Динамические параметры

Удельные емкости перекрытия:

, [Ф/м];

Названия:

cgso – удельная емкость перекрытия затвор – исток,

cgdo – удельная емкость перекрытия затвор – сток,

cgbo – удельная емкость перекрытия затвор – подложка за счет выхода затвора за пределы канала,

единица измерения этих емкостей – Ф/м.

Емкости p-n-переходов при нулевом смещении рассчитываются по известным формулам, аналогично емкостям биполярных транзисторов и резисторов.

Названия:

cbs – емкость исток – подложка, cbd – емкость сток – подложка, Ф.

Другие параметры

tox – толщина окисла, м, (10^-7),

level – уровень модели (1 – самая простая модель),

L, W – длина и ширина канала, м,

UO – подвижность носителей тока в канале, см²/(Вс), значение по умолчанию (UO=600) соответствует поверхностной подвижности электронов.

1.5. Приборы и ис на арсениде галлия

Особенности

Преимущества:

1. Высокая подвижность электронов µ_n=8000 - 11000 см²/(Вс), следовательно высокое быстродействие.

2. Большая ширина запрещенной зоны (1.4 эВ), следовательно, возможно создание схем устойчивых к высокой температуре и радиации.

3. Благодаря большая ширине запрещенной зоны, исходные пластины имеют высокое удельное сопротивление, следовательно, они являются полуизоляторами. Это облегчает изоляцию элементов ИС друг от друга.

Недостатки:

1. Технологические трудности, так как это химическое соединение.

2. Легирование только ионной имплантацией, диффузия неприменима.

3. У GaAs нет стабильного естественного окисла, трудности с изоляцией.

4. Поверхность очень восприимчива к различным химическим веществам.

5. Хрупкий материал.

Приборы GaAs

1.	СВЧ диоды Шоттки
2.	Полевые транзисторы с затвором Шотки
3.	Полевые транзисторы с p-n переходом

Рис. 21. Типы приборов на арсениде галлия.

КОНТАКТ ШОТТКИ: МЕТАЛЛ – n – ПОЛУПРОВОДНИК.

Рис. 22. Контакт Шоттки: зонные диаграммы.

Анод – металл, катод – n – полупроводник.

СТРУКТУРА ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА.

Рис. 23. Структура полевого транзистора на GaAs с затвором Шотки.

Зависимость тока стока I_С от напряжений сток – исток U_С и затвор – исток U_З для малых напряжений U_С.

- внутренняя проводимость.

- встроенный потенциал контакта Шоттки,

E_C – дно зоны проводимости, E_F – уровень Ферми.

С ростом U_С обедненный слой со стороны стока расширяется и наступает отсечка канала, как в МДП транзисторах.

- напряжение отсечки

Рис. 24. Выходные характеристики полевого транзистора на GaAs с затвором Шотки.

,

обычно выполняется условие , тогда:

Основные параметры:

Взаимной проводимостью называется:

;

в линейном режиме взаимная проводимость равна:

в режиме насыщения

V_ОТС определяется экспериментально из характеристики I_{С НАС}

Время пролета:

У барьера Шоттки есть только барьерная емкость [3]:

.

Если U_ОТС<0, при U_З=0 через структуру течет ток I_С - это нормально открытый транзистор (D – типа, работающий в режиме обеднения).

Если U_ОТС >0, при U_З =0, I_C=0 (т.е. ток через не течет): это нормально закрытый транзистор (E – типа, работающий в режиме обогащения).

У нормально открытого транзистора I_C большой, следовательно большое быстродействие и мощность.

У нормально закрытого транзистора I_C малый, следовательно низкая мощность и быстродействие.

Физические параметры арсенида галлия.

Относительная диэлектрическая проницаемость _GaAs=11 (₀=8.8510^-14 Ф/см).

Ширина запрещенной зоны _З=1.40 эВ (В).

Подвижность электронов µ_n=8000…11000 см²/(Вс)

Собственная концентрация n_i=1.510⁶ см^-3.

Барьер Шоттки (n-GaAs) _B=0.8 эВ (В).

Постоянная Ричардсона (n-GaAs):

низкая напряженность электрического поля A^*=8.2 А/(см²К²),

высокая напряженность электрического поля A^*=144 А/(см²К²).

Модели ПТШ, используемые в PSPICE.

В этих моделях зависимости тока стока от напряжений отличаются от рассмотренных выше:

Модель первого уровня (Level 1):

Модель второго уровня (Level 2):

Рис. 25. PSPICE – модель полевого транзистора на GaAs с затвором Шотки.

Описание ПТШ в PSPICE:

bxxx <drain node> <gate node> <source node> <model name>

.model <model name> gasfet(…)

Параметры GaAs ПТШ SPICE:

Level=1,2

VTO= напряжение отсечки, -2,5 В

BETA – крутизна,

Lambda – коэффициент наклона в пологой части, 1/В

Tau – время пролета, сек

Alpha – параметр напряжения насыщения, 1/В

R_G, R_D, R_S – сопротивления, Ом

C_GD, C_GS, C_DS – емкости затвор – сток, затвор – исток, сток – исток, Ф.

Параметры рассчитываются по следующим формулам:

.

- на сток и исток приходится по половине емкости диода Шотки, S – площадь металлического затвора.

- это – емкость плоского конденсатора, обкладками которого являются высоколегированные области стока и истока, а диэлектриком – низколегированная область канала.

- время пролета.