- •Правительство Российской Федерации
- •Содержание.
- •1.Специальная часть
- •1.1. Описание предметной области по характеристикам замкнутых сау
- •1.1.1. Частотные и логарифмические характеристики сау
- •1.1.2. Частотные показатели (оценки) качества сау
- •1.1.3. Оценка устойчивости сау по ее частотным и логарифмическим частотным характеристикам
- •1.2. Обоснование выбора программных и технических средств для реализации Интернет – подсистемы
- •1.3. Разработка обучающей подсистемы для лабораторного исследования характеристик замкнутых сау в среде интернет.
- •1.4. Разработка структуры меню обучающей подсистемы для лабораторного исследования характеристик замкнутых сау в среде интернет.
- •3.1. Полный допуск
- •3.2. Экспресс-допуск
- •1.5. Разработка методики обучения в Интернет – подсистеме по исследованию устойчивости сау
- •1.6. Разработка методики допуска к лабораторному исследованию устойчивости замкнутой сау с помощью частотных критериев устойчивости
- •1.7. Разработка методики лабораторного исследования устойчивости замкнутой сау
- •1.8. Разработка алгоритмического обеспечения Интернет – подсистемы для лабораторного исследования устойчивости сау
- •1.9. Разработка программного обеспечения обучающей подсистемы для лабораторного исследования характеристик замкнутых сау в среде интернет
- •1.10. Руководство разработчика обучающей подсистемы для лабораторного исследования характеристик замкнутых сау в среде интернет
- •1.11. Руководство пользователя обучающей подсистемы для лабораторного исследования характеристик замкнутых сау в среде интернет
- •1.11.2. Работа в режиме обучения
- •1.11.3. Работа в режиме допуска к лабораторному исследованию
- •1.11.4. Работа в режиме лабораторного исследования
- •2.Конструктивно – технологическая часть
- •2.1. Технический процесс изготовления приборов (имс) по кмдп технологии
- •2.2. Технологический процесс изготовления эпитаксиально – планарного транзистора Типы структур имс
- •Эпитаксия
- •3.Охрана труда
- •4. Экономическая часть
- •4.1. Технико-экономическое обоснование выбора темы.
- •4.2 Сметная стоимость темы
- •4.3 Оценка экономической эффективности проекта.
- •Заключение
- •Список литературы
1.11.4. Работа в режиме лабораторного исследования
Студент выбирает пункт меню Интернет подсистемы «Лабораторная работа» и в соответствии с номером варианта, заданным преподавателем, вводит рассчитанные им заранеекоэффициенты передаточных функций. Для этого ему необходимо из таблицы варианта выбрать значения , которые являются значениями коэффициентов усиления передаточных функций реальных устройств, и , которые являются значениями постоянных времен этих реальных устройств. Вид Интернет – страницы для ввода коэффициентов передаточных функций представлен на рис. 1.28.
Рис.1.28. Вид окна «Лабораторная работа» обучающей подсистемы для лабораторного исследования характеристик замкнутых САУ в среде интернет
Интернет – подсистема проводит моделирование частотных и логарифмических частотных характеристик замкнутой САУ.
После этого Интернет – подсистема проводит расчет частотных показателей (оценок) качества. В лабораторной работе рассматриваются следующие основные частотные оценки качества САУ: запас устойчивости по амплитуде (или по модулю) (в линейном масштабе) и (в логарифмическом масштабе); запас устойчивости по фазе ; показатель колебательности ; резонансная частота ; частота среза .
Заключительным этапом является оценка устойчивости САУ с помощью частотных критериев устойчивости при задании параметров передаточной функции замкнутой системы Ф(р).
2.Конструктивно – технологическая часть
2.1. Технический процесс изготовления приборов (имс) по кмдп технологии
Процесс изготовления ИМС состоит из определённого числа технологических операций и переходов, в результате которых из исходных материалов на пластине заданных размеров получаются готовые электронные функциональные устройства – микросхемы.
Специфической особенностью изготовления ИМС является интегрально – групповой метод производства. Суть его заключается в интеграции большого количества различных и однотипных элементов на едином технологическом носителе – пластине и в интеграции технологических процессов (операций) при групповых методах их проведения. Это означает, что за один технологический цикл одновременно создаётся не один, а множество ИМС.
Последовательность технологических операций при формировании структуры КМДП по самосовмещённой технологии приведена в таблице 2.1. Самосовмещённая технология – это такая технология , когда длина каналов обоих типов электропроводности уменьшается за счёт использования технологии подлегирования через специально сформированную маску из поликристаллического кремния, который выполняет роль затвора.
Таблица 2.1 Перечень, последовательность и номинальные параметры слоёв микросхем.
№ п.п. |
Наименование слоя |
Номер фотошаблона |
Номинальные параметры |
Примечание |
1 |
Исходный кристалл |
– |
КЭФ=4,5 (100) КЭФ=20 (100) |
|
2 |
Первичный термический окисел |
– |
d=0,40÷0,50 мкм |
|
3 |
Карман р-типа |
1 |
Na=1·10 см¯³ d=5÷8 мкм |
Выполняют фотолитографию «кармана» и двухстадийную диффузию «кармана» на необходимую глубину. |
4 |
Диффузионные р-слои (исток, сток, охранная область) |
2 |
rs=10÷25 Ом/ d=0,40÷0,50 мкм |
Выполняют фотолитографию и диффузию.
|
5 |
Диффузионные n-слои (исток, сток, охранная область) |
3 |
gs=10÷25 Ом/ d=1,4÷1,6 мкм |
|
6 |
Тонкий оксид |
4 |
d=0,09 ±0,01 мкм |
Проводят фотолитографию.
Выращивают тонкий слой окисла.
|
7 |
Поликристаллический кремний |
5 |
d=0,3÷0,6 мкм |
Наращивают специальную маску из поликристаллического кремния Si*.
|
8 |
Подлегирование областей истока – стока р-канального транзистора |
6 |
Na=1·10 см¯³ d=0,4 мкм |
|
9 |
Подлегирование областей истока – стока n-канального транзистора
|
7 |
Nд ≈1·10 см¯³ d =0,4 мкм | |
10 |
Межслойный диэлектрик |
– |
d≈0,5 мкм |
|
11 |
Контактные окна |
8 |
4×4 мкм |
Проводят фотолитографию – вскрытие окон под контакты.
|
12 |
Металлизация алюминием |
9 |
d=1,2÷0,2 мкм |
Создание внутрисхемных соединений путём металлизации алюминием.
|
13 |
Диэлектрический защитный слой |
10 |
d=0,5 ±0,2 мкм |
Пассивация – нанесение защитного покрытия, в котором фотолитографией вскрывают окна под периферийные контактные площадки.
|