Uon
Элемент памяти динамического типа на МДП-транзисторах
Основное преимущество – меньшая площадь на кристалле и, соответственно, большая информационная емкость ЗУ, так как запоминающая ячейка состоит из одного транзистора.
Запоминание «0» или «1» соответствует разряженному или заряженному состоянию емкости С.
Запись
Подается высокий потенциал на АШ. На РШ подается либо 0, либо 1, которые записываются в емкость С. Ток через VT может протекать в обоих направлениях, так как сток и исток равнозначны
Считывание
Подается сигнал только на АШ, транзистор открывается. Напряжение с емкости С передается на РШ, предварительно разряженную до
Uоп.
Информация при считывании разрушается. Амплитуда сигнала на входе усилителя не превышает единиц милливольт. Требуется усилитель считывания.
Недостатки динамической памяти
•Разрушение информации при считывании. Необходимость регенерации, что приводит к увеличению длительности цикла обращения
•Требуются усилители считывания и контроллер регенерации
МИЭМ НИУ ВШЭ. Сафонов С.Н.
Постоянные запоминающие устройства. Классификация
ПЗУ
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Масочные |
|
|
Электрически |
|
|
|
|
|
|
программируемые |
|
||
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Однократно |
|
|
|
Репрограммируемые |
|
||
|
программируемые |
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
С пробоем p-n |
|
С электрическим |
|
С пережигаемыми |
|
Со стиранием УФ – |
перехода |
|
стиранием |
|
перемычками |
|
лучами |
|
|
|
|
|
|
|
МИЭМ НИУ ВШЭ. Сафонов С.Н.
Виды постоянных запоминающих устройств
Тип БИС ПЗУ |
Тип |
Элемент |
Способ |
Способ |
|
запоминаю- |
программиро- |
программиро- |
стирания |
|
щего |
вания |
вания |
|
|
элемента |
|
|
|
Матричные |
Диод. |
Стравливание |
Фотошаблон |
|
ПЗУ |
Биполярный |
части |
|
|
|
транзистор. |
диэлектрика |
|
|
|
МДП- |
|
|
нет |
|
транзисторы |
|
|
|
|
|
Плавкая |
Электрически |
|
Программируе- |
Диод. |
перемычка |
пережигаемое |
|
мые ПЗУ |
Биполярный |
р-п переход. |
Электрический |
|
|
транзистор. |
Диод Шоттки |
пробой |
|
РПЗУ |
МДП- |
МДП- |
Электрический |
УФ-облучение |
|
транзисторы |
транзисторы |
пробой |
|
|
МДП- |
|
|
Электрический |
|
транзисторы с |
|
|
|
|
и плавающим |
|
|
|
|
затвором |
|
|
|
|
МНОП- |
МНОП- |
|
|
|
транзисторы |
транзисторы |
|
|
МИЭМ НИУ ВШЭ. Сафонов С.Н.
ПЗУ матричного типа. Схема матрицы
МИЭМ НИУ ВШЭ. Сафонов С.Н.