и подложкой подается повышенное напряжение.

Структура диэлектрика близка к идеальной, поэтому длительность хранения заряда превышает 10 лет. Возможны многократные записи и стирания.

Стирание

информации осуществляется одновременно во всех транзисторах матрицы путем ультрафиолетового облучения дозированной интенсивности.

МИЭМ НИУ ВШЭ. Сафонов С.Н.

Схема запоминающего элемента на ЛИПЗ МОП -

транзисторах

Матрица имеет словарную организацию (однокоординатную выборку по шине Х).

При считывании открытый транзистор VT выборки соединяет шину Y с запоминающим транзистором. В зависимости от его состояния (открыт/закрыт) в шину Y передается или не передается импульс тока.

МИЭМ НИУ ВШЭ. Сафонов С.Н.

Репрограммируемое ПЗУ с электрической записью и

стиранием информации

ПЗУ построено на транзисторах со структурой металл - нитрид кремния – оксид – полупроводник (транзисторы МНОП).

Заряд накапливается на границе двух диэлектриков из-за ловушек на границе диэлектриков:

«-» заряд повышает «+» заряд понижает

пороговое напряжение, которое определяется относительно управляющего затвора.

Перенос заряда на плавающий затвор осуществляется путем лавинного пробоя

МИЭМ НИУ ВШЭ. Сафонов С.Н.