- •Светотехника. Электрические источники света
- •390005, Рязань, ул. Гагарина, 59/1.
- •В ведение
- •1. Краткая историческая справка. Этапы развития техники электрического освещения
- •2. Закономерности световых потоков
- •2.1. Классификация электромагнитных потоков излучения
- •2.2. Параметры излучения модели абсолютно черного тела
- •2.3.2. Теплообмен излучением в системе реальных тел
- •2.3. Закономерности теплообмена излучением
- •2.3.1. Теплообмен излучением для тел со свойствами абсолютно черного тела
- •2.4. Оптические методы измерения температуры нагретых тел
- •2.5. Параметры излучения оптических систем
- •2.6. Параметры излучения видимого диапазона
- •Яркость освещенных поверхностей (кд/м2)
- •Освещенность (лк)
- •Яркость (кд/м2)
- •2.7. Теоретические основы колориметрии
- •3. Лампы накаливания (тепловые источники излучения)
- •3.1. Применение ламп накаливания
- •3.2. Конструктивные особенности ламп накаливания
- •Коэффициент теплопроводности газов при температуре 400 к и давлении 1 атм
- •3.3. Лампы с йодным циклом (галогенные лампы)
- •3.4. Основы техники инфракрасного нагрева
- •4. Газоразрядные источники света
- •4.1. Общие свойства газоразрядных источников света
- •4.2. Классификация газоразрядных источников света
- •4.3. Энергетические характеристики излучения газового разряда
- •4.4. Параметры электрического режима газового разряда
- •4.4.1. Параметры тлеющего разряда
- •4.4.2. Параметры дугового разряда
- •4.5. Спектральные характеристики паров ртути
- •4.6. Излучение люминофоров
- •4.6.1. Общие закономерности излучения люминофоров
- •4.6.2. Энергетическая структура люминофоров
- •4.6.3. Технология получения люминесцирующего покрытия
- •Свойства основных люминофоров
- •4.7. Лампы тлеющего разряда
- •4.8. Люминесцентные лампы дугового разряда с термоактивным катодом
- •4.8.1. Конструктивные особенности ламп
- •4.8.2. Электрические схемы питания ламп дневного света
- •4.8.3. Особенности эксплуатационного режима ламп дневного света
- •4.9. Компактные и энергоэкономичные люминесцентные лампы
- •Параметры узкополосных люминофоров
- •4.10. Ртутные лампы высокого и сверхвысокого давления
- •4.10.1. Ртутные лампы высокого давления (дрт)
- •4.10.2. Ртутные лампы высокого давления с люминесцирующим покрытием
- •4.10.3. Ртутно-вольфрамовые лампы
- •4.10.4. Ртутные лампы сверхвысокого давления
- •4.11. Металлогалогенные лампы
- •4.12. Натриевые лампы
- •4.12.1. Натриевые лампы низкого давления
- •4.12.2. Натриевые лампы высокого давления
- •4.13. Ксеноновые лампы
- •4.14. Лампы специального назначения
- •4.14.1. Лампы тлеющего свечения
- •4.14.2. Спектральные лампы
- •4.15. Импульсные источники света
- •4.15.1. Основы теории импульсных источников света
- •Пробои типа a, b и c
- •Пробои типа e
- •4 .15.2. Конструктивные особенности газоразрядных ламп импульсного действия
- •Параметры импульсных ламп трубчатой конструкции
- •Возможные варианты охлаждения ламп накачки твердотельных лазеров
- •Дуговые (Kr)
- •Параметры импульсных ламп шаровой конструкции
- •4.16. Безэлектродные источники света (лампы с вч возбуждением разряда – разряд типа d)
- •4.16.1. Безэлектродные лампы с ртутным наполнением
- •Параметры безэлектродных ламп
- •4.16.2. Лампы сверхвысокого давления на парах серы
- •Спектральные характеристики различных источников света
- •Параметры первых образцов серных ламп
- •4.17. Источники ультрафиолетового излучения на эксимерных соединениях (эксилампы)
- •Длины волн основных переходов эксиплексных молекул
- •Длины волн переходов эксимерных и гомоядерных молекул
- •5. Твердотельные источники света (светодиоды)
- •Материал активной области современных светодиодов
- •5.1. Физические основы твердотельных источников света
- •Обеспечение высокого кпд свтодиодов
- •Инжекционный кпд ηинж
- •Внутренний квантовый выход ηген
- •Внешний квантовый выход ηизл
- •5 .2. Проблемы создания светодиодов белого цвета
- •5.2.1. Системы rgb
- •5.2.2. Светодиоды с использованием люминофоров
- •5.3. Органические светодиоды (oled)
- •5.3.1. Принцип действия
- •Преимущества в сравнении c плазменными дисплеями:
- •Дисплеями:
- •5.3.2. Основные направления исследований разработчиков oled-панелей
- •Трудности:
- •Библиографический список
4.15. Импульсные источники света
4.15.1. Основы теории импульсных источников света
Области применения импульсных источников света
Фотовспышки.
Проблесковые огни летательных аппаратов, морских и речных судов.
Стробоскопические устройства.
Системы накачки твердотельных лазеров.
Декоративные устройства (световые эффекты).
Основные требования к импульсным источникам света:
быстродействие;
высокая яркость (в зависимости от области применения);
малые габариты;
соответствующий спектральный состав;
большой срок службы (по числу вспышек).
