- •Глава I
- •§ 1. Электростатическое поле проводников
- •§ 2. Энергия электростатического поля проводников
- •§ 3. Методы решения электростатических задач
- •2 Л. Д. Ландау, е. М. Лифшиц
- •§ 4. Проводящий эллипсоид
- •§ 5. Силы, действующие на проводник
- •Глава II
- •§ 6. Электростатическое поле в диэлектриках
- •§ 7. Диэлектрическая проницаемость
- •§ 8. Диэлектрический эллипсоид
- •§ 9. Диэлектрическая проницаемость смеси
- •§ 10. Термодинамические соотношения для диэлектриков в электрическом поле
- •§ 11. Полная свободная энергия диэлектрического тела
- •§12. Электрострикция изотропных диэлектриков
- •§ 13. Диэлектрические свойства кристаллов
- •§ 14. Положительность диэлектрической восприимчивости
- •§ 15. Электрические силы в жидком диэлектрике
- •§ 16. Электрические силы в твердых телах
- •§17. Пьезоэлектрики
- •§ 18. Термодинамические неравенства
- •§ 19. Сегнетоэлектрики
- •§ 20. Несобственные сегнетоэлектрики
- •Глава III
- •§ 21. Плотность тока и проводимость
- •§ 22. Эффект Холла
- •§ 23. Контактная разность потенциалов
- •§ 24. Гальванический элемент
- •§ 25. Электрокапиллярность
- •§ 26. Термоэлектрические явления
- •§ 27. Термогальваномагнитные явления
- •§ 28. Диффузионно-электрические явления
- •Глава IV
- •§ 29. Постоянное магнитное поле
- •§ 30. Магнитное поле постоянных токов
- •§ 31. Термодинамические соотношения в магнитном поле
- •§ 32. Полная свободная энергия магнетика
- •§ 33. Энергия системы токов
- •§ 34. Самоиндукция линейных проводников
- •§ 35. Силы в магнитном поле
- •§ 36. Гиромагнитные явления
- •Глава V
- •§ 37. Магнитная симметрия кристаллов
- •§ 38. Магнитные классы и пространственные группы
- •§ 39. Ферромагнетик вблизи точки Кюри
- •§ 40. Энергия магнитной анизотропии
- •§ 41. Кривая намагничения ферромагнетиков
- •§ 42. Магнитострикция ферромагнетиков
- •§ 43. Поверхностное натяжение доменной стенки
- •§ 44. Доменная структура ферромагнетиков
- •§ 45. Однодоменные частицы
- •§ 46. Ориентационные переходы
- •§ 47. Флуктуации в ферромагнетике
- •§ 48. Антиферромагнетик вблизи точки Кюри
- •§ 49. Бикритическая точка антиферромагнетика
- •§ 50. Слабый ферромагнетизм
- •§ 51. Пьезомагнетизм и магнитоэлектрический эффект
- •§ 52. Геликоидальная магнитная структура
- •Глава VI
- •§ 53. Магнитные свойства сверхпроводников
- •§ 54. Сверхпроводящий ток
- •§ 55. Критическое поле
- •2) Мы приводим здесь вычисления с большей точностью, чем это обычно требуется, имея в виду выявить более ясно взаимоотношение между различными термодинамическими величинами.
- •§ 56. Промежуточное состояние
- •§ 57. Структура промежуточного состояния
- •Глава VII
- •§ 58. Уравнения квазистационарного поля
- •§ 59. Глубина проникновения магнитного поля в проводник
- •VaRe{a6*}.
