
- •Глава I
- •§ 1. Электростатическое поле проводников
- •§ 2. Энергия электростатического поля проводников
- •§ 3. Методы решения электростатических задач
- •2 Л. Д. Ландау, е. М. Лифшиц
- •§ 4. Проводящий эллипсоид
- •§ 5. Силы, действующие на проводник
- •Глава II
- •§ 6. Электростатическое поле в диэлектриках
- •§ 7. Диэлектрическая проницаемость
- •§ 8. Диэлектрический эллипсоид
- •§ 9. Диэлектрическая проницаемость смеси
- •§ 10. Термодинамические соотношения для диэлектриков в электрическом поле
- •§ 11. Полная свободная энергия диэлектрического тела
- •§12. Электрострикция изотропных диэлектриков
- •§ 13. Диэлектрические свойства кристаллов
- •§ 14. Положительность диэлектрической восприимчивости
- •§ 15. Электрические силы в жидком диэлектрике
- •§ 16. Электрические силы в твердых телах
- •§17. Пьезоэлектрики
- •§ 18. Термодинамические неравенства
- •§ 19. Сегнетоэлектрики
- •§ 20. Несобственные сегнетоэлектрики
- •Глава III
- •§ 21. Плотность тока и проводимость
- •§ 22. Эффект Холла
- •§ 23. Контактная разность потенциалов
- •§ 24. Гальванический элемент
- •§ 25. Электрокапиллярность
- •§ 26. Термоэлектрические явления
- •§ 27. Термогальваномагнитные явления
- •§ 28. Диффузионно-электрические явления
- •Глава IV
- •§ 29. Постоянное магнитное поле
- •§ 30. Магнитное поле постоянных токов
- •§ 31. Термодинамические соотношения в магнитном поле
- •§ 32. Полная свободная энергия магнетика
- •§ 33. Энергия системы токов
- •§ 34. Самоиндукция линейных проводников
- •§ 35. Силы в магнитном поле
- •§ 36. Гиромагнитные явления
- •Глава V
- •§ 37. Магнитная симметрия кристаллов
- •§ 38. Магнитные классы и пространственные группы
- •§ 39. Ферромагнетик вблизи точки Кюри
- •§ 40. Энергия магнитной анизотропии
- •§ 41. Кривая намагничения ферромагнетиков
- •§ 42. Магнитострикция ферромагнетиков
- •§ 43. Поверхностное натяжение доменной стенки
- •§ 44. Доменная структура ферромагнетиков
- •§ 45. Однодоменные частицы
- •§ 46. Ориентационные переходы
- •§ 47. Флуктуации в ферромагнетике
- •§ 48. Антиферромагнетик вблизи точки Кюри
- •§ 49. Бикритическая точка антиферромагнетика
- •§ 50. Слабый ферромагнетизм
- •§ 51. Пьезомагнетизм и магнитоэлектрический эффект
- •§ 52. Геликоидальная магнитная структура
- •Глава VI
- •§ 53. Магнитные свойства сверхпроводников
- •§ 54. Сверхпроводящий ток
- •§ 55. Критическое поле
- •2) Мы приводим здесь вычисления с большей точностью, чем это обычно требуется, имея в виду выявить более ясно взаимоотношение между различными термодинамическими величинами.
- •§ 56. Промежуточное состояние
- •§ 57. Структура промежуточного состояния
- •Глава VII
- •§ 58. Уравнения квазистационарного поля
- •§ 59. Глубина проникновения магнитного поля в проводник
- •VaRe{a6*}.
