- •Глава I
- •§ 1. Электростатическое поле проводников
- •§ 2. Энергия электростатического поля проводников
- •§ 3. Методы решения электростатических задач
- •2 Л. Д. Ландау, е. М. Лифшиц
- •§ 4. Проводящий эллипсоид
- •§ 5. Силы, действующие на проводник
- •Глава II
- •§ 6. Электростатическое поле в диэлектриках
- •§ 7. Диэлектрическая проницаемость
- •§ 8. Диэлектрический эллипсоид
- •§ 9. Диэлектрическая проницаемость смеси
- •§ 10. Термодинамические соотношения для диэлектриков в электрическом поле
- •§ 11. Полная свободная энергия диэлектрического тела
- •§12. Электрострикция изотропных диэлектриков
- •§ 13. Диэлектрические свойства кристаллов
- •§ 14. Положительность диэлектрической восприимчивости
- •§ 15. Электрические силы в жидком диэлектрике
- •§ 16. Электрические силы в твердых телах
- •§17. Пьезоэлектрики
- •§ 18. Термодинамические неравенства
- •§ 19. Сегнетоэлектрики
- •§ 20. Несобственные сегнетоэлектрики
- •Глава III
- •§ 21. Плотность тока и проводимость
- •§ 22. Эффект Холла
- •§ 23. Контактная разность потенциалов
- •§ 24. Гальванический элемент
- •§ 25. Электрокапиллярность
- •§ 26. Термоэлектрические явления
- •§ 27. Термогальваномагнитные явления
- •§ 28. Диффузионно-электрические явления
- •Глава IV
- •§ 29. Постоянное магнитное поле
- •§ 30. Магнитное поле постоянных токов
- •§ 31. Термодинамические соотношения в магнитном поле
- •§ 32. Полная свободная энергия магнетика
- •§ 33. Энергия системы токов
- •§ 34. Самоиндукция линейных проводников
- •§ 35. Силы в магнитном поле
- •§ 36. Гиромагнитные явления
- •Глава V
- •§ 37. Магнитная симметрия кристаллов
- •§ 38. Магнитные классы и пространственные группы
- •§ 39. Ферромагнетик вблизи точки Кюри
- •§ 40. Энергия магнитной анизотропии
- •§ 41. Кривая намагничения ферромагнетиков
- •§ 42. Магнитострикция ферромагнетиков
- •§ 43. Поверхностное натяжение доменной стенки
- •§ 44. Доменная структура ферромагнетиков
- •§ 45. Однодоменные частицы
- •§ 46. Ориентационные переходы
- •§ 47. Флуктуации в ферромагнетике
- •§ 48. Антиферромагнетик вблизи точки Кюри
- •§ 49. Бикритическая точка антиферромагнетика
- •§ 50. Слабый ферромагнетизм
- •§ 51. Пьезомагнетизм и магнитоэлектрический эффект
- •§ 52. Геликоидальная магнитная структура
- •Глава VI
- •§ 53. Магнитные свойства сверхпроводников
- •§ 54. Сверхпроводящий ток
- •§ 55. Критическое поле
- •2) Мы приводим здесь вычисления с большей точностью, чем это обычно требуется, имея в виду выявить более ясно взаимоотношение между различными термодинамическими величинами.
- •§ 56. Промежуточное состояние
- •§ 57. Структура промежуточного состояния
- •Глава VII
- •§ 58. Уравнения квазистационарного поля
- •§ 59. Глубина проникновения магнитного поля в проводник
- •VaRe{a6*}.
