- •Глава 1 8
- •Глава 6 66
- •Глава 7 70
- •Глава 8 84
- •Глава 9 101
- •Глава 10 106
- •Глава 11 131
- •Глава 12 153
- •Глава 13 173
- •Глава 14 200
- •Глава 15 219
- •Глава 16 244
- •Глава 17 247
- •17.1 Введение 247
- •Глава 18 266
- •Глава 19 268
- •Глава 20 280
- •Глава 1
- •1. Классификация и методы получения нанокластеров и наноструктур
- •1.1 Молекулярные кластеры
- •1.2 Газовые безлигандные кластеры
- •1.2.1 Источники получения кластеров
- •1.2.2 Масс-спектрометры и детектирование кластеров
- •1.3 Коллоидные кластеры
- •1.4 Твердотельные нанокластеры и наноструктуры
- •1.5 Матричные нанокластеры и супрамолекулярные наноструктуры
- •1.6 Кластерные кристаллы и фуллериты
- •1.7 Компактированные наносистемы и нанокомпозиты
- •1.8 Тонкие наноструктурированные пленки
- •1.9 Углеродные нанотрубки
- •Глава 2
- •2Общие положения
- •2.1Объекты и процессы нанотехнологий
- •2.2 Основная концепция нанотехнологии
- •2.2.1 Физико-химические основы нанотехнологии
- •Глава 3
- •3 Наночастицы, нанонаука, нанотехнология, нанофизика, нанохимия, наномеханика, нанобиология, наномедицина и т.Д., закон Мура
- •3.1 Механические свойства нанокристаллических материалов
- •Глава 4
- •4 Методы контроля аттестации наночастиц, наноизделий и наноструктурированных материалов
- •4.1Методы получения наноструктур
- •4.2 Методы получения наносистем
- •4.3 Особенности ультрадисперсных систем
- •Глава 5 Поверхностные эффекты в нанотехнологиях
- •5.1. Атомные и молекулярные орбитали
- •5.2 Поверхность монокристаллов, нанокластеров и пористых сорбентов
- •5.3 Примесные атомы на поверхности
- •5.4 Поверхность металлов и оксидов металлов (электронные свойства)
- •5.5 Поверхность металлов и оксидов металла (магнитные свойства)
- •5.6 Поверхностные центры кислотного и основного типа
- •5.7 Адсорбция
- •5.8 Примеры адсорбции
- •5.9 Адсорбция молекул воды и атомная динамика атомов железа в пористых ионообменниках.
- •5.10 Адсорбция воды и динамика кластеров воды и полимерной сетки.
- •5.11 Катализ. Примеры каталитических превращений с участием поверхности твердого тела и нанокластеров
- •Глава 6
- •6 Самосборка. Магические цифры. Замена построения синтеза объекта «сверху-вниз» на синтез «снизу-вверх»
- •Глава 7
- •7 Физика наночастиц и нанотехнологии, структура наночастиц. Кластеры
- •7.1 Молекулярные кластеры
- •7.2 Газовые безлигандные кластеры
- •7.2.1 Источники получения кластеров
- •7.2.2 Масс-спектрометры и детектирование кластеров
- •7.3 Коллоидные кластеры
- •7.4 Твердотельные нанокластеры и наноструктуры
- •7.5 Матричные нанокластеры и супрамолекулярные наноструктуры
- •7.6 Кластерные кристаллы и фуллериты
- •7.7 Компактированные наносистемы и нанокомпозиты
- •7.8 Тонкие наноструктурированные пленки
- •Глава 8
- •8 Наноструктурированные материалы. Кристаллизация пленок из растворов-расплавов
- •8.1 Разупорядоченные твердотельные структуры
- •8.1.1 Методы синтеза
- •8.1.2 Механизмы разрушения традиционных поликристаллических материалов
- •8.1.3 Механические свойства
- •8.1.4 Наноструктурированные многослойные материалы
- •8.1.5 Электрические свойства
- •8.1.6 Другие свойства
- •8.1.7 Металлические нанокластеры в оптических стеклах
- •8.1.8 Пористый кремний
- •8.2 Наноструктурированные кристаллы
- •8.2.1 Природные нанокристаллы
- •8.2.2 Теоретическое предсказание существования кристаллических решеток из нанокластеров