- •§ 60. Скин-эффект
- •§ 61. Комплексное сопротивление
- •§ 62. Емкость в цепи квазистационарного тока
- •§ 63. Движение проводника в магнитном поле
- •0 Из этой формулы видно, что дополнительное тепло, выделяющееся (в течение времени 60 в проводнике при его движении в магнитном поле, есть
- •§ 64. Возбуждение тока ускорением
- •Глава VIII
- •§ 65. Уравнения движения жидкости в магнитном поле
- •§65] Уравнения движения жидкости в магнитном поле 315
- •§66] Диссипативные процессы в магнитной гидродинамике 317
- •§ 66. Диссипативные процессы в магнитной гидродинамике
- •§ 67. Магнитогидродинамическое течение между параллельными плоскостями
- •§ 68. Равновесные конфигурации
- •§ 69. Магнитогидродинамические волны
- •VX&0, Vytt—hjV4пр ,
- •§ 70. Условия на разрывах
- •§ 71. Тангенциальные и вращательные разрывы
- •§ 72. Ударные волны
- •§ 73. Условие эволюционности ударных волн
- •§ 74. Турбулентное динамо
- •Глава IX
- •§ 75. Уравнения поля в диэлектриках в отсутствие дисперсии
- •§ 76. Электродинамика движущихся диэлектриков
- •§ 77. Дисперсия диэлектрической проницаемости
- •§ 78. Диэлектрическая проницаемость при очень больших частотах
- •§ 79. Дисперсия магнитной проницаемости
- •§ 80. Энергия поля в диспергирующих средах
- •§ 81. Тензор напряжений в диспергирующих средах
- •§ 82. Аналитические свойства функции е(со)
- •§ 83. Плоская монохроматическая волна
- •§ 84. Прозрачные среды
- •Глава X
- •§ 85. Геометрическая оптика
- •§ 86. Отражение и преломление волн
- •§ 87. Поверхностный импеданс металлов
- •§ 88. Распространение волн в неоднородной среде
- •§ 89. Принцип взаимности
- •§ 90. Электромагнитные колебания в полых резонаторах
- •§ 91. Распространение электромагнитных волн в волноводах
- •§ 92. Рассеяние электромагнитных волн на малых частицах
- •§ 93. Поглощение электромагнитных волн на малых частицах
- •§ 94. Дифракция на клине
- •§ 95. Дифракция на плоском экране
- •Глава XI
- •§ 96. Диэлектрическая проницаемость кристаллов
- •§ 97. Плоская волна в анизотропной среде
- •§ 98. Оптические свойства одноосных кристаллов
- •§ 99. Двухосные кристаллы
- •§ 100. Двойное преломление в электрическом поле
- •§ 101. Магнитооптические эффекты
- •§ 102. Динамооптические явления
- •Pfffi р 1
- •Глава XII
- •§ 103. Пространственная дисперсия
- •§ 104. Естественная оптическая активность
- •§ 105. Пространственная дисперсия в оптически неактивных средах
- •§ 106. Пространственная дисперсия вблизи линии поглощения
- •Глава XIII
- •§ 107. Преобразование частот в нелинейных средах
- •§ 108. Нелинейная проницаемость
- •§ 109. Самофокусировка
- •§111. Сильные электромагнитные волны
- •§112. Вынужденное комбинационное рассеяние
- •Глава XIV
- •§ 113. Ионизационные потери быстрых частиц в веществе. Нерелятивистский случай
- •§ 114. Ионизационные потери быстрых частиц в веществе. Релятивистский случай
- •§ 115. Излучение Черенкова
- •§ 116. Переходное излучение
- •Глава XV
- •§ 117. Общая теория рассеяния в изотропных средах
- •§ 118. Принцип детального равновесия при рассеянии
- •§ 119. Рассеяние с малым изменением частоты
- •§ 120. Рэлеевское рассеяние в газах и жидкостях
- •§ 121. Критическая опалесценция
- •§ 122. Рассеяние в жидких кристаллах
- •§ 123. Рассеяние в аморфных твердых телах
- •§123] Рассеяние в аморфных твердых телах 595
- •§ 124. Общая теория дифракции рентгеновых лучей
- •§ 125. Интегральная интенсивность
- •§ 126] Диффузное тепловое рассеяние рентгеновых лучей
- •§ 126. Диффузное тепловое рассеяние рентгеновых лучей
- •§ 127. Температурная зависимость сечения дифракции
§ 83. Плоская монохроматическая волна
Уравнения Максвелла (77,2) для монохроматического поля гласят:
г'сор (со) Н = с rot Е, icoe(co)E = —crotH. (83,1)
Эти уравнения сами по себе составляют полную систему, так как уравнения (77,1) следуют из них автоматически, и потому не должны рассматриваться отдельно. Предполагая среду однородной и исключив из этих уравнений Н (или Е), получим уравнение второго порядка
AE + sp-J-E = 0 (83,2)
(и такое же уравнение для Н).