- •§ 60. Скин-эффект
- •§ 61. Комплексное сопротивление
- •§ 62. Емкость в цепи квазистационарного тока
- •§ 63. Движение проводника в магнитном поле
- •0 Из этой формулы видно, что дополнительное тепло, выделяющееся (в течение времени 60 в проводнике при его движении в магнитном поле, есть
- •§ 64. Возбуждение тока ускорением
- •Глава VIII
- •§ 65. Уравнения движения жидкости в магнитном поле
- •§65] Уравнения движения жидкости в магнитном поле 315
- •§66] Диссипативные процессы в магнитной гидродинамике 317
- •§ 66. Диссипативные процессы в магнитной гидродинамике
- •§ 67. Магнитогидродинамическое течение между параллельными плоскостями
- •§ 68. Равновесные конфигурации
- •§ 69. Магнитогидродинамические волны
- •VX&0, Vytt—hjV4пр ,
- •§ 70. Условия на разрывах
- •§ 71. Тангенциальные и вращательные разрывы
- •§ 72. Ударные волны
- •§ 73. Условие эволюционности ударных волн
- •§ 74. Турбулентное динамо
- •Глава IX
- •§ 75. Уравнения поля в диэлектриках в отсутствие дисперсии
- •§ 76. Электродинамика движущихся диэлектриков
- •§ 77. Дисперсия диэлектрической проницаемости
- •§ 78. Диэлектрическая проницаемость при очень больших частотах
- •§ 79. Дисперсия магнитной проницаемости
- •§ 80. Энергия поля в диспергирующих средах
- •§ 81. Тензор напряжений в диспергирующих средах
- •§ 82. Аналитические свойства функции е(со)
- •§ 83. Плоская монохроматическая волна
- •§ 84. Прозрачные среды
- •Глава X
- •§ 85. Геометрическая оптика
- •§ 86. Отражение и преломление волн
- •§ 87. Поверхностный импеданс металлов
- •§ 88. Распространение волн в неоднородной среде
- •§ 89. Принцип взаимности
- •§ 90. Электромагнитные колебания в полых резонаторах
- •§ 91. Распространение электромагнитных волн в волноводах
- •§ 92. Рассеяние электромагнитных волн на малых частицах
- •§ 93. Поглощение электромагнитных волн на малых частицах
- •§ 94. Дифракция на клине
- •§ 95. Дифракция на плоском экране
- •Глава XI
- •§ 96. Диэлектрическая проницаемость кристаллов
- •§ 97. Плоская волна в анизотропной среде
- •§ 98. Оптические свойства одноосных кристаллов
- •§ 99. Двухосные кристаллы
- •§ 100. Двойное преломление в электрическом поле
- •§ 101. Магнитооптические эффекты
- •§ 102. Динамооптические явления
- •Pfffi р 1
- •Глава XII
- •§ 103. Пространственная дисперсия
- •§ 104. Естественная оптическая активность
- •§ 105. Пространственная дисперсия в оптически неактивных средах
- •§ 106. Пространственная дисперсия вблизи линии поглощения
- •Глава XIII
- •§ 107. Преобразование частот в нелинейных средах
- •§ 108. Нелинейная проницаемость
- •§ 109. Самофокусировка
- •§111. Сильные электромагнитные волны
- •§112. Вынужденное комбинационное рассеяние
- •Глава XIV
- •§ 113. Ионизационные потери быстрых частиц в веществе. Нерелятивистский случай
- •§ 114. Ионизационные потери быстрых частиц в веществе. Релятивистский случай
- •§ 115. Излучение Черенкова
- •§ 116. Переходное излучение
- •Глава XV
- •§ 117. Общая теория рассеяния в изотропных средах
- •§ 118. Принцип детального равновесия при рассеянии
- •§ 119. Рассеяние с малым изменением частоты
- •§ 120. Рэлеевское рассеяние в газах и жидкостях
- •§ 121. Критическая опалесценция
- •§ 122. Рассеяние в жидких кристаллах
- •§ 123. Рассеяние в аморфных твердых телах
- •§123] Рассеяние в аморфных твердых телах 595
- •§ 124. Общая теория дифракции рентгеновых лучей
- •§ 125. Интегральная интенсивность
- •§ 126] Диффузное тепловое рассеяние рентгеновых лучей
- •§ 126. Диффузное тепловое рассеяние рентгеновых лучей
- •§ 127. Температурная зависимость сечения дифракции
§ 81. Тензор напряжений в диспергирующих средах
Представляет существенный интерес также и вопрос о среднем (по времени) тензоре напряжений, определяющем силы, действующие на вещество в переменном электрическом поле. Покажем, что и при наличии дисперсии (но по-прежнему в отсутствие поглощения) выражение для этого тензора не содержит, в отличие от выражения (80,12) для энергии, производных по частоте. В частности, для прозрачной диспергирующей изотропной жидкости в монохроматическом электрическом поле среднее значение oik получается из (15,9) просто заменой е на е(со) и произведений EtEk, Е2 их средними значениями EtEk, Е2 (Л. П. Питаевский, 1960).
Для доказательства этого утверждения вернемся к изложенному в § 15 сыводу, несколько переформулировав его. Мы рассматривали там заполненный диэлектриком плоский конденсатор и определяли тензор напряжений из условия равенства работы пондеромоторных сил при смещении обкладки изменению соответствующего термодинамического потенциала. Напишем здесь это условие для полных (а не на единицу площади) величин, представив его в виде
(81,1)
(А — площадь обкладки конденсатора). