- •Светотехника. Электрические источники света
- •390005, Рязань, ул. Гагарина, 59/1.
- •В ведение
- •1. Краткая историческая справка. Этапы развития техники электрического освещения
- •2. Закономерности световых потоков
- •2.1. Классификация электромагнитных потоков излучения
- •2.2. Параметры излучения модели абсолютно черного тела
- •2.3. Закономерности теплообмена излучением
- •2.3.1. Теплообмен излучением для тел со свойствами абсолютно черного тела
- •2.3.2. Теплообмен излучением в системе реальных тел
- •2.4. Оптические методы измерения температуры нагретых тел
- •2.5. Параметры излучения оптических систем
- •2.6. Параметры излучения видимого диапазона
- •Яркость освещенных поверхностей (кд/м2)
- •Освещенность (лк)
- •Яркость (кд/м2)
- •2.7. Теоретические основы колориметрии
- •3. Лампы накаливания (тепловые источники излучения)
- •3.1. Применение ламп накаливания
- •3.2. Конструктивные особенности ламп накаливания
- •Коэффициент теплопроводности газов при температуре 400 к и давлении 1 атм
- •3.3. Лампы с йодным циклом (галогенные лампы)
- •3.4. Основы техники инфракрасного нагрева
- •4. Газоразрядные источники света
- •4.1. Общие свойства газоразрядных источников света
- •4.2. Классификация газоразрядных источников света
- •4.3. Энергетические характеристики излучения газового разряда
- •4.4. Параметры электрического режима газового разряда
- •4.4.1. Параметры тлеющего разряда
- •4.4.2. Параметры дугового разряда
- •4.5. Спектральные характеристики паров ртути
- •4.6. Излучение люминофоров
- •4.6.1. Общие закономерности излучения люминофоров
- •4.6.2. Энергетическая структура люминофоров
- •4.6.3. Технология получения люминесцирующего покрытия
- •Свойства основных люминофоров
- •4.7. Лампы тлеющего разряда
- •4.8. Люминесцентные лампы дугового разряда с термоактивным катодом
- •4.8.1. Конструктивные особенности ламп
- •4.8.2. Электрические схемы питания ламп дневного света
- •4.8.3. Особенности эксплуатационного режима ламп дневного света
- •4.9. Компактные и энергоэкономичные люминесцентные лампы
- •Параметры узкополосных люминофоров
- •4.10. Ртутные лампы высокого и сверхвысокого давления
- •4.10.1. Ртутные лампы высокого давления (дрт)
- •4.10.2. Ртутные лампы высокого давления с люминесцирующим покрытием
- •4.10.3. Ртутно-вольфрамовые лампы
- •4.10.4. Ртутные лампы сверхвысокого давления
- •4.11. Металлогалогенные лампы
- •4.12. Натриевые лампы
- •4.12.1. Натриевые лампы низкого давления
- •4.12.2. Натриевые лампы высокого давления
- •4.13. Ксеноновые лампы
- •4.14. Лампы специального назначения
- •4.14.1. Лампы тлеющего свечения
- •4.14.2. Спектральные лампы
- •4.15. Импульсные источники света
- •4.15.1. Основы теории импульсных источников света
- •Пробои типа a, b и c
- •Пробои типа e
- •4 .15.2. Конструктивные особенности газоразрядных ламп импульсного действия
- •Параметры импульсных ламп трубчатой конструкции
- •Возможные варианты охлаждения ламп накачки твердотельных лазеров
- •Дуговые (Kr)
- •Параметры импульсных ламп шаровой конструкции
- •4.16. Безэлектродные источники света (лампы с вч возбуждением разряда – разряд типа d)
- •4.16.1. Безэлектродные лампы с ртутным наполнением
- •Параметры безэлектродных ламп
- •4.16.2. Лампы сверхвысокого давления на парах серы
- •Спектральные характеристики различных источников света
- •Параметры первых образцов серных ламп
- •4.17. Источники ультрафиолетового излучения на эксимерных соединениях (эксилампы)
- •Длины волн основных переходов эксиплексных молекул
- •Длины волн переходов эксимерных и гомоядерных молекул
- •5. Твердотельные источники света (светодиоды)
- •Материал активной области современных светодиодов
- •5.1. Физические основы твердотельных источников света
- •Обеспечение высокого кпд свтодиодов
- •Инжекционный кпд ηинж
- •Внутренний квантовый выход ηген
- •Внешний квантовый выход ηизл
- •5 .2. Проблемы создания светодиодов белого цвета
- •5.2.1. Системы rgb
- •5.2.2. Светодиоды с использованием люминофоров
- •5.3. Органические светодиоды (oled)
- •5.3.1. Принцип действия
- •Преимущества в сравнении c плазменными дисплеями:
- •Дисплеями:
- •5.3.2. Основные направления исследований разработчиков oled-панелей
- •Трудности:
- •Библиографический список
4.6.2. Энергетическая структура люминофоров
П
о
компонентному составу люминофоры
представляют собой так называемые
кристаллофосфоры – полупроводники
с большой шириной запрещенной зоны,
содержащие активирующие примеси в
основном из тяжелых металлов и
редкоземельных элементов. Для нанесения
на подложку кристаллофосфоры в
порошкообразном состоянии смешиваются
с легкоплавкими соединениями – плавнями
(соединения типа NaCl, KCl,
NaNo3). Плавни
способствуют кристаллизации
кристаллофосфоров и равномерности
компонентного состава.
