- •Глава 1 8
- •Глава 6 66
- •Глава 7 70
- •Глава 8 84
- •Глава 9 101
- •Глава 10 106
- •Глава 11 131
- •Глава 12 153
- •Глава 13 173
- •Глава 14 200
- •Глава 15 219
- •Глава 16 244
- •Глава 17 247
- •17.1 Введение 247
- •Глава 18 266
- •Глава 19 268
- •Глава 20 280
- •Глава 1
- •1. Классификация и методы получения нанокластеров и наноструктур
- •1.1 Молекулярные кластеры
- •1.2 Газовые безлигандные кластеры
- •1.2.1 Источники получения кластеров
- •1.2.2 Масс-спектрометры и детектирование кластеров
- •1.3 Коллоидные кластеры
- •1.4 Твердотельные нанокластеры и наноструктуры
- •1.5 Матричные нанокластеры и супрамолекулярные наноструктуры
- •1.6 Кластерные кристаллы и фуллериты
- •1.7 Компактированные наносистемы и нанокомпозиты
- •1.8 Тонкие наноструктурированные пленки
- •1.9 Углеродные нанотрубки
- •Глава 2
- •2Общие положения
- •2.1Объекты и процессы нанотехнологий
- •2.2 Основная концепция нанотехнологии
- •2.2.1 Физико-химические основы нанотехнологии
- •Глава 3
- •3 Наночастицы, нанонаука, нанотехнология, нанофизика, нанохимия, наномеханика, нанобиология, наномедицина и т.Д., закон Мура
- •3.1 Механические свойства нанокристаллических материалов
- •Глава 4
- •4 Методы контроля аттестации наночастиц, наноизделий и наноструктурированных материалов
- •4.1Методы получения наноструктур
- •4.2 Методы получения наносистем
- •4.3 Особенности ультрадисперсных систем
- •Глава 5 Поверхностные эффекты в нанотехнологиях
- •5.1. Атомные и молекулярные орбитали
- •5.2 Поверхность монокристаллов, нанокластеров и пористых сорбентов
- •5.3 Примесные атомы на поверхности
- •5.4 Поверхность металлов и оксидов металлов (электронные свойства)
- •5.5 Поверхность металлов и оксидов металла (магнитные свойства)
- •5.6 Поверхностные центры кислотного и основного типа
- •5.7 Адсорбция
- •5.8 Примеры адсорбции
- •5.9 Адсорбция молекул воды и атомная динамика атомов железа в пористых ионообменниках.
- •5.10 Адсорбция воды и динамика кластеров воды и полимерной сетки.
- •5.11 Катализ. Примеры каталитических превращений с участием поверхности твердого тела и нанокластеров
- •Глава 6
- •6 Самосборка. Магические цифры. Замена построения синтеза объекта «сверху-вниз» на синтез «снизу-вверх»
- •Глава 7
- •7 Физика наночастиц и нанотехнологии, структура наночастиц. Кластеры
- •7.1 Молекулярные кластеры
- •7.2 Газовые безлигандные кластеры
- •7.2.1 Источники получения кластеров
- •7.2.2 Масс-спектрометры и детектирование кластеров
- •7.3 Коллоидные кластеры
- •7.4 Твердотельные нанокластеры и наноструктуры
- •7.5 Матричные нанокластеры и супрамолекулярные наноструктуры
- •7.6 Кластерные кристаллы и фуллериты
- •7.7 Компактированные наносистемы и нанокомпозиты
- •7.8 Тонкие наноструктурированные пленки
- •Глава 8
- •8 Наноструктурированные материалы. Кристаллизация пленок из растворов-расплавов
- •8.1 Разупорядоченные твердотельные структуры
- •8.1.1 Методы синтеза
- •8.1.2 Механизмы разрушения традиционных поликристаллических материалов
- •8.1.3 Механические свойства
- •8.1.4 Наноструктурированные многослойные материалы
- •8.1.5 Электрические свойства
- •8.1.6 Другие свойства
- •8.1.7 Металлические нанокластеры в оптических стеклах
- •8.1.8 Пористый кремний
- •8.2 Наноструктурированные кристаллы
