- •Светотехника. Электрические источники света
- •390005, Рязань, ул. Гагарина, 59/1.
- •В ведение
- •1. Краткая историческая справка. Этапы развития техники электрического освещения
- •2. Закономерности световых потоков
- •2.1. Классификация электромагнитных потоков излучения
- •2.2. Параметры излучения модели абсолютно черного тела
- •2.3.2. Теплообмен излучением в системе реальных тел
- •2.3. Закономерности теплообмена излучением
- •2.3.1. Теплообмен излучением для тел со свойствами абсолютно черного тела
- •2.4. Оптические методы измерения температуры нагретых тел
- •2.5. Параметры излучения оптических систем
- •2.6. Параметры излучения видимого диапазона
- •Яркость освещенных поверхностей (кд/м2)
- •Освещенность (лк)
- •Яркость (кд/м2)
- •2.7. Теоретические основы колориметрии
- •3. Лампы накаливания (тепловые источники излучения)
- •3.1. Применение ламп накаливания
- •3.2. Конструктивные особенности ламп накаливания
- •Коэффициент теплопроводности газов при температуре 400 к и давлении 1 атм
- •3.3. Лампы с йодным циклом (галогенные лампы)
- •3.4. Основы техники инфракрасного нагрева
- •4. Газоразрядные источники света
- •4.1. Общие свойства газоразрядных источников света
- •4.2. Классификация газоразрядных источников света
- •4.3. Энергетические характеристики излучения газового разряда
- •4.4. Параметры электрического режима газового разряда
- •4.4.1. Параметры тлеющего разряда
- •4.4.2. Параметры дугового разряда
- •4.5. Спектральные характеристики паров ртути
- •4.6. Излучение люминофоров
- •4.6.1. Общие закономерности излучения люминофоров
- •4.6.2. Энергетическая структура люминофоров
- •4.6.3. Технология получения люминесцирующего покрытия
- •Свойства основных люминофоров
- •4.7. Лампы тлеющего разряда
- •4.8. Люминесцентные лампы дугового разряда с термоактивным катодом
- •4.8.1. Конструктивные особенности ламп
- •4.8.2. Электрические схемы питания ламп дневного света
- •4.8.3. Особенности эксплуатационного режима ламп дневного света
- •4.9. Компактные и энергоэкономичные люминесцентные лампы
- •Параметры узкополосных люминофоров
- •4.10. Ртутные лампы высокого и сверхвысокого давления
- •4.10.1. Ртутные лампы высокого давления (дрт)
- •4.10.2. Ртутные лампы высокого давления с люминесцирующим покрытием
- •4.10.3. Ртутно-вольфрамовые лампы
- •4.10.4. Ртутные лампы сверхвысокого давления
- •4.11. Металлогалогенные лампы
- •4.12. Натриевые лампы
- •4.12.1. Натриевые лампы низкого давления
- •4.12.2. Натриевые лампы высокого давления
- •4.13. Ксеноновые лампы
- •4.14. Лампы специального назначения
- •4.14.1. Лампы тлеющего свечения
- •4.14.2. Спектральные лампы
- •4.15. Импульсные источники света
- •4.15.1. Основы теории импульсных источников света
- •Пробои типа a, b и c
- •Пробои типа e
- •4 .15.2. Конструктивные особенности газоразрядных ламп импульсного действия
- •Параметры импульсных ламп трубчатой конструкции
- •Возможные варианты охлаждения ламп накачки твердотельных лазеров
- •Дуговые (Kr)
- •Параметры импульсных ламп шаровой конструкции
- •4.16. Безэлектродные источники света (лампы с вч возбуждением разряда – разряд типа d)
- •4.16.1. Безэлектродные лампы с ртутным наполнением
- •Параметры безэлектродных ламп
- •4.16.2. Лампы сверхвысокого давления на парах серы
- •Спектральные характеристики различных источников света
- •Параметры первых образцов серных ламп
- •4.17. Источники ультрафиолетового излучения на эксимерных соединениях (эксилампы)
- •Длины волн основных переходов эксиплексных молекул
- •Длины волн переходов эксимерных и гомоядерных молекул
- •5. Твердотельные источники света (светодиоды)
- •Материал активной области современных светодиодов
- •5.1. Физические основы твердотельных источников света
- •Обеспечение высокого кпд свтодиодов
- •Инжекционный кпд ηинж
- •Внутренний квантовый выход ηген
- •Внешний квантовый выход ηизл
- •5 .2. Проблемы создания светодиодов белого цвета
- •5.2.1. Системы rgb
- •5.2.2. Светодиоды с использованием люминофоров
- •5.3. Органические светодиоды (oled)
- •5.3.1. Принцип действия
- •Преимущества в сравнении c плазменными дисплеями:
- •Дисплеями:
- •5.3.2. Основные направления исследований разработчиков oled-панелей
- •Трудности:
- •Библиографический список
Параметры первых образцов серных ламп
Тип лампы |
Pэс, кВт |
Pсвч, кВт |
Ф, клм |
η, лм/Вт |
Rа |
Tц, К |
Образец в ОУ MASM (1994) |
5,9 |
3,1 |
445 |
75 |
86 |
6300 |
Усовершенствованный образец (1995/96) |
5,1 |
3,1 |
480 |
94 |
86 |
6000 |
Solar 1000TM (1996) |
1,4 |
1,0 |
135 |
96 |
79 |
6000 |
Light-driver 1000TM (1997-1998) |
1,4 |
1,0 |
140 |
100 |
79 |
6000 |
В настоящее время ведутся интенсивные исследования по дальнейшему усовершенствованию серных ламп в нашей стране и за рубежом.