Рассмотрим плоскую электромагнитную волну, распространяющуюся в неограниченной однородной среде. В плоской волне в пустоте зависимость поля от координат дается множителем вида eikr с вещественным волновым вектором к. При рассмотрении же распространения волн в материальных средах в общем случае оказывается необходимым вводить также и комплексные значения:
k = k'+ik",
где к', к"—вещественные векторы.
Положив Е и Н пропорциональными eikr и произведя в уравнениях (83,1) дифференцирование по координатам, получим
сорН = с[кЕ], соеЕ = — с[кН]. (83,3)
Исключив из этих двух соотношений Е или Н, найдем следующее выражение для квадрата волнового вектора:
k2^6'2 — 6"2 + 2ik'k" = ep^-. (83,4)
Мы видим, что к может быть вещественным, только если 8 и р вещественны и положительны. Но даже и в этом случае к может все же быть комплексным, причем только должно быть k'k" = 0 (с таким случаем мы встретимся при рассмотрении полного отражения, см. § 86).
Следует иметь в виду, что в общем случае комплексных к волна может быть названа «плоской» лишь в условном смысле. Написав мы видим, что плоскости, перпендикулярные к вектору к', являются плоскостями постоянной фазы. Плоскостями же постоянной амплитуды являются плоскости, перпендикулярные к вектору к", в направлении которого происходит затухание волны. Что же касается поверхностей постоянного значения самого поля, то они в общем случае вообще не будут плоскими. Такие волны называют неоднородными плоскими волнами, в отличие от обычных однородных плоских волн.
Связь между компонентами электрического и магнитного полей в общем случае дается формулами (83,3). В частности, умножив эти формулы скалярно на к, получим
кЕ = 0, кН=0, (83,5)
а возводя какую-либо из них в квадрат и используя (83,4), найдем
E2 = JiH2_ (83)6)
Следует, однако, помнить, что ввиду комплексности всех трех векторов k, Е, Н эти соотношения в общем случае не имеют того наглядного смысла, который они имели бы для вещественных величин.
Не останавливаясь на громоздких соотношениях, получающихся в общем случае, рассмотрим наиболее важные частные случаи.
Особенно простые результаты получаются для волны, распространяющейся без затухания в непоглощающей (прозрачной) однородной среде. Волновой вектор в этом случае веществен и по величине равен
к = Ущ~ = п^, (83,7)
где я = |/ер называется показателем преломления среды. Как электрическое, так и магнитное поля лежат в плоскости, перпендикулярной к вектору к (чисто поперечная волна), причем перпендикулярны друг к другу и связаны соотношением
Н=]/у[1Е] (83,8)
(1—единичный вектор в направлении к). Отсюда следует, что
еЕЕ* = рНН*;
это, однако, не означает равенства электрической и магнитной энергий в волне (как в отсутствие дисперсии), поскольку последние даются другими выражениями (два члена в формуле (80,11)). Суммарную плотность электромагнитной энергии в этом случае можно привести к виду
Скорость и распространения волны в среде определяется известным выражением групповой скорости
dw с (83,10)
dk d (ncu)/rfco
При этом u = SIU, в соответствии с ее смыслом как скорости переноса энергии в волновом пакете; здесь U — плотность энергии, даваемая формулой (83,9), а
8л V
^•ЕЕ* (83,11)
— среднее значение вектора Пойнтинга. В отсутствие дисперсии, когда показатель преломления не зависит от частоты, выражение (83,10) сводится просто к с/п (ср. (75,13)).
Далее, рассмотрим более общий случай распространения электромагнитной волны в поглощающей среде, причем волновой вектор имеет определенное направление, т. е. к' и к" параллельны друг другу. Такая волна является плоской в буквальном смысле, так как поверхностями постоянных значений поля в ней являются плоскости, перпендикулярные к направлению распространения (однородная плоская волна).
