- •Глава I
- •§ 1. Электростатическое поле проводников
- •§ 2. Энергия электростатического поля проводников
- •§ 3. Методы решения электростатических задач
- •2 Л. Д. Ландау, е. М. Лифшиц
- •§ 4. Проводящий эллипсоид
- •§ 5. Силы, действующие на проводник
- •Глава II
- •§ 6. Электростатическое поле в диэлектриках
- •§ 7. Диэлектрическая проницаемость
- •§ 8. Диэлектрический эллипсоид
- •§ 9. Диэлектрическая проницаемость смеси
- •§ 10. Термодинамические соотношения для диэлектриков в электрическом поле
- •§ 11. Полная свободная энергия диэлектрического тела
- •§12. Электрострикция изотропных диэлектриков
- •§ 13. Диэлектрические свойства кристаллов
- •§ 14. Положительность диэлектрической восприимчивости
- •§ 15. Электрические силы в жидком диэлектрике
- •§ 16. Электрические силы в твердых телах
- •§17. Пьезоэлектрики
- •§ 18. Термодинамические неравенства
- •§ 19. Сегнетоэлектрики
- •§ 20. Несобственные сегнетоэлектрики
- •Глава III
- •§ 21. Плотность тока и проводимость
- •§ 22. Эффект Холла
- •§ 23. Контактная разность потенциалов
- •§ 24. Гальванический элемент
- •§ 25. Электрокапиллярность
- •§ 26. Термоэлектрические явления
- •§ 27. Термогальваномагнитные явления
- •§ 28. Диффузионно-электрические явления
- •Глава IV
- •§ 29. Постоянное магнитное поле
- •§ 30. Магнитное поле постоянных токов
- •§ 31. Термодинамические соотношения в магнитном поле
- •§ 32. Полная свободная энергия магнетика
- •§ 33. Энергия системы токов
- •§ 34. Самоиндукция линейных проводников
- •§ 35. Силы в магнитном поле
- •§ 36. Гиромагнитные явления
- •Глава V
- •§ 37. Магнитная симметрия кристаллов
- •§ 38. Магнитные классы и пространственные группы
- •§ 39. Ферромагнетик вблизи точки Кюри
- •§ 40. Энергия магнитной анизотропии
- •§ 41. Кривая намагничения ферромагнетиков
- •§ 42. Магнитострикция ферромагнетиков
- •§ 43. Поверхностное натяжение доменной стенки
- •§ 44. Доменная структура ферромагнетиков
- •§ 45. Однодоменные частицы
- •§ 46. Ориентационные переходы
- •§ 47. Флуктуации в ферромагнетике
- •§ 48. Антиферромагнетик вблизи точки Кюри
- •§ 49. Бикритическая точка антиферромагнетика
- •§ 50. Слабый ферромагнетизм
- •§ 51. Пьезомагнетизм и магнитоэлектрический эффект
- •§ 52. Геликоидальная магнитная структура
- •Глава VI
- •§ 53. Магнитные свойства сверхпроводников
- •§ 54. Сверхпроводящий ток
- •§ 55. Критическое поле
- •2) Мы приводим здесь вычисления с большей точностью, чем это обычно требуется, имея в виду выявить более ясно взаимоотношение между различными термодинамическими величинами.
- •§ 56. Промежуточное состояние
- •§ 57. Структура промежуточного состояния
- •Глава VII
- •§ 58. Уравнения квазистационарного поля
- •§ 59. Глубина проникновения магнитного поля в проводник
- •VaRe{a6*}.