- •8.2.1 Природные нанокристаллы
- •8.2.2 Теоретическое предсказание существования кристаллических решеток из нанокластеров
- •8.2.3 Упорядоченные структуры наночастиц в цеолитах
- •8.2.4 Кристаллы из металлических наночастиц
- •8.2.5 Упорядоченные решетки наночастиц в коллоидных суспензиях
- •8.2.6 Наноструктурированные кристаллы для фотоники
- •Глава 9
- •9 Механические свойства наноструктурированных материалов, закон Холла- Петча
- •9.1 Механизмы разрушения традиционных поликристаллических материалов
- •Глава 10
- •10 Проблема высокоплотной записи информации, «терабитный барьер» и атомная плотность записи порядка 103 Тбит/см2
- •10.1 Проект наномеханического вентиля
- •10.2 Наноэлектромеханический одноэлектронный транзистор с «механической рукой»
- •10.3 Наномеханическая память вскоре заменит традиционную магнитную
- •10.4 Механическая память на основе нэмс
- •10.5 «Многоножка» стартует с 10 Гб
- •10.6 Память объемом в 100 Гбайт благодаря нанотехнологиям
- •10.6.1Магнитная flash-память на основе углеродных нанотрубок
- •10.7 Открытые микрожидкостные и наножидкостные системы
- •10.8 Ученые построили первый наножидкостный транзистор для химических компьютеров
- •10.9 Сверхточный детектор массы и силы на основе нанотрубки
- •10.9.1 Датчик наноперемещений
- •10.9.2 Нэмс для взвешивания днк
- •10.10 Вращающийся нанопропеллер
- •10.10.1 Новый подход в наномоторах - использование силы поверхностного натяжения
- •10.11 Газовый наносенсор на основе проводящего полимера
- •10.11.1 Газовая нанотурбина
- •10.12 Продукты нанотехнологий завоевывают мировой рынок
- •10.13 Дисплеи нового поколения на мировом рынке
- •10.13.1 Первый цветной дисплей на нанотрубках от компании Motorola
- •10.14 Молекулярные машины вращают днк вдоль оси
- •10.15 Нановелосипед покажет себя на Tour de France
- •Глава 11
- •11 Термодинамические аспекты поверхности
- •11.1 Химический потенциал
- •11.2 Свободная энергия Гиббса и свободная энергия Гельмгольца
- •11.3 Термодинамика поверхности и поверхностей раздела
- •11.4 Термодинамика криволинейной поверхности
- •При равновесии
- •11.5 Структура поверхности и межфазных границ
- •11.6 Нуклеация и рост нанокластеров в нанопорах вещества
- •11.7 Нуклеация и рост кластеров гидроксида железа в нанопорах (экспериментальное приложение термодинамических параметров)
- •11.8 Нуклеация и рост кластеров на основе твердотельных реакций
- •11.9 Твердотельная нуклеация и рост кластеров. Пример термического разложения оксалата железа
- •Глава 12
- •12 Свойства индивидуальных металлических наночастиц
- •12.1 Определение и классификация
- •12.2 Основные параметры проводниковых материалов. Зависимость от состава проводника и внешних факторов
- •12.3 Перспективы развития
- •12.3.1 Основные ограничения и тенденции развития
- •12.4 Предельные размеры моп-приборов
- •12.4. 1 Законы подобия
- •12.5 Туннелирование
- •12.6 Ограничения, связанные со свойствами материалов
- •12.6.1 Ограничения, связанные с функционированием приборов
- •12.6.2 Ограничения ширины линий и резкости
- •12.7 Материал резистов
- •Глава 13
- •13.1 Определения и классификация
- •13.2 Собственные и примесные полупроводники
- •13.3 Особые электронные состояния в конденсированных средах
- •13.4 Основные параметры полупроводниковых материалов