- •§ 60. Скин-эффект
- •§ 61. Комплексное сопротивление
- •§ 62. Емкость в цепи квазистационарного тока
- •§ 63. Движение проводника в магнитном поле
- •0 Из этой формулы видно, что дополнительное тепло, выделяющееся (в течение времени 60 в проводнике при его движении в магнитном поле, есть
- •§ 64. Возбуждение тока ускорением
- •Глава VIII
- •§ 65. Уравнения движения жидкости в магнитном поле
- •§65] Уравнения движения жидкости в магнитном поле 315
- •§66] Диссипативные процессы в магнитной гидродинамике 317
- •§ 66. Диссипативные процессы в магнитной гидродинамике
- •§ 67. Магнитогидродинамическое течение между параллельными плоскостями
- •§ 68. Равновесные конфигурации
- •§ 69. Магнитогидродинамические волны
- •VX&0, Vytt—hjV4пр ,
- •§ 70. Условия на разрывах
- •§ 71. Тангенциальные и вращательные разрывы
- •§ 72. Ударные волны
- •§ 73. Условие эволюционности ударных волн
- •§ 74. Турбулентное динамо
- •Глава IX
- •§ 75. Уравнения поля в диэлектриках в отсутствие дисперсии
- •§ 76. Электродинамика движущихся диэлектриков
- •§ 77. Дисперсия диэлектрической проницаемости
- •§ 78. Диэлектрическая проницаемость при очень больших частотах
- •§ 79. Дисперсия магнитной проницаемости
- •§ 80. Энергия поля в диспергирующих средах
- •§ 81. Тензор напряжений в диспергирующих средах
- •§ 82. Аналитические свойства функции е(со)
- •§ 83. Плоская монохроматическая волна
- •§ 84. Прозрачные среды
- •Глава X
- •§ 85. Геометрическая оптика
- •§ 86. Отражение и преломление волн
- •§ 87. Поверхностный импеданс металлов
- •§ 88. Распространение волн в неоднородной среде
- •§ 89. Принцип взаимности
- •§ 90. Электромагнитные колебания в полых резонаторах
- •§ 91. Распространение электромагнитных волн в волноводах
- •§ 92. Рассеяние электромагнитных волн на малых частицах
- •§ 93. Поглощение электромагнитных волн на малых частицах
- •§ 94. Дифракция на клине
- •§ 95. Дифракция на плоском экране
- •Глава XI
- •§ 96. Диэлектрическая проницаемость кристаллов
- •§ 97. Плоская волна в анизотропной среде
- •§ 98. Оптические свойства одноосных кристаллов
- •§ 99. Двухосные кристаллы
- •§ 100. Двойное преломление в электрическом поле
- •§ 101. Магнитооптические эффекты
- •§ 102. Динамооптические явления
- •Pfffi р 1
- •Глава XII
- •§ 103. Пространственная дисперсия
- •§ 104. Естественная оптическая активность
- •§ 105. Пространственная дисперсия в оптически неактивных средах
- •§ 106. Пространственная дисперсия вблизи линии поглощения
- •Глава XIII
- •§ 107. Преобразование частот в нелинейных средах
- •§ 108. Нелинейная проницаемость
- •§ 109. Самофокусировка
- •§111. Сильные электромагнитные волны
- •§112. Вынужденное комбинационное рассеяние
- •Глава XIV
- •§ 113. Ионизационные потери быстрых частиц в веществе. Нерелятивистский случай
- •§ 114. Ионизационные потери быстрых частиц в веществе. Релятивистский случай
- •§ 115. Излучение Черенкова
- •§ 116. Переходное излучение
- •Глава XV
- •§ 117. Общая теория рассеяния в изотропных средах
- •§ 118. Принцип детального равновесия при рассеянии
- •§ 119. Рассеяние с малым изменением частоты
- •§ 120. Рэлеевское рассеяние в газах и жидкостях
- •§ 121. Критическая опалесценция
- •§ 122. Рассеяние в жидких кристаллах
- •§ 123. Рассеяние в аморфных твердых телах
- •§123] Рассеяние в аморфных твердых телах 595
- •§ 124. Общая теория дифракции рентгеновых лучей
- •§ 125. Интегральная интенсивность
- •§ 126] Диффузное тепловое рассеяние рентгеновых лучей
- •§ 126. Диффузное тепловое рассеяние рентгеновых лучей
- •§ 127. Температурная зависимость сечения дифракции
§ 2. Энергия электростатического поля проводников
Вычислим полную энергию 41 электростатического поля заряженных проводников1):
^=4JEW, (2,1)
где интеграл берется по всему объему пространства вне проводников. Преобразуем этот интеграл следующим образом:
% = — _L j Е gra d ф dV = — -L- J d i v (cpE) dV + ~ j cp d i v E dV.
Второй интеграл обращается в нуль в силу (1,4), а первый преобразуется в интеграл по ограничивающим поле поверхностям проводников и по бесконечно удаленной поверхности. Но последний интеграл обращается в нуль в силу достаточно быстрого убывания поля на бесконечности (предполагается, что произвольная постоянная в <р выбрана таким образом, что ф = 0 на беско-
х) Квадрат Е2 не совпадает со средним квадратом е2 истинного поля вблизи поверхности проводника, а также и в объеме последнего (где Е - 0, но, разумеется, е2 ф 0). Вычисляя интеграл (2,1), мы тем самым отвлекаемся от не интересующей нас здесь внутренней энергии проводника как такового и от энергии сродства зарядов к его поверхности.
