- •Светотехника. Электрические источники света
- •390005, Рязань, ул. Гагарина, 59/1.
- •В ведение
- •1. Краткая историческая справка. Этапы развития техники электрического освещения
- •2. Закономерности световых потоков
- •2.1. Классификация электромагнитных потоков излучения
- •2.2. Параметры излучения модели абсолютно черного тела
- •2.3.2. Теплообмен излучением в системе реальных тел
- •2.3. Закономерности теплообмена излучением
- •2.3.1. Теплообмен излучением для тел со свойствами абсолютно черного тела
- •2.4. Оптические методы измерения температуры нагретых тел
- •2.5. Параметры излучения оптических систем
- •2.6. Параметры излучения видимого диапазона
- •Яркость освещенных поверхностей (кд/м2)
- •Освещенность (лк)
- •Яркость (кд/м2)
- •2.7. Теоретические основы колориметрии
- •3. Лампы накаливания (тепловые источники излучения)
- •3.1. Применение ламп накаливания
- •3.2. Конструктивные особенности ламп накаливания
- •Коэффициент теплопроводности газов при температуре 400 к и давлении 1 атм
- •3.3. Лампы с йодным циклом (галогенные лампы)
- •3.4. Основы техники инфракрасного нагрева
- •4. Газоразрядные источники света
- •4.1. Общие свойства газоразрядных источников света
- •4.2. Классификация газоразрядных источников света
- •4.3. Энергетические характеристики излучения газового разряда
- •4.4. Параметры электрического режима газового разряда
- •4.4.1. Параметры тлеющего разряда
- •4.4.2. Параметры дугового разряда
- •4.5. Спектральные характеристики паров ртути
- •4.6. Излучение люминофоров
- •4.6.1. Общие закономерности излучения люминофоров
- •4.6.2. Энергетическая структура люминофоров
- •4.6.3. Технология получения люминесцирующего покрытия
- •Свойства основных люминофоров
- •4.7. Лампы тлеющего разряда
- •4.8. Люминесцентные лампы дугового разряда с термоактивным катодом
- •4.8.1. Конструктивные особенности ламп
- •4.8.2. Электрические схемы питания ламп дневного света
- •4.8.3. Особенности эксплуатационного режима ламп дневного света
- •4.9. Компактные и энергоэкономичные люминесцентные лампы
- •Параметры узкополосных люминофоров
- •4.10. Ртутные лампы высокого и сверхвысокого давления
- •4.10.1. Ртутные лампы высокого давления (дрт)
- •4.10.2. Ртутные лампы высокого давления с люминесцирующим покрытием
- •4.10.3. Ртутно-вольфрамовые лампы
- •4.10.4. Ртутные лампы сверхвысокого давления
- •4.11. Металлогалогенные лампы
- •4.12. Натриевые лампы
- •4.12.1. Натриевые лампы низкого давления
- •4.12.2. Натриевые лампы высокого давления
- •4.13. Ксеноновые лампы
- •4.14. Лампы специального назначения
- •4.14.1. Лампы тлеющего свечения
- •4.14.2. Спектральные лампы
- •4.15. Импульсные источники света
- •4.15.1. Основы теории импульсных источников света
- •Пробои типа a, b и c
- •Пробои типа e
- •4 .15.2. Конструктивные особенности газоразрядных ламп импульсного действия
- •Параметры импульсных ламп трубчатой конструкции
- •Возможные варианты охлаждения ламп накачки твердотельных лазеров
- •Дуговые (Kr)
- •Параметры импульсных ламп шаровой конструкции
- •4.16. Безэлектродные источники света (лампы с вч возбуждением разряда – разряд типа d)
- •4.16.1. Безэлектродные лампы с ртутным наполнением
- •Параметры безэлектродных ламп
- •4.16.2. Лампы сверхвысокого давления на парах серы
- •Спектральные характеристики различных источников света
- •Параметры первых образцов серных ламп
- •4.17. Источники ультрафиолетового излучения на эксимерных соединениях (эксилампы)
- •Длины волн основных переходов эксиплексных молекул
- •Длины волн переходов эксимерных и гомоядерных молекул
- •5. Твердотельные источники света (светодиоды)
- •Материал активной области современных светодиодов
- •5.1. Физические основы твердотельных источников света
- •Обеспечение высокого кпд свтодиодов
- •Инжекционный кпд ηинж
- •Внутренний квантовый выход ηген
- •Внешний квантовый выход ηизл
- •5 .2. Проблемы создания светодиодов белого цвета
- •5.2.1. Системы rgb
- •5.2.2. Светодиоды с использованием люминофоров
- •5.3. Органические светодиоды (oled)
- •5.3.1. Принцип действия
- •Преимущества в сравнении c плазменными дисплеями:
- •Дисплеями:
- •5.3.2. Основные направления исследований разработчиков oled-панелей
- •Трудности:
- •Библиографический список
Внешний квантовый выход ηизл
Внешний квантовый выход определяет, какое количество фотонов, возникших при излучательной рекомбинации, выходит из светодиода в окружающее пространство.