- •13.5 Контакт электронного и дырочного полупроводников. Свойства электронно-дырочного перехода
- •Глава 14
- •14 Квантовые ямы, проволоки и точки. Приготовление квантовых наноструктур
- •14.1 Введение
- •14.2 Приготовление квантовых наноструктур
- •14.3 Эффекты, обусловленные размерами и размерностью нанообъектов
- •14.3.1 Размерные эффекты
- •14.3.2 Размерность объекта и электроны проводимости
- •14.3.3 Ферми-газ и плотность состояний
- •14.3.4 Потенциальные ямы
- •14.3.5 Частичная локализация
- •14.3.6 Свойства, зависящие от плотности состояний
- •14.4 Экситоны
- •14.5 Одноэлектронное туннелирование
- •14.6 Приложения
- •14.6.1 Инфракрасные детекторы
- •14.6.2 Лазеры на квантовых точках
- •14.7 Сверхпроводимость
- •Глава 15
- •15 Магнитные кластеры. Влияние наноструктурирования объемного материала на магнитные свойства. Динамика наномагнитов
- •15.1 Хранение информации наномагнитами
- •15.2 Выращивание наноуглеродных ферромагнетиков
- •15.3 Магнитосопротивление наноструктур
- •15.4 Ферромагнитные жидкости
- •15.5 Магнитные материалы и современная медицина
- •15. 6 Магнитные Поля и Тело человека
- •15.7 Доказательства и сомнения, адвокаты и скептики
- •15. 8 Магнитная терапия сегодня
- •15.8.1 Окончательные выводы преждевременны
- •15.8.2 Магнитно-резонансная томография
- •15.9 Магнитная стимуляция - помощь при лечении психических расстройств
- •15.10 Моторы на постоянных магнитах для сердечников
- •15.11 Магниты как проводники и манипуляторы для медицинских процедур
- •15.11.1 Магнитная жидкость поможет сохранить зрение
- •15.11.2 Магнитоуправляемые сепараторы
- •15.11.3 Магниты для извлечения игл и хранения хирургических инструментов
- •15.11.4 Магнито-жидкостная гипертермия
- •15.11.5 Магнитные наночастицы разрушают раковые клетки
- •15.12 Магнетизм и биология: практика и перспективы. Иглотерапия
- •15.13 Красные кровяные тельца и магнитная память
- •Глава 16
- •16 Кластеры атомов редких газов и молекулярные кластеры
- •16.1 Кластеры инертных газов
- •16.2 Сверхтекучие кластеры
- •16.3 Молекулярные кластеры
- •Глава 17 углеродные наноструктуры
- •17.1 Введение
- •17.2 Углеродные молекулы
- •17.2.1 Природа углеродной связи
- •17.3 Углеродные кластеры
- •17.3.1 Малые углеродные кластеры
- •17.3.2 Открытие фуллерена с60
- •17.3.3 Структура с60 и его кристаллов
- •17.3.4 С60, легированный щелочными металлами
- •17.3.5 Сверхпроводимость в с60
- •17.3.6 Фуллерены с числом атомов, большим или меньшим 60
- •17.3.7 Неуглеродные шарообразные молекулы
- •17.4 Углеродные нанотрубки
- •17.4.1 Методы получения
- •17.4.2 Структура
- •17.4.3 Электрические свойства
- •17.4.4 Колебательные свойства
- •17.4.5 Механические свойства
- •17.5 Применения углеродных нанотрубок
- •17.5.1 Полевая эмиссия и экранирование
- •17.5.2 Компьютеры
- •17.5.3 Топливные элементы
- •17.5.4 Химические сенсоры
- •17.5.5 Катализ
- •17.5.6 Механическое упрочнение
- •Глава 18
- •18 Основные принципы водородной энергетики
- •18.1 Принцип работы водородного топливного элемента (тэ)
- •Глава 19
- •19 Использование нанотрубки в качестве транзистора
- •19.1 Компания Infineon создала самый маленький в мире транзистор на нанотрубке
- •19.2 Ibm утроит производительность транзисторов
- •19.3 Транзистор с плавником от Infineon уменьшил flash-память