нечности). Нумеруя проводники индексом а и обозначая постоянные значения потенциала вдоль каждого из них посредством сра, получим *)
а а
Наконец, вводя полные заряды проводников еа согласно (1,10), получим окончательно выражение
^=4£еаФа, (2,2)
а
аналогичное выражению для энергии системы точечных зарядов.
Заряды и потенциалы проводников не могут быть заданы одновременно произвольным образом; между ними существует определенная связь. В силу линейности и однородности уравнений поля в Пустоте эта связь тоже должна быть линейной, т. е. выражаться соотношениями вида
еа = ^СаЬ^ь, (2,3)
ь
где величины Саа, СаЬ имеют размерность длины и зависят от формы и взаимного расположения проводников. Величины Саа называют коэффициентами емкости, а величины СаЬ (афЬ)— коэффициентами электростатической индукции. В частности, если имеется всего один проводник, то е = Сср, где С—емкость; порядок величины емкости совпадает с линейными размерами тела. Обратные выражения для потенциалов через заряды:
Фа = 2 С£еь, (2,4)
ь
где коэффициенты составляют матрицу, обратную матрице коэффициентов СаЬ.
Вычислим изменение энергии системы проводников при бесконечно малом изменении их зарядов или потенциалов. Варьируя исходное выражение (2,1), имеем
Это выражение можно преобразовать далее двумя эквивалентными способами. Подставив Е = — grad ср и имея в виду, что варьированное поле, как и исходное, удовлетворяет уравнениям (1,4) (так
х) При преобразовании объемного интеграла в поверхностный здесь и ниже надо иметь в виду, что Еп есть составляющая поля по направлению нормали, внешней по отношению к проводнику; это направление противоположно направлению нормали, внешней пп отношению, к. области объемного интегрирования, т. е. пространства вне лшводннков .В связи с этим при преобразовании изменен знак интеграла.
^
J div
(Ф
6Е)
dV
=
^ 2 фа^
S£„ ,
4л
или окончательно
6«М=2фА.. (2,5)
а
т. е. получаем изменение энергии, выраженное через изменения зарядов. Этот результат, впрочем, заранее очевиден как работа, которую необходимо произвести над бесконечно малыми зарядами 6еа, чтобы перенести их к заданным проводникам из бесконечности, где потенциал поля равен нулю. С другой стороны, можно написать
Ш = -i J Е Srad Ч ^ = - ^ j div (Е 69)dK=^ £ 6Фа §Endf,
а
ИЛИ
6^ = 2еа6фа, (2,6)
а
т. е. изменение энергии выражено через изменения потенциалов проводников.
Формулы (2,5), (2,6) показывают, что, дифференцируя энергию 41 по величинам зарядов, мы получаем потенциалы проводников, а производные от 41 по потенциалам дают значения зарядов:
= W. = e'- (2'7)
С другой стороны, потенциалы и заряды являются линейными функциями друг друга. С помощью (2,3) имеем
дг% _деь _с
а изменив порядок дифференцирования, мы получили бы СаЬ. Отсюда видно, что
^аЬ — ^Ьа (2,8)
(и, аналогично, С^1 = С^1). Энергия 41 может быть представлена в виде квадратичной формы потенциалов или зарядов:
^ = т£С«ьФ«Фб = ^2С«бе«еб- (2,9)
а, Ь а, Ь
Эта квадратичная форма, как и исходное выражение (2,1), должна быть существенно положительной. Из этого условия возникают определенные неравенства, которым удовлетворяют коэффициенты СаЬ. В частности, все коэффициенты емкости положительны:
Соа>0 (2,10)
(а также и > 0)*).
Напротив, все коэффициенты электростатической индукции отрицательны:
СаЬ<0 (афЬ). (2,11)
Это обстоятельство очевидно уже из следующих простых соображений. Представим себе, что все проводники, за исключением лишь одного (а-го), заземлены, т. е. их потенциалы равны нулю. Тогда заряд, индуцированный заряженным (а-и) проводником на каком-либо проводнике Ь, равен еь = СЬац>а. Знак индуцированного заряда противоположен знаку индуцирующего потенциала, а потому СаЬ < 0. В этом можно убедиться, исходя из того, что потенциал электростатического поля не может достигать максимального и минимального значений вне проводников. Пусть, например, потенциал единственного незаземленного проводника сра > 0. Тогда потенциал будет положителен и во всем пространстве, так чтобы его наименьшее значение (нуль) достигалось только на заземленных проводниках. Отсюда следует, что на поверхности последних нормальная производная потенциала дц>/дп будет положительной, а их заряд согласно (1,10) —отрицательным.