Часть сгенерированных фотонов вновь поглощается активным элементом. Наиболее интенсивное поглощение свойственно прямозонным полупроводникам. Поглощение происходит в активной области, но активная область имеет небольшие размеры. Однако барьерные слои в полупроводнике с двойной гетероструктурой, несмотря на большие размеры, не поглощают возникшее излучение благодаря широкой запрещенной зоне.
Потери
излучения могут быть связаны с экранирующим
действием электрических контактов. Для
уменьшения таких потерь устанавливают
промежуточный слой, обеспечивающий
растекание электронного тока за счет
его высокой проводимости и высокой
прозрачности (рис.5.7). Непосредственно
под поверхностью электрического контакта
формируют также область с высоким
удельным сопротивлением с тем, чтобы
восп
репятствовать
формированию излучения под металлическим
контактом.
Внешний квантовый выход существенно повышается при использовании зеркальных возможностей многослойной структуры в виде нескольких слоев из четвертьволновых пленок с чередующимися показателями преломления (зеркала Брэга). Иногда устанавливается двусторонняя система зеркал, одно из этих зеркал может быть чисто металлическим. Такая система зеркал образует резонатор Фабри-Перо. Такие светодиоды по своим параметрам приближаются к полупроводниковым лазерам.
Большое значение в обеспечении высокого внешнего квантового выхода имеют конструктивные особенности защитного корпуса. Корпус светодиода предназначен, в первую очередь, для защиты активной среды от внешних воздействий влаги и механических факторов. Материал корпуса должен обладать высокой химической и коррозийной стойкостью, высокой твердостью и формоваться при невысоких температурах.
В состав корпуса входят два электрических вывода и оптически прозрачное окно. Корпус мощного светодиода содержит также теплоотвотводящие элементы. Материалы для окон должны обладать высокой коррозийной стойкостью, механической прочностью, герметичностью и определенным коэффициентом преломления. В качестве материала используются эпоксидные смолы, силиконовые полимеры и полиметилметакрилаты (оргстекло).
От величины показателя преломления зависят угловое распределение выходящего светового потока и угол падения излучения на внутреннюю сторону полимерного окна, выше которого поток подавляется из-за полного внутреннего отражения. Из закона Снеллиуса
φmax = arcsin(1/ ňs),
где ňs – показатель преломления материала окна.
Из этого соотношения следует, что только часть света, генерируемая внутри полупроводника, может выйти за его пределы:
Pген/Pизл = 0,5[1 – cos(φmax)].
При
сферической форме выходного окна и
малых размерах активной области
(приближение к точечному источнику)
угол падения никогда не достигает
указанной величины, и практически все
излучение активной области выходит в
окружающее пространство. Типичные
варианты констр
укции
светодиодов показаны на рис. 5.8, а и б.
Как видно из рис. 5.8, а, кристалл маломощного светодиода крепится выводами вверх, приклеивается или припаивается на дне чашеобразного углубления (чашка отражателя), обладающего высокой отражательной способностью. С этой целью в качестве материала чашки используется проводящая эпоксидная смола (эпоксидная смола с наполнителем из серебряного порошка). Корпус чашки обычно соединяется с отрицательным полюсом источника питания (катодный вывод). Провод к верхнему контакту соединен со вторым выводом (анодом). В маломощных светодиодах корпуса, как правило, имеют форму полусфер, поэтому лучи выходящего света попадают на границу раздела корпус – воздух по нормали к поверхности. Благодаря этому не возникают потери на полное внутреннее отражение.
Плоские поверхности используют, когда предполагается однонаправленный световой поток. Такие светодиоды могут использоваться в устройствах, соединяемых с установкой светодиода заодно с оптическим световодом.
Корпус мощного светодиода (рис.5.8, б) обладает тремя особенностями. Во-первых, в его состав входит алюминиевый или медный радиатор, к которому с помощью припоя крепится кристалл светодиода. Во-вторых, кристалл светодиода герметизируется силиконом, обеспечивающим отсутствие механических напряжений во время эксплуатации. На силикон наносится пластиковое покрытие, играющее роль линзы. В-третьих, кремниевая подложка, на которую крепится светодиод, обеспечивает защиту от электростатического разряда.