- •8.2.3 Упорядоченные структуры наночастиц в цеолитах
- •8.2.4 Кристаллы из металлических наночастиц
- •8.2.5 Упорядоченные решетки наночастиц в коллоидных суспензиях
- •8.2.6 Наноструктурированные кристаллы для фотоники
- •Глава 9
- •9 Механические свойства наноструктурированных материалов, закон Холла- Петча
- •9.1 Механизмы разрушения традиционных поликристаллических материалов
- •Глава 10
- •10 Проблема высокоплотной записи информации, «терабитный барьер» и атомная плотность записи порядка 103 Тбит/см2
- •10.1 Проект наномеханического вентиля
- •10.2 Наноэлектромеханический одноэлектронный транзистор с «механической рукой»
- •10.3 Наномеханическая память вскоре заменит традиционную магнитную
- •10.4 Механическая память на основе нэмс
- •10.5 «Многоножка» стартует с 10 Гб
- •10.6 Память объемом в 100 Гбайт благодаря нанотехнологиям
- •10.6.1Магнитная flash-память на основе углеродных нанотрубок
- •10.7 Открытые микрожидкостные и наножидкостные системы
- •10.8 Ученые построили первый наножидкостный транзистор для химических компьютеров
- •10.9 Сверхточный детектор массы и силы на основе нанотрубки
- •10.9.1 Датчик наноперемещений
- •10.9.2 Нэмс для взвешивания днк
- •10.10 Вращающийся нанопропеллер
- •10.10.1 Новый подход в наномоторах - использование силы поверхностного натяжения
- •10.11 Газовый наносенсор на основе проводящего полимера
- •10.11.1 Газовая нанотурбина
- •10.12 Продукты нанотехнологий завоевывают мировой рынок
- •10.13 Дисплеи нового поколения на мировом рынке
- •10.13.1 Первый цветной дисплей на нанотрубках от компании Motorola
- •10.14 Молекулярные машины вращают днк вдоль оси
- •10.15 Нановелосипед покажет себя на Tour de France
- •Глава 11
- •11 Термодинамические аспекты поверхности
- •11.1 Химический потенциал
- •11.2 Свободная энергия Гиббса и свободная энергия Гельмгольца
- •11.3 Термодинамика поверхности и поверхностей раздела
- •11.4 Термодинамика криволинейной поверхности
- •При равновесии
- •11.5 Структура поверхности и межфазных границ
- •11.6 Нуклеация и рост нанокластеров в нанопорах вещества
- •11.7 Нуклеация и рост кластеров гидроксида железа в нанопорах (экспериментальное приложение термодинамических параметров)
- •11.8 Нуклеация и рост кластеров на основе твердотельных реакций
- •11.9 Твердотельная нуклеация и рост кластеров. Пример термического разложения оксалата железа
- •Глава 12
- •12 Свойства индивидуальных металлических наночастиц
- •12.1 Определение и классификация
- •12.2 Основные параметры проводниковых материалов. Зависимость от состава проводника и внешних факторов
- •12.3 Перспективы развития
- •12.3.1 Основные ограничения и тенденции развития
- •12.4 Предельные размеры моп-приборов
- •12.4. 1 Законы подобия
- •12.5 Туннелирование
- •12.6 Ограничения, связанные со свойствами материалов
- •12.6.1 Ограничения, связанные с функционированием приборов
- •12.6.2 Ограничения ширины линий и резкости
- •12.7 Материал резистов
- •Глава 13
- •13.1 Определения и классификация
- •13.2 Собственные и примесные полупроводники
- •13.3 Особые электронные состояния в конденсированных средах
- •13.4 Основные параметры полупроводниковых материалов
- •13.5 Контакт электронного и дырочного полупроводников. Свойства электронно-дырочного перехода
- •Глава 14
- •14 Квантовые ямы, проволоки и точки. Приготовление квантовых наноструктур
- •14.1 Введение