С помощью аналогичных рассуждений можно убедиться в том, что С~1 > 0.
Энергия электростатического поля проводников обладает свойством экстремальности, имеющим, правда, не столько физический, сколько формальный характер. Для вывода этого свойства представим себе, что распределение зарядов в проводниках подвергается бесконечно малому изменению (при неизменном полном заряде каждого проводника), в результате которого заряды могут попасть и внутрь проводников; при этом мы отвлекаемся от того, что в действительности такое распределение зарядов не может быть стационарным. Рассмотрим соответствующее изменение интеграла
который надо представлять себе теперь распространенным по всему пространству, включая объем самих проводников (так как после смещения зарядов поле Е будет, вообще говоря, отличным
') Укажем также, что среди условий положительности формы (2,9) фигурируют и неравенства
СааРьЪ > С1Ь.
от нуля и внутри проводников). Пишем
ЬЧ = -± jgrad rp • 6Е dV = --L jdiv(rp fiE)dV + ~ j Ф div 6E dV.
Первый интеграл, будучи преобразован в интеграл по бесконечно удаленной поверхности, исчезает. Во втором в силу уравнения (1,8) имеем div8E = 4nSp, так что
= J Ф6>dV.
Но этот интеграл обращается в нуль, если ф соответствует истинному электростатическому полю: в этом случае внутри каждого проводника ф = const, а интегралы ^8pdV по их объемам равны нулю, поскольку полные заряды проводников остаются неизменными.
Таким образом, энергия истинного электростатического поля минимальна1) по сравнению с энергией полей, которые были бы созданы всяким другим распределением зарядов по объему проводников (теорема Томсона).
Из этой теоремы вытекает, в частности, такое следствие: введение незаряженного проводника в поле заданных зарядов (заряженных проводников) уменьшает полную энергию поля. Для того чтобы убедиться в этом, достаточно сравнить энергию истинного поля, которое установится после введения проводника, с энергией фиктивного поля, соответствующего отсутствию индуцированных зарядов на введенном проводнике. Первая, будучи минимально возможной, меньше второй, которая в то же время совпадает с энергией первоначального поля (так как при отсутствии индуцированных зарядов поле «проникло» бы внутрь проводника, не изменившись). Этот результат можно сформулировать и другим образом: незаряженный проводник, расположенный вдали от системы заданных зарядов, притягивается к ним.
Наконец, можно показать, что проводник (заряженный или незаряженный), внесенный в электростатическое поле, вообще не может находиться в устойчивом равновесии под влиянием одних только электрических сил. Это утверждение обобщает указанную в конце предыдущего параграфа аналогичную теорему для точечного заряда и может быть получено путем совместного применения последней и теоремы Томсона; мы не станем приводить здесь соответствующих рассуждений.
Формула (2,9) удобна для вычисления энергии системы проводников, находящихся на конечных расстояниях друг от друга. Особого рассмотрения, однако, требует энергия незаряженного проводника, находящегося в однородном внешнем поле G, кото-
^ Мы не будем приводить здесь простых рассуждений, показывающих, что речь идет именно о минимуме, а не об экстремуме вообще.
рое можно представлять себе созданным зарядами, находящимися на бесконечности. Согласно (2,2) эта энергия равна *И = еф/2, где е—удаленный заряд, создающий поле, а ф— потенциал поля, создаваемого рассматриваемым проводником в точке нахождения заряда е (из t4L исключена энергия заряда е в его собственном поле, как не имеющая отношения к интересующей нас энергии проводника). Заряд проводника равен нулю, но под влиянием внешнего поля проводник приобретает дипольный электрический момент, который мы обозначим через Потенциал поля электрического диполя на большом расстоянии г от него есть, как известно, ф = (^4г//'3. Поэтому
11 = ^^.
Но —ег/г3 является в то же время напряженностью & поля, создаваемого зарядом е. Таким образом,
11 = — V«^e. (2,12)
В силу линейности всех уравнений поля очевидно, что компоненты дипольного момента являются линейными функциями компонент напряженности (£. Коэффициенты пропорциональности между <^> и <$ имеют размерность куба длины и поэтому пропорциональны объему проводника:
р1 = Уа;к{£к, (2,13)
где коэффициенты а,к зависят только от формы тела. Совокупность величин Vaik составляет тензор поляризуемости тела. Этот тензор симметричен: aik = aki (доказательство этого утверждения дано в § 11). Соответственно, энергия (2,12) представится в виде
Задачи
1. Выразить взаимную емкость С системы из двух проводников (с заря- дами ±е) через коэффициенты СаЬ.