- •19.4 Сверхконденсаторы из углеродных нанотрубок
- •19.5 Фотонные транзисторы в кремниевом исполнении
- •19.6 Hp провозглашает конец кремниевой эры
- •19.7 Квантовый выключатель - основа будущей нанологики
- •19.8 Способ массового производства электронных схем на основе нанотрубок
- •19.9 Штампуя наносистемы
- •19.10 Компания tsmc объявила о промышленном выпуске чипов по 65-нанометровому техпроцессу к концу 2005 года
- •19.10.1 Hp избавит мир от транзисторов
- •Глава 20 Наномашины и наноприборы
- •20.1 Микроэлектромеханические системы (memSs)
- •20.2 Наноэлектромеханические системы (nemSs)
- •20.2.1. Изготовление
- •20.2.2 Наноприборы и наномашины
- •20.3 Молекулярные и супрамолекулярные переключатели
5.3 Примесные атомы на поверхности
Примесные атомы на поверхности играют важную, а иногда и определяющую роль для характеристики поверхности или даже всего твердого тела. Особое значение имеют атомы переходных металлов в катализе. Существуют две особенности примесных атомов: первое, как уже отмечалось ранее в, это изменение симметрии координации и координационного числа и второе — способность атомов собираться в нанокластеры. Весьма поучительно ознакомиться с этими свойствами на конкретных примерах, например, поведения переходных металлов на поверхности оксидов.
Ионы Ni на поверхности MgO (Ni x Mg 1-x O). Электронная конфигурация и координация Ni на поверхности отличаются от объемной: в твердом теле Ni 2+ находится в октаэдрической координации, а на поверхности часть ионов находятся в тетраэдрическом окружении, другая же часть ионов в виде Ni 3+ — в соединении с гидроксилами ОН-.
Ионы Со2+ на поверхности MgO. Ионы Со2+ также образуют центры с пониженной координацией. Кроме этого, ионы Со способны агрегировать в кластеры с числом атомов до несколько десятков на поверхности образуя связи Со2+— О2- — Со2+. Образование кластеров при низкой температуре подтверждено данными магнитной восприимчивости. Нагрев поверхности приводит к концентрационной диффузии атомов Со, превращая кластеры в изолированные атомы.
Ионы Сr на поверхности А12О3. Как мы видели ранее, оксид алюминия может быть в различных модификациях, например в виде α- или γ-модификации в зависимости от температуры обработки. Поэтому координация и валентное состояние Сr зависит от состояния поверхности корунда — α -модификации — или шпинели — γ-модификации. Кроме того, состояние атома Сr на поверхности определяется его атомной концентрацией. Ионы Сr 5+ могут существовать в виде координационно укороченной пирамиды Cr5+О -5, в которой один из атомов кислорода имеет укороченную связь перпендикулярно плоскости четырех остальных атомов кислорода. Это состояние преобладает для концентраций 1 ÷ 5 % хрома и вакуу-мировании при 300° С. В интервале концентраций 5 ÷ 10 % существуют димеры типа Сr3+—О—Сr3+, которые могут преобразовываться в димеры типа Сr2+—О—Сr4+. Дальнейшее увеличение концентрации ведет к образованию оксидных кластеров хрома. При низкой концентрации хрома 1÷2 % и при температуре прокаливания 500° С проявляется состояние Сr6+, которое при увеличении концентрации выше 5 % переходит в Сr3+.
Ионы Мо на поверхности А12Оз и MgO. Ионы Мо могут находятся на поверхности этих оксидов в виде Мо4+, Мо5+ и Мо6+.