В этом случае можно ввести комплексную «длину» k волнового вектора согласно к = 61 (где 1—единичный вектор в направлении к' и к") и из (83,4) имеем k = Ущ м/с Комплексную величину Ksp обычно пишут в виде п-{-Ы с вещественными п и и, так что
1г = Ущ^ = (п + Ы)~. (83,12)
Величину п называют показателем преломления, а х—коэффициентом поглощения среды; последний определяет скорость затухания волны по мере ее распространения. Подчеркнем, однако, что затухание волны не обязательно связано с наличием истинного поглощения; диссипация энергии имеет место лишь при комплексных е или р, а коэффициент х может быть отличным от нуля и при вещественных (отрицательных) 8 и р.
Выразим величины п и х через вещественную и мнимую части диэлектрической постоянной, предполагая при этом, что р=1. Из равенства п2—x2-f-2 mx = e=e'-fie" имеем
*)
При наличии существенного поглощения
введение понятия групповой скорости
вообще невозможно, так как в поглощающей
среде волновые пакеты не
распространяются,
а подвергаются быстрому размазыванию.
Решая эти уравнения относительно п и х, получимг)
/е'+V
е'2
+ б"2
-./ — е' + /е'2
+ е"2
е
2
' Х==
[/ • (83>13)
В частности, для металлов в области частот, где справедлива формула (77,9), мнимая часть г велика по сравнению с вещест- венной частью и связана с проводимостью посредством е" = 4ла/со; пренебрегая е' по сравнению с е", найдем, что п и х совпадают и равны (в согласии с (59,4))
п = х=-|/^. (83Л4)
Для связи между полями Е и Н в рассматриваемой однородной плоской волне снова получаем формулу (83,8), но только с комплексными г и р. Она снова показывает, что оба поля перпендикулярны к направлению распространения волны и друг к другу. Если р=1, то, написав У г в виде
У г — Уп2 + к2 exp [i arctg (х/я)], мы видим, что магнитное поле по абсолютной величине превышает электрическое в Уп2-\-х2 раз, а по фазе отстает от него на угол arctg (х/я); в случае (83,14) сдвиг фаз равен я/4.
Задача
В заданный момент времени (/=0) в некоторой области пространства имеется электромагнитное возмущение. Не поддерживаемое внешними источниками, оно будет затухать со временем. Найти условия, определяющие декремент этого затухания.
Решение. Разложим начальное возмущение в интеграл Фурье по координатам и рассмотрим какую-либо компоненту с волновым вектором к (вещественный вектор!). Ее дальнейшая зависимость от времени дается (при достаточно большом /) множителем e~iat с комплексной частотой со, которую надо определить; декремент затухания есть —Imco.
Из уравнений
-с-1 Н = rot Е= i [kE], с-1 Ъ = rot Н = i [kH]
имеем, исключив Н,
c-2D = [k[kE]]. (1)
Выберем направление к в качестве оси х. Для продольной части возмущения имеем отсюда Dx = 0, а потому и Dx — 0.
С другой стороны, связь между Dx и Ех дается интегральным оператором
t
Ex(t) = £-Wx= J F(t-z)Dx(z)dT (2)
1)
Поскольку е" > 0, то знаки п
и
х. должны быть одинаковыми, в соответствии
с тем, что волна затухает в направлении
своего распространения. Выбор в (83,13)
положительных знаков соответствует
волне, распространяющейся в
положительном направлении оси х.
Поскольку в данном случае Dx(t) = 0 при / > 0 (чем выражается отсутствие источников поля при t > 0), то
о
£*(')= J F (t-x)Dx(x)dx. (3)
— со
Отсюда видно, что при больших t зависимость Ех от времени определяется в основном временной зависимостью функции F (t). Для монохроматического поля имеем из (3):
со
и, обратно,
F (А = Т _1_е-Ш^.
Г (l> J е (со) 2л '
— со
Для оценки этого интеграла при больших значениях t смещаем путь интегрирования в нижнюю полуплоскость со, где подынтегральное выражение быстро убывает. При этом надо обходить все особые точки функции 1/е(со), т. е. нули функции е (со) и ее точки ветвления. В результате интеграл будет в основном пропооционален е~ш"1, где соа— ближайшая к вещественной оси из указанных особых точек. Этим и решается поставленный вопрос для продольной части возмущения.
Для поперечных компонент имеем из (1)
Аналогичное исследование приводит к заключению, что искомая частота со0 является в данн-м случае ближайшим к вещественной оси нулем или точкой ветвления функции
со2е (со)— сЧК