4.17. Источники ультрафиолетового излучения на эксимерных соединениях (эксилампы)
В эксилампах используются рабочие среды, составленные из смеси инертных газов с галогенами. Невозбужденный инертный газ состоит из отдельных атомов. При формировании плазмы газового разряда в плазменном шнуре образуются молекулы из атомов инертного газа и галогенов. Излучение формируется на энергии релаксации электронных состояний в образовавшихся молекулах эксимерных (состоящих только из атомов инертного газа) и эксиплексных (состоящих из атомов инертного газа и галогена) соединений. Эксимерные и эксиплексные молекулы – неустойчивые состояния, существующие лишь в плазме газового разряда. Они имеют малое время жизни и при переходе в основное состояние вновь распадаются на отдельные атомы.
Впервые энергетические переходы в эксимерных структурах были использованы для создания мощных источников монохроматического излучения в области ближнего ультрафиолета – в эксимерных лазерах. Для обеспечения высокого уровня монохроматичности в состав активной среды эксимерных лазеров входят атомы только одного какого-либо инертного газа. Излучение формируется на основе вынужденных переходов.
В отличие от эксимерных лазеров в активную среду эксиламп, помимо инертных газов, входят также молекулы галогенной группы. Излучение происходит одновременно на нескольких переходах и носит спонтанный характер.
Оптические переходы в эксилампах происходят из нижних возбужденных состояний (B, C, D – рис. 4.61) в основное (разлетные – A и слабосвязанные – X состояния). Наиболее интенсивные линии излучения соответствуют переходу B – X.
Э
ксиплексные
молекулы образуются в результате
взаимодействия возбужденных атомов
инертного газа с молекулами галогенов,
состоящих из одинаковых атомов Y2
либо находящихся в химически связанном
состоянии с другими атомами TY.
Атом инертного газа в возбужденном
состоянии похож на атом щелочного
металла, следующего за инертным. Этот
атом легко ионизуется. В силу высокого
сродства к электрону галогена такой
электрон легко отрывается и при
столкновении атомов охотно перепрыгивает
на новую орбиту, объединяющую атомы,
осуществляя тем самым так называемые
«гарпунные реакции»:
R* + TY{Y2} → (RY)* + T{Y}.
Возможен также процесс ион-ионной рекомбинации положительно заряженных атомов либо молекул инертного газа (R+ , R2+) с отрицательным ионом галогена Y:
R+{R2+} + Y- + M → (RY)* + M + {R}.
В этих формулах TY, Y2 – галогеносодержащие молекулы, Y – атом галогена, М – третья частица, уносящая избыток энергии. В качестве частицы M могут выступать атомы рабочего или «буферного» инертного газа.
Линии излучения указанных выше групп для наиболее распространенных эксиплексных молекул представлены в табл. 4.19.
Образование эксимерных соединений происходит в тех случаях, когда, по крайней мере, один из атомов инертного газа переходит в возбужденное состояние, даже при условии, когда оба атома одинаковы. Если при столкновении хотя бы один из атомов находится в возбужденном электронном состоянии, нарушается симметрия электронных оболочек. Тогда при столкновении возникает возможность перескока одного электрона на орбиту, окружающую оба атома, что приводит к возникновению химической связи и формированию димера. Так как время жизни электронного возбуждения заметно больше времени пролета электрона, число возбужденных димеров быстро увеличивается. После гибели электронного возбуждения атомы возвращаются в основное состояние, а димер разрушается.
Таблица 4.19