- •§ 60. Скин-эффект
- •§ 61. Комплексное сопротивление
- •§ 62. Емкость в цепи квазистационарного тока
- •§ 63. Движение проводника в магнитном поле
- •0 Из этой формулы видно, что дополнительное тепло, выделяющееся (в течение времени 60 в проводнике при его движении в магнитном поле, есть
- •§ 64. Возбуждение тока ускорением
- •Глава VIII
- •§ 65. Уравнения движения жидкости в магнитном поле
- •§65] Уравнения движения жидкости в магнитном поле 315
- •§66] Диссипативные процессы в магнитной гидродинамике 317
- •§ 66. Диссипативные процессы в магнитной гидродинамике
- •§ 67. Магнитогидродинамическое течение между параллельными плоскостями
- •§ 68. Равновесные конфигурации
- •§ 69. Магнитогидродинамические волны
- •VX&0, Vytt—hjV4пр ,
- •§ 70. Условия на разрывах
- •§ 71. Тангенциальные и вращательные разрывы
- •§ 72. Ударные волны
- •§ 73. Условие эволюционности ударных волн
- •§ 74. Турбулентное динамо
- •Глава IX
- •§ 75. Уравнения поля в диэлектриках в отсутствие дисперсии
- •§ 76. Электродинамика движущихся диэлектриков
- •§ 77. Дисперсия диэлектрической проницаемости
- •§ 78. Диэлектрическая проницаемость при очень больших частотах
- •§ 79. Дисперсия магнитной проницаемости
- •§ 80. Энергия поля в диспергирующих средах
- •§ 81. Тензор напряжений в диспергирующих средах
- •§ 82. Аналитические свойства функции е(со)
- •§ 83. Плоская монохроматическая волна
- •§ 84. Прозрачные среды
- •Глава X
- •§ 85. Геометрическая оптика
- •§ 86. Отражение и преломление волн
- •§ 87. Поверхностный импеданс металлов
- •§ 88. Распространение волн в неоднородной среде
- •§ 89. Принцип взаимности
- •§ 90. Электромагнитные колебания в полых резонаторах
- •§ 91. Распространение электромагнитных волн в волноводах
- •§ 92. Рассеяние электромагнитных волн на малых частицах
- •§ 93. Поглощение электромагнитных волн на малых частицах
- •§ 94. Дифракция на клине
- •§ 95. Дифракция на плоском экране
- •Глава XI
- •§ 96. Диэлектрическая проницаемость кристаллов
- •§ 97. Плоская волна в анизотропной среде
- •§ 98. Оптические свойства одноосных кристаллов
- •§ 99. Двухосные кристаллы
- •§ 100. Двойное преломление в электрическом поле
- •§ 101. Магнитооптические эффекты
- •§ 102. Динамооптические явления
- •Pfffi р 1
- •Глава XII
- •§ 103. Пространственная дисперсия
- •§ 104. Естественная оптическая активность
- •§ 105. Пространственная дисперсия в оптически неактивных средах
- •§ 106. Пространственная дисперсия вблизи линии поглощения
- •Глава XIII
- •§ 107. Преобразование частот в нелинейных средах
- •§ 108. Нелинейная проницаемость
- •§ 109. Самофокусировка
- •§111. Сильные электромагнитные волны
- •§112. Вынужденное комбинационное рассеяние
- •Глава XIV
- •§ 113. Ионизационные потери быстрых частиц в веществе. Нерелятивистский случай
- •§ 114. Ионизационные потери быстрых частиц в веществе. Релятивистский случай
- •§ 115. Излучение Черенкова
- •§ 116. Переходное излучение
- •Глава XV
- •§ 117. Общая теория рассеяния в изотропных средах
- •§ 118. Принцип детального равновесия при рассеянии
- •§ 119. Рассеяние с малым изменением частоты
- •§ 120. Рэлеевское рассеяние в газах и жидкостях
- •§ 121. Критическая опалесценция
- •§ 122. Рассеяние в жидких кристаллах
- •§ 123. Рассеяние в аморфных твердых телах
- •§123] Рассеяние в аморфных твердых телах 595
- •§ 124. Общая теория дифракции рентгеновых лучей
- •§ 125. Интегральная интенсивность
- •§ 126] Диффузное тепловое рассеяние рентгеновых лучей
- •§ 126. Диффузное тепловое рассеяние рентгеновых лучей
- •§ 127. Температурная зависимость сечения дифракции
§ 20. Несобственные сегнетоэлектрики
Изложенная в предыдущем параграфе теория сегнетоэлектри-чества основана на отождествлении вектора поляризации кристалла с параметром порядка, определяющим изменение симметрии кристалла при фазовом переходе. Это предположение, однако, не всегда допустимо; может оказаться, что факт возникновения спонтанной поляризации сам по себе не определяет полностью характер изменения кристаллической структуры.
Напомним (см. V § 145), что параметр порядка в фазовом переходе второго рода является величиной или совокупнсстою величин, преобразующихся согласно какому-либо из неприводимых (неединичному) представлений группы симметрии исходной («симметричной») фазы. Именно трансформационные свойства параметра порядка определяют характер изменения (понижения) симметрии при фазовом переходе. Конкретный же физический смысл его несуществен; в качестве параметра порядка можно выбрать различные физические величины, если только они связаны друг с другом линейными соотношениями и потому одинаковы по своим трансформационным свойствам.