При низких концентрациях (<6%) ионы Мо6+ образуют тетраэд-рическую координацию в виде (МоО4)3-. .При увеличении концентрации образуются вначале ионы Мо6+ в октаэдрической координации, а затем кластеры МоОз. При восстановлении ионов Мо6+ образуются ионы Мо в более низких валентных состояниях. В качестве примера подобных переходов можно привести схему, использующую биядерный центр, включающий Мо5+, который затем диспропорционирует на Мо6+ и Мо4+ (см. рис. 5.9).
Рис.
5.9. Схема
восстановления Мо6+
Сигнал Мо5+ хорошо обнаруживается с помощью ЭПР при восстановлении Мо/А12Оз систем, проходя через максимум. Однако Мо4+ не дает сигнала ЭПР, а оптические спектры неоднозначны. Прямое доказательство образования Мо4+ при восстановлении дают спектры РФЭС. На рис. 5.10 приведены спектры частично восстановленных наносистем.
Рис.
5.10. РФЭС
спектры линий Mo (3d3/2
÷3d5/2)
Для наносистемы МоО3—А12О3
при восстановлении и частичном окислении:
а) 2 ч в Н2
при 460° С; б) то же +5 мин на воздухе; в) то
же + 20 мин на воздухе: 1 - Мо4+;
2 - Мо5+;
3
- Мо6+;
4 -суммарный спектр
Энергия связи 3d 3/2-уровней Мо6+ равна 233,05 эВ, Мо4+ — 230,2 эВ, промежуточное положение соответствует Мо5+. Эти данные демонстрируют легкость переходов между Мо6+ и Мо5+. Восстановление Мо6+ ведет к образованию кластеров MoOx / MgO, включающих 50 ÷100 ионов Мо5+. Размер кластера практически не меняется при увеличении концентрации МоОз от 1 до 6%, но растет число кластеров. Для поверхности MgO размер кластера МоОз определялся размерами нанограней микрозерен MgO — (20 ÷ 25 нм). На поверхности А12Оз рост кластеров продолжается при тех же концентрациях до более крупных размеров.
Ионы Сr на поверхности SiO2. Ионы Сr замещают гидроксильные группы на поверхности силикагеля образуя структуру — SK^CrOOH, включающую Сr5+. Наблюдается также состояние Сr6+, соответствующее структуре (СrO4)2- или (СrО7)2-. Температура прокаливания, как и в случае поверхности оксида алюминия, влияет на образование и распад Сr6+, так, увеличение температуры приводит к уменьшению концентрации Сr6+ и увеличению концентрации Сr3+. При 400° С происходит, по-видимому, образование нанокластеров на поверхности силикагеля в виде Сr2О3.
Ионы Ti3+ на поверхности ТiO2. При восстановлении поверхности рутила (TiO2) появляются ионы Ti3+, наблюдаемые с помощью ЭПР. Окисление образцов сопровождается исчезновением этого сигнала. Координация Ti3+ на поверхности различна для рутила и анатаза: для рутила это квадратная пирамида, для анатаза — тетраэдр.
Весьма наглядно прослеживается образование кластеров, включающих Ti3+, на поверхности с помощью ЭПР. Этот результат следует из изучения ширины и формы спектральной линии. На рис. 5.11 а, б показан спектр ЭПР для Ti3+ и зависимость ширины этой линии от концентрации центров Ti3+ на поверхности.
Необходимо отметить отсутствие температурной зависимости ширины линии ЭПР — ∆Н в области температур 77 ÷ 327 К, что свидетельствует о том, что форма линии не определяется спин-решеточной релаксацией. В данном случае величина ∆Н определится концентрационными зависимостями и спин-спиновой релаксацией Т2 типа ∆Н SS = ANs, где А — константа, определяющая диполь-дипольные взаимодействия между спинами ионов Ti3+ a Ns — концентрация спинов на единицу поверхности. Концентрационная зависимость ∆Н показана на рис. 5.11б.