Газоразрядные лампы импульсного действия функционируют в основном при повышенных давлениях рабочего газа. В этих условиях переход от несамостоятельного газового разряда к самостоятельному всегда сопровождается быстро протекающим физическим процессом, характеризуемым понятием «электрический пробой».
Предлагается следующая классификация типов электрического пробоя при высоком давлении.
А – пробои при малых превышениях статического пробивного напряжения, небольших межэлектродных расстояниях, слабой неоднородности электрического поля и в отсутствие внешней ионизации.
B – статический пробой длинных промежутков (типа молнии) либо при сильно неоднородном электрическом поле.
C – пробой при кратковременной подаче на электроды напряжения, значительно превышающего напряжение пробоя в статическом режиме (импульсный пробой).
D – высокочастотный пробой (случай, когда частота прикладываемого напряжения соответствует частоте соударения газовых частиц).
E – пробой при подаче напряжения на вспомогательный электрод, создающий начальный разряд, инициирующий пробой основного разрядного промежутка.
Создание математической модели процессов, протекающих в газоразрядном промежутке при электрическом пробое, затруднено в силу следующих особенностей.
Многие процессы развития газового пробоя носят весьма крутой – экспоненциальный характер (ионизация электронным ударом, фотоионизация и т.д.).
Наличие в газовом столбе многочисленных циклических процессов.
Затруднены и экспериментальные исследования, поскольку неотъемлемой особенностью газоразрядных процессов является следующее.
Кратковременность отдельных стадий развития пробоя.
Изменение ряда параметров разряда в очень широком диапазоне (в сотни и тысячи раз), создающее большие трудности при выборе техники измерения.
Большие искажения в измерительной цепи, возникающие под воздействием пространственного заряда в районе установки электрических зондов.
Пробои типа a, b и c
В настоящее время практикуется два подхода к описанию процесса развития электрических пробоев типа A, B и C.
Таунсендовский механизм «раскачивания» ионизации газового столба. В соответствии с этим методом просматривается размножение зарядов, образующихся после того, как появились первые случайно возникшие одиночные электроны. Под воздействием электрического поля электроны разгоняются и, набрав определенную скорость, при столкновении с нейтральными атомами переводят их в ионизированное состояние (α-процесс, главным образом вблизи анода), после чего появляются новые электроны. При высоких потенциалах ионы, двигающиеся к катоду, способны вызвать ионизацию нейтральных атомов (β-процесс). Образующееся в разряде свечение способно вызвать объемную фотоионизацию (η-процесс). Ионы, подлетающие к катоду, вызывают вторичную ионно-электронную эмиссию (γ-процесс). Свечение разряда вызывает фотоэлектронную эмиссию с катода (δ-процесс). Возрастание эмиссии связано также с воздействием возбужденных атомов на катод (ε-процесс).
Последние два фактора можно рассматривать как составляющие γ-процесса. Фотоионизацию – как часть α-процесса. В этом случае условия возникновения пробоя представляются в виде:
(α γ + β)e(α + β)l = (1+ γ) α,
где l – длина межэлектродного промежутка.
Обычно β << α и условия возникновения пробоя приобретают вид:
γ(eαl –1) = 1,
широко используемый в теории газоразрядных приборов.
Таунсендовский механизм справедлив при не слишком больших давлениях, когда нет еще стягивания (контрагирования) разряда в тонкий проводящий канал.
При больших давлениях преимущественно рассматривается так называемая стримерная модель развития пробоя.
В соответствии со стримерной моделью основным этапом развития газового разряда является лавинообразное распространение плазменного канала в межэлектродном пространстве.
При больших значениях давления газа и межэлектродного расстояния напряжение зажигания разряда велико и электронная лавина, инициированная выходящими из катода электронами, развивается очень интенсивно. За счет этого в головке лавины вблизи анода создается высокая концентрация электронов и ионов, которые могут рекомбинировать между собой. Энергия, выделяющаяся при рекомбинации, частично излучается в виде фотонов. Возникающая под действием фотонов ионизация захватывает все области межэлектродного промежутка. В результате рождаются новые «дочерние» лавины. В лавине формируется большой пространственный заряд ионов. В результате по направлению к катоду быстро перемещается фронт ионизованного газа – «стример». Момент пробоя соответствует состоянию, когда стример замыкает межэлектродный промежуток. Время формирования пробоя становится приблизительно равным времени пролета промежутка одной электронной лавиной.
Напряжение горения – достаточно стабильная величина. При изменении питающего напряжения изменяется только ток разряда. Отмечаются участки, когда разряд отсутствует и прерывается свечение. Частота импульсов свечения в два раза выше частоты питающего напряжения из-за симметрии условий горения.
Д
уговой
разряд может поддерживаться термоэмиссией
катода с подогревом электрическим током
и последующим саморазогревом энергией
ионной бомбардировки. Этому режиму
соответствуют невысокий уровень давления
и сравнительно небольшое энерговыделение.
Условия развития стримерной модели пробоя зависят от расстояния между электродами, давления газа и его состава. При малых межэлектродных расстояниях l и небольшом превышении прикладываемого напряжения ΔU над напряжением статического пробоя Uст проявляется таунсендовская модель развития пробоя (разряд типа A). По мере увеличения межэлектродного расстояния стримерный механизм (разряд типа C) возникает уже при небольших значениях ΔU/Uст и переходит в разряд типа B. Например, для сухого воздуха при атмосферном давлении и плоских электродах переход в разряд типа B возникает при межэлектродном расстоянии 6 см (рис. 4.50).