- •14.2 Приготовление квантовых наноструктур
- •14.3 Эффекты, обусловленные размерами и размерностью нанообъектов
- •14.3.1 Размерные эффекты
- •14.3.2 Размерность объекта и электроны проводимости
- •14.3.3 Ферми-газ и плотность состояний
- •14.3.4 Потенциальные ямы
- •14.3.5 Частичная локализация
- •14.3.6 Свойства, зависящие от плотности состояний
- •14.4 Экситоны
- •14.5 Одноэлектронное туннелирование
- •14.6 Приложения
- •14.6.1 Инфракрасные детекторы
- •14.6.2 Лазеры на квантовых точках
- •14.7 Сверхпроводимость
- •Глава 15
- •15 Магнитные кластеры. Влияние наноструктурирования объемного материала на магнитные свойства. Динамика наномагнитов
- •15.1 Хранение информации наномагнитами
- •15.2 Выращивание наноуглеродных ферромагнетиков
- •15.3 Магнитосопротивление наноструктур
- •15.4 Ферромагнитные жидкости
- •15.5 Магнитные материалы и современная медицина
- •15. 6 Магнитные Поля и Тело человека
- •15.7 Доказательства и сомнения, адвокаты и скептики
- •15. 8 Магнитная терапия сегодня
- •15.8.1 Окончательные выводы преждевременны
- •15.8.2 Магнитно-резонансная томография
- •15.9 Магнитная стимуляция - помощь при лечении психических расстройств
- •15.10 Моторы на постоянных магнитах для сердечников
- •15.11 Магниты как проводники и манипуляторы для медицинских процедур
- •15.11.1 Магнитная жидкость поможет сохранить зрение
- •15.11.2 Магнитоуправляемые сепараторы
- •15.11.3 Магниты для извлечения игл и хранения хирургических инструментов
- •15.11.4 Магнито-жидкостная гипертермия
- •15.11.5 Магнитные наночастицы разрушают раковые клетки
- •15.12 Магнетизм и биология: практика и перспективы. Иглотерапия
- •15.13 Красные кровяные тельца и магнитная память
- •Глава 16
- •16 Кластеры атомов редких газов и молекулярные кластеры
- •16.1 Кластеры инертных газов
- •16.2 Сверхтекучие кластеры
- •16.3 Молекулярные кластеры
- •Глава 17 углеродные наноструктуры
- •17.1 Введение
- •17.2 Углеродные молекулы
- •17.2.1 Природа углеродной связи
- •17.3 Углеродные кластеры
- •17.3.1 Малые углеродные кластеры
- •17.3.2 Открытие фуллерена с60
- •17.3.3 Структура с60 и его кристаллов
- •17.3.4 С60, легированный щелочными металлами
- •17.3.5 Сверхпроводимость в с60
- •17.3.6 Фуллерены с числом атомов, большим или меньшим 60
- •17.3.7 Неуглеродные шарообразные молекулы
- •17.4 Углеродные нанотрубки
- •17.4.1 Методы получения
- •17.4.2 Структура
- •17.4.3 Электрические свойства
- •17.4.4 Колебательные свойства
- •17.4.5 Механические свойства
- •17.5 Применения углеродных нанотрубок
- •17.5.1 Полевая эмиссия и экранирование
- •17.5.2 Компьютеры
- •17.5.3 Топливные элементы
- •17.5.4 Химические сенсоры
- •17.5.5 Катализ
- •17.5.6 Механическое упрочнение
- •Глава 18
- •18 Основные принципы водородной энергетики
- •18.1 Принцип работы водородного топливного элемента (тэ)
- •Глава 19
- •19 Использование нанотрубки в качестве транзистора
- •19.1 Компания Infineon создала самый маленький в мире транзистор на нанотрубке
- •19.2 Ibm утроит производительность транзисторов
- •19.3 Транзистор с плавником от Infineon уменьшил flash-память
- •19.4 Сверхконденсаторы из углеродных нанотрубок
- •19.5 Фотонные транзисторы в кремниевом исполнении
- •19.6 Hp провозглашает конец кремниевой эры
- •19.7 Квантовый выключатель - основа будущей нанологики
- •19.8 Способ массового производства электронных схем на основе нанотрубок