Выбор вектора Р в качестве параметра порядка равносилен предположению, что последний преобразуется по тому же представлению, что и компоненты вектора (полярного). Если фазовый переход совершается без изменения элементарной ячейки решетки (точнее—лишь с ее деформацией), то речь идет о неприводимых представлениях точечных групп симметрии—кристаллических классов. В кристаллических классах, относящихся к категории двухосных (§ 13), каждая компонента вектора преобразуется по одному из одномерных представлений. То же самое относится и к компоненте вектора вдоль главной (3-го, 4-го или 6-го порядков) оси симметрии одноосных кристаллов. Для всех этих представлений параметром порядка может служить соответствующая компонента вектора Р, и к ним относится теория, основанная на термодинамическом потенциале (19,1). Компоненты Р в плоскости, перпендикулярной главной оси симметрии одноосного кристалла, преобразуются по двумерному неприводимому представлению и для этого представления могут служить параметром порядка. Наконец, в кристаллах кубической симметрии все три компоненты вектора преобразуются по одному трехмерному представлению; к этому случаю относится теория сегнетоэлектричества, основанная на термодинамическом потенциале (19,14).
Но существуют также и такие сегнетоэлектрические переходы, в которых параметр порядка преобразуется по неприводимому представлению «симметричной» фазы, не отвечающему компонентам вектора. В таких случаях параметром порядка является не поляризация, а величина другой физической природы; спонтанная же поляризация возникает в известном смысле как вторичный эффект (предполагается, конечно, что симметрия «несимметричной» фазы допускает пироэлектричество). Такие сегнетоэлект-рики называют несобственными; они существенно отличаются по характеру диэлектрических аномалий от обычных сегнетоэлект-риков1). Сюда относятся все сегнетоэлектрические переходы с изменением элементарной ячейки, т. е. с изменением трансляционной симметрии решетки (соответствующие неприводимые представления заведомо не могут осуществляться векторными величинами, инвариантными относительно трансляций)2), но это могут быть и переходы без изменения трансляционной симметрии (параметр порядка преобразуется по неприводимому представлению точечной группы, не отвечающему компонентам вектора).
В обычном сегнетоэлектрическом переходе, когда изменение симметрии полностью определяется вектором поляризации, переход происходит в высшую (из числа допускающих пироэлектричество) подгруппу пространственной группы исходной (непироэлектрической) фазы. При несобственном же сегнетоэлектрическом переходе пироэлектрическая фаза относится к подгруппе более низкой симметрии.
Конкретные термодинамические свойства несобственных сег-нетоэлектриков могут быть многообразны в соответствии с многообразием трансформационных свойств величин, преобразующихся по различным неприводимым представлениям пространственных групп. Рассмотрим здесь (снова в рамках теории фазовых переходов Ландау) лишь один формальный пример с целью иллюстрации некоторых существенных принципиальных моментов.
Рассмотрим переход (без изменения элементарной ячейки) из непироэлектрического кристалла класса C3h в класс Clt допускающий спонтанную поляризацию, причем параметр порядка двухкомпонентен (Ч1, г\2) и преобразуется по неприводимому представлению Еи группы C3h; компоненты же Рх, Ру вектора поляризации (в плоскости, перпендикулярной оси С3) преобразуются по представлению Eg.
*)
Возможность существования таких
сегнетоэлектриков была указана В.
Л. Инденбомом (1960).
2)
Таковы фактически все известные
несобственные сегнетоэлектрики.
приходим к разложению вида
Ф = Ф0 + а (Т - Тс) л2 + В ч4 + "Р2 + С^2 [Рх (yl - у\) - 2Р т.Т.] + + W [Я„ (Yf-vS) + 2PxVly2]-EP-^ (20,1)
(г]2 = г)?-f-т]1, 7,- = г|,Уч; векторы Е, Р — в плоскости ху).
Параметр порядка и поляризация определяются условием минимальности Ф (при Е = const). Отметим лишь характерные результаты, очевидные и без фактического проведения соответствующих вычислений. Параметр порядка в несимметричной фазе оказывается, как и при всяком переходе второго рода (в теории Ландау), пропорциональным (Тс — Г)1/*. Поляризация же возникает как эффект второго порядка по н и потому оказывается пропорциональной Тс—Т. Диэлектрическая восприимчивость не стремится при Т—>Тс к бесконечности (как в обычных сегнето-электриках), поскольку она не определяется теперь стремящимся к нулю коэффициентом при т]2. Она испытывает, однако, в точке перехода конечный скачок. Это связано с тем, что в симметричной фазе параметр порядка и, = 0 и не меняется под действием поля Е, а в несимметричной — меняется, что и дает дополнительный вклад в восприимчивость.
Отметим, что несобственный сегнетоэлектрический переход возможен только при многокомпонентных параметрах порядка. Действительно, при однокомпонентном параметре ц смешанный инвариант, линейный по Р, мог бы быть лишь цРг, где Рг—одна из компонент вектора Р (поскольку для одномерного представления квадрат ц'1 уже сам является инвариантом). Но это означало бы, что г] и Pz совпадают по своим трансформационным свойствам, так что Pz и само могло бы быть выбрано в качестве параметра порядка.