Рис.
5.8. Структурные изображения целитов
А(а)
и Х (б)
Рис.
5.11. Спектр ЭПР от иона Ti3+
в рутиле при 77 К (а)
и зависимость ширины линии ∆НSS
от концентрации Ti3+
Ns
(б)
Для концентраций NS ≈ 1013 см-2 при равномерно-хаотическом распределении ионов расчетная оценка ∆НSS ≈1 Гс. Однако результаты эксперимента более чем на порядок превосходят эту величину. Кроме того, существует область концентраций Ti3+ , когда величина ∆НSS постоянна. Это наводит на мысль, что локальная концентрация отличается от средней. Так может быть тогда, когда ионы Ti3+ собираются в кластеры, а не рассеиваются по поверхности. Эта зависимость представляет также пример, который будет повторятся и дальше, когда увеличение концентрации ионов ведет сначала к увеличению числа кластеров, включающих эти ионы, а не к росту размеров самих кластеров. При дальнейшем увеличении концентрации происходит рост размеров самих кластеров.
Поверхность ТiO2 исследовалась с помощью СТМ в ее модификации сканирующей, туннельной, колебательной спектроскопии. Такие спектры, как отмечалось ранее, содержат линии, соответствующие одноквантовым и многоквантовый переходам, и позволяют идентифицировать отдельные атомы на поверхности. Колебательный спектр ТiO2 (см. рис. 5.12) — J(V) — состоит из отдельных полос с шагом 0,01 ÷0,05 эВ.
Сравнение измеренных колебательных спектров (0,1 эВ) .с известными для TiО2 (ħω ≈ 0,09 эВ) позволяет идентифицировать эти линии с колебательными переходами связи Ti— О. Наблюдались также колебательные линии с ħω ≈ 0,27 эВ и 0,4 эВ, которые можно отнести к колебательным переходам в адсорбированных молекулах воды и радикалах ОН.
Рис.
5.12. Колебательный
туннельный поверхности
ТiO2
(ħω=0.1
эВ)
Атомы Со на поверхности W. Ограничение числа атомных связей на поверхности приводит к повышению их подвижности. Для количественного определения размеров атомного движения используются среднеквадратичные смешения атомов u2, которые определяются, например, с помощью мессбауэровской спектроскопии из рассмотрения вероятности эффекта Мессбауэра и нормированной площади под спектром. Так, для атомов 57Со на поверхности вольфрама с помощью эмиссионной мессбауэровской спектроскопии было обнаружено два типа атомов: продиффундировавшие внутрь и находящиеся на поверхности (см. рис. 5.13).
Получены два спектра для направлений пучка гамма-квантов перпендикулярно поверхности θ = 0 и под углом θ = 60°. Предполагается, что каждый спектр состоит из трех линий — дублета, ответственного за атомы Со на поверхности, и синглета, соответствующего атомам Со внутри твердого тела. Дублет Со на поверхности W несимметричен, что связано с анизотропией колебаний атомов вдоль поверхности и перпендикулярно ей. Оказалось, что u2, на поверхности вольфрама возрастает по сравнению с внутренними атомами u2S / u2V = 2,5 и, кроме того, z2S / x2V, = 1,9, т.е. среднеквадратичная амплитуда атомов Со перпендикулярно поверхности почти вдвое превышает эту величину для колебаний вдоль поверхности.
Подобные результаты u2S / u2V ≈ 2 получены также методами ДМЭ при энергии электронов от 40 до 240 эВ для ряда поверхностей металлов, например серебра.
Рис.
5.13. Мессбауэровские
спектры 57Со
на поверхности W
для θ = 0 и θ = 60° при комнатной температуре.
Поглотитель K4[Fe(CN)6]
2H2O
Рис. 5.8.