- •19.9 Штампуя наносистемы
- •19.10 Компания tsmc объявила о промышленном выпуске чипов по 65-нанометровому техпроцессу к концу 2005 года
- •19.10.1 Hp избавит мир от транзисторов
- •Глава 20 Наномашины и наноприборы
- •20.1 Микроэлектромеханические системы (memSs)
- •20.2 Наноэлектромеханические системы (nemSs)
- •20.2.1. Изготовление
- •20.2.2 Наноприборы и наномашины
- •20.3 Молекулярные и супрамолекулярные переключатели
5.5 Поверхность металлов и оксидов металла (магнитные свойства)
Вы уже вероятно отметили специфику электронных свойств металлов и оксидов металлов, проявляющуюся в изменении электронной проводимости и структуре электронных зон. Электронная структура и структура зон позволяют рассмотреть также и магнитные свойства вещества. Все металлы характеризуются той или иной электропроводностью, но не все обладают магнитным упорядочением. К металлам, дающим магнитное упорядочение, относятся 3d и 4f металлы. Специфика этих металлов становится понятной из сравнения плотности состояний электронов в зонах при данной конфигурации металла.
На рис. 5.16 показано схематическое изображение плотности электронных состояний, включающих d- и s-состояния.
Для переходных Зd-металлов характерны узкие энергетические зоны и наличие нескомпенсированных атомных моментов. Например, Ni, Co, Fe обладают замкнутыми электронными оболочками Is, 2s, 2p, 3s и Зр, что соответствует отсутствию магнитного момента. Магнитные моменты дают только 3d- и 4s-уровни. Поскольку все состояния вплоть до уровня Ферми заполнены, то десять 3d + 4s-электронов Ni заполняют почти всю 3d-зону и часть 4s-зоны (рис. 5.16а).
В связи в тем, что d-зона очень узкая, плотность электронных состояний на границе, соответствующей EF, велика. Подобная же ситуация существует для Со с девятью электронами и Fe с восемью электронами. Совершенно другая ситуация соответствует Сu (рис. 5.166), где одиннадцать электронов соответствуют полностью заполненной d-зоне и уровень Ферми находится уже в s-зоне. Здесь плотность электронных состояний уже значительно меньше. В парамагнитном веществе эти зоны разбиваются на две подзоны со спинами, направленным в противоположные стороны, что приводит к компенсации суммарного магнитного момента. Действие внешнего магнитного поля приводит к разбалансировке магнитных моментов спинов атомов парамагнетика и к появлению суммарной намагниченности вещества. Для магнетика характерна спонтанная магнитная упорядоченность (намагниченность) ниже определенной температуры, например, температуры Кюри для ферромагнетиков. Тогда половина зоны должна обладать большим магнитным моментом, чем другая, что вызывается спонтанным переходом электронов из одного состояния в состояние с противоположным спином. Причина такого перехода связана с уменьшением суммарной энергии системы и связана с обменным взаимодействием между спинами атомов. Это коллективное взаимодействие может носить прямой характер, передаваться через электроны проводимости в металлах, например в железе, или носить характер обмена (сверх-обмена) через немагнитный атом (например, кислород) в оксидах металлов. Обменные взаимодействия вызываются перекрыванием молекулярных орбиталей и зависят от числа соседей. Поскольку поверхностный слой атомов или отдельный атом на поверхности имеют меньшее число связей, чем в объеме, следует ожидать уменьшения обменных взаимодействий.
Рис.
