МИНИСТЕРСТВО оБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Московский государственный институт электроники и математики
(Технический университет)
Кафедра “Электроника и электротехника”
Курсовая работа
на тему
«Расчет характеристик ТТЛ транзистора со сложным инвертором»
по дисциплине «Электроника»
Вариант 8
Выполнила: Голенок Е.А., С-43
Руководитель: Харитонов И.А.
Москва 2012
Задание
Описать принцип работы схемы.
Выбрать и описать технологию изготовления схемы.
Нарисовать топологию и разрез элементов схемы.
Рассчитать параметры элементов схемы.
С помощью программы Spiceрассчитать:
- передаточную характеристику схемы;
- переходную характеристику схемы;
- статическую и динамическую мощности, потребляемые схемой.
Нарисовать топологию всей схемы.
Определить параметры получившейся схемы.
Сравнить с аналогами, выпускаемыми промышленностью.
ТТЛ со сложным инвертором
Минимальный размер - 5 мкм
Исходные данные
|
Xjк |
2,5*10-6 |
Глубина залегания p-n перехода база-коллектор, м |
|
Xjэ |
1,5*10-6 |
Глубина залегания эмиттерного p-n перехода, м |
|
WБ |
1,5*10-6 |
Xjк- Xjэ Толщина активной базы, м |
|
Wэпи |
10*10-6 |
Толщина эпитаксиального слоя, м |
|
Xjn |
6*10-6 |
Толщина скрытого n+ слоя, м |
|
Nдэ(Xjэ) |
1*1023 |
Концентрация донорной примеси в эмиттерной области: у эмиттерного перехода, м-3 |
|
Nдэ(0) |
6*1026 |
Концентрация донорной примеси в эмиттерной области: на поверхности, м-3 |
|
Nаб(0) |
7*1024 |
Поверхностная концентрация акцепторов в базе, м-3 |
|
Nдк(0) |
9*1022 |
Концентрация донорной примеси в эпитаксиальной пленке коллектора, м-3 |
|
ρэпи |
1*10-3 |
Удельное объемное сопротивление коллекторной области, Омм |
|
ρБА |
5*103 |
Удельное поверхностное сопротивление активной области базы (под эмиттером), Ом/□ |
|
ρБП |
200 |
Удельное поверхностное сопротивление пассивной области базы (вне эмиттера), Ом/□ |
|
LpЭ |
5*10-6 |
Диффузионная длина дырок в эмиттере, м |
|
LnБ |
5*10-6 |
Диффузионная длина электронов в базе, м |
|
LpК |
5*10-6 |
Диффузионная длина дырок в коллекторе, м |
|
DnБ |
2*10-3 |
μn*φТ, Коэффициент диффузии электронов в базе, м2/с |
|
DpК |
1*10-3 |
μp*φТ, Коэффициент диффузии дырок в коллекторе, м2/с |
|
nj |
1.5*1016 (Si) 1.5*1012 (GaAs) |
Концентрация носителей зарядов в собственном полупроводнике, м-3 |
|
ε |
12 (Si) 3.8 (SiO2) 11 (GaAs) |
Относительная диэлектрическая проницаемость полупроводника, диэлектрика |
|
q |
1.6*10-19 |
заряд электрона, Кл |
|
μn |
8*10-2 (Si) |
Подвижность электронов, м2/(Вс) |
|
μp |
4*10-2 (Si) |
Подвижность дырок, м2/(Вс) |
|
Δ |
5*10-6 |
Минимальный размер, м |
|
φТ |
0,025 |
Тепловой потенциал, В |