Упрощенное изображение энергетической структуры люминофора с описанием типичных вариантов энергетических переходов поясняется на рис. 4.13.
Благодаря тому, что в состав активаторов входят достаточно сложные по составу химические соединения, в запрещенной зоне кристаллофосфора формируются многочисленные энергетические уровни с донорными и акцепторными свойствами. В силу особенностей производства и благодаря наличию дополнительных компонент – в первую очередь, плавней в энергетической структуре запрещенной зоны возникают также глубокие и мелкие ловушки. Между отдельными уровнями возможны оптически разрешенные энергетические переходы. Но формируются и уровни с большим временем жизни, расселение которых происходит только путем безызлучательной релаксации.
Основной причиной безызлучательных переходов является наличие в энергетической зоне глубоких ловушек, обусловленных свойствами активирующих присадок и дефектами кристаллической решетки. При повышении температуры вероятность безызлучательных переходов заметно возрастает. Одновременно возрастает интенсивность оптических переходов в инфракрасной области. В результате общая интенсивность излучения в видимой области падает. Этот процесс называется «тепловым тушением люминесценции». Процесс теплового тушения описывается соотношением
,
где Ф(0) – поток люминесценции при нулевой температуре; C – константа, определяемая свойствами конкретного люминофора; T – температура люминофора в кельвинах; k – постоянная Больцмана; ET – энергия активации тушения.
Основные требования к люминофорам
1. Высокая светоотдача.
2. Соответствующий спектральный состав излучения.
3. Низкая стоимость.
4. Определенное время послесвечения.
5. Устойчивость к воздействию УФ излучения и химическая стойкость к ионной бомбардировке и парам катодного распыления. (Большой срок службы.)
6. Устойчивость к воздействию высоких температур. (Большая энергия теплового тушения.)
7. Низкое давление насыщенных паров.
8. Химическая и механическая устойчивость к технологической обработке.
9. Технологичность.
4.6.3. Технология получения люминесцирующего покрытия
Технология люминесцирующих покрытий предусматривает следующие этапы создания люминофора и нанесения люминесцирующего покрытия на подложку.
Очистка исходных продуктов от различных примесей.
Составление шихты (перемол исходных продуктов, просеивание, смешивание с плавнями).
Прокалка шихты при температуре 700 … 1400 0С для кристаллизации материала люминофора.
Дробление, просеивание, сортировка по гранулометрическому составу.
Составление суспензии – смешивание шихты с биндером на лаковой, спиртовой или водяной основе. Второй промол в шаровых мельницах.
Нанесение суспензии на стеклянную подложку. Осуществляется путем пульверизации либо полива. (Поверхность стекла предварительно протравливается плавиковой кислотой для придания шероховатости.)
С
ушка
люминофора. В случае суспензии на
лаковой основе производится выжигание
биндера в окислительной атмосфере.
Покрытие должно быть однородным и строго определенной толщины. Зависимость светового потока люминесценции от толщины покрытия δ нелинейная. Закономерность изменения потока имеет разный вид в зависимости от направления облучения возбуждающего потока (рис. 4.14).
При наблюдении со стороны падающего потока интенсивность люминесцирующего излучения монотонно растет до некоторого предельного значения, что обусловлено поглощением как падающего на люминофор потока возбуждения, так и выходящего в результате люминесценции.
При наблюдении излучения на просвет излучение люминофора вначале растет, увеличивается число центров излучения, затем начинает монотонно падать из-за поглощения материалом люминофора.
Светотехнические характеристики люминесцирующих покрытий отражаются в их наименовании, хотя единой системы обозначений для выпускаемых люминесцирующих материалов в настоящее время нет. Имеются лишь отдельные варианты обозначения марок люминофоров в зависимости от назначения и компонентного состава. Первой буквой обычно стоит Л, обозначающая, что это – люминофор. Затем может стоять буква Ф, если это фотолюминофор, К – если это катодолюминофор и т.д. Второй или третьей может стоять буква Г, если в качестве кристаллофосфора используется галофосфат кальция. Параметры наиболее распространенных люминофоров, используемых в газосветных лампах, представлены в табл. 4.3.
При оценке цветности излучения следует учитывать вклад линий излучения ртути в видимой области: 436 нм – синий цвет, 405 нм – фиолетовый, 546 нм – зеленый, 578 нм – желтый.
Таблица 4.3