5.16. Плотности
функций электронных состояний g(Е)
в зависимости от энергии электронов в
перекрывающихся nd- и (n+
1)в -зонах: а) переходный d-металл; б)
нормальный металл. Заштрихованная
часть — уровни, занятые электронами в
основном состоянии, ЕF
— уровень Ферми при Т = 0 К
Величина обменных взаимодействий может быть оценена по температуре магнитного фазового перехода из магнитного состояния в парамагнитное, что ведет к уменьшению критических температур перехода Кюри (Тс) для ферромагнетиков и Нееля (TN) для антиферромагнетиков на поверхности. В ковалентных или ионных кристаллах с магнитным упорядочением существует, однако, переходный слой между пониженным обменным взаимодействием на поверхности и взаимодействиями, характерными для массивных твердых тел. Этот слой определяет магнитные свойства поверхности. В случае магнитных тонких пленок на поверхности немагнитного материала спонтанная намагниченность исчезает при толщине пленки всего 2 атомных слоя (0,5 ÷ 1,0 нм). В то же время подобные тонкие пленки на поверхности магнитных материалов обладают намагниченностью, но с меньшим магнитным моментом. В качестве примера можно рассмотреть свойства магнитной пленки оксида железа на поверхности металлического железа, что всегда актуально из-за процессов коррозии. Объектами исследования служили окисленные по поверхности нанокластеры железа .
Нанокластеры железа 12 Ч- 26 нм получались аэрозольным методом, затем окислялись на воздухе. Толщина оксида железа на поверхности варьировалась от 1,5 до 6 монослоев за счет изменения температуры окисления (150 ÷ 200° С) и времени выдержки на воздухе (1 ÷1.5 ч). На рис. 5.17 приведены мессбауэровские спектры нанокластеров при разных температурах измерения и при наложении внешних магнитных полей на образцы.
Рис.
5.17 Мессбауэровские
спектры нанокластеров железа с размерами
12 нм и 26 нм с оксидной пленкой на
поверхности при температурах измерения
Т = 80 ÷ 300 К и
в условиях наложения или отсутствия
внешнего магнитного поля Н = 0,3 Т
Толщина слоев оценивалась из сравнения спектральных площадей оксидной пленки и металлического нанокластера. Результаты свидетельствуют о том, что оксидный слой гамма-оксида железа толщиной 1 ÷ 2 нм уже обладает магнитным упорядочением, в спектрах отсутствует компонента, соответствующая немагнитному веществу, и, таким образом, отсутствуют немагнитные «мертвые» слои. Однако эффективное магнитное поле на 20 % меньше, чем в массивном γFe2O3 при Т = 300 К, а с уменьшением температуры это различие уменьшается до 7 %. Наложение внешнего магнитного поля 0,3 Тл на образец приводит к увеличению эффективного магнитного поля на ядре 57Fe. Можно попытаться рассчитать с помощью микроскопической модели спиновых волн значения намагниченности для тонких пленок и сравнить их с экспериментом. На рис. 5.18 приведены результаты расчета намагниченности методом спиновых волн с различными значениями поля анизотропии, в данном случае внешнего магнитного поля — Н = 0,1; 0,4 и 1 Т в зависимости от числа слоев D.
M = N μ [1-2/N · ∑1 / { exp [E(q) + 2 μH] / (kT)] –1} (5.3)
где N — число электронов с моментом μ, E(q) — энергия спиновой волны с волновым вектором q. При низких температурах наблюдается большее согласие теоретических данных с расчетными, что не удивительно для приближения спиновых волн.
Рис.
5.18. Относительные
значения эффективного магнитного
поля на ядрах железа в нанопленках
γFe2Оз
на поверхности нанокластеров железа
в зависимости от числа слоев оксида
железа — D. Расчетные значения — сплошные
линии: 1, 2 - Т = 77 К, Я = 1,0 и 0,1 Тл; 3, 4, 5 - Т =
300 К, Н = 1,0; 0,4 и 1Тл