Решение. Взаимная емкость двух проводников определяется как коэффициент в соотношении р = С(ф2— q>i), а энергия системы выражается через С посредством lU = e2,2C. Сравнив с (2,9), получим
_L_r-i—-J- Г-г Cii + 2C12-1- С22
с » zui2 + u22- cnc22-q2 '
2. Точечный заряд е расположен в. точке О вблизи системы заземленных проводников и индуцирует на них заряды еа. Если бы заряд е отсутствовал, а один из проводников (а-й) имел потенциал ц>'а (остальные по-прежнему за- землены), то потенциал поля в точке О был бы q>'0. Выразить заряды еа через фа и ф0'.
Решение. Если заряды еа на проводниках сообщают им потенциалы ср0, а заряды е'а — потенциалы <ра, то из (2,3) следует, что
2 Фаеа = 2 ФЛьФь = 2 V'aea • а а, 6 а
Применим это соотношение к двум состояниям системы, составленной из всех проводников и точечного заряда е (рассматривая последний как предельный случай проводника малого размера). В одном состоянии имеется заряд е, проводники имеют заряды еа и потенциалы <ро=0. В другом состоянии заряд е = 0, а один из проводников имеет потенциал (г/ Ф 0. Тогда получим еФо+еафй = 0, откуда
ea = —e4'J<$'a-
Так, если заряд е находится на расстоянии г от центра заземленного проводящего шара радиуса а (г > а), то <р'0 = <р'аа/г и заряд, индуцированный на шаре,
еа = — еа/г.
В качестве другого примера рассмотрим заряд е, находящийся между двумя заземленными концентрическими сферами радиусов а и Ь на расстоянии г от центра (а < г < Ь). Если наружная сфера заземлена, а внутренняя заряжена до потенциала <ра, то потенциал на расстоянии г равен
, 1/6
Фо = Фатт^Т7б-
Поэтому заряд, индуцированный на внутренней сфере зарядом е, равек
_ а(Ь—г) е°- €г(Ь-а)'
Аналогично, заряд, индуцированный на внешней сфере,
b (г— а)
3. Два проводника с емкостями С1 и С2 помещены на расстоянии г друг от друга, большом по сравнению с их собственными размерами. Определить коэффициенты СаЬ.
Решение. Если проводник / несет заряд еь а проводник 2 не заряжен, то в первом приближении q>1 = e1/C, <fi=e1/r; при этом мы пренебрегаем изменением поля вдоль проводника 2 и его поляризацией. Таким образом, С-1—1[Си C~i = l/r и, аналогично, C~j = l/C2. Отсюда находим для коэффициентов СаЬ 1):
cii = ci ^1+-^Г^ > С12=— ££2 , С22=С2 —pi-2
4. Определить емкость С кольца из тонкого провода кругового сечения (радиус кольца Ь, радиус сечения провода а; 6^>а).
*) Следующие члены разложения имеют в
общем случае порядок (по 1/г)
на
1 более высокий, чем выписанные. Если,
однако, отсчитывать г
как
расстояние между «центрами зарядов»
обоих тел (для сфер — между их
геометрическими центрами), то порядок
следующих членов будет выше на 2.
осевой линии кольца (это было бы точным для прямого цилиндра). Поэтому потенциал самого кольца
е г dl
где г—расстояние от данной точки поверхности кольца до элемента dl его осевой линии, по которой производится интегрирование. Разобьем интеграл на две части по областям г < Д и г > А, где Д — некоторое расстояние, такое, чтоа<«;Д<^&. Тогда при г<А можно считать ^участок кольца прямым и потому
dl 2Д
- 2 In
}^/2+а2 ~ а '
А > г -Д
В области же г > Д можно пренебречь толщиной провода, т. е. считать просто расстоянием между двумя точками осевой линии кольца. Тогда
Г dl = 2 \ bd(f =-21ntg^
J г ZJ 26sin(<p/2) Z№ tg 4
r > А Фо
где ф —центральный угол, на который опирается хорда г, а нижний предел интегрирования определяется из 26 sin (ф0/2) = Д, откуда ф0 ~ Д/6. При сложении обеих частей интеграла величина Д выпадает, и окончательно получаем для емкости кольца С = е/ф0 следующее выражение:
с _ nb ~lu (8Ь/а)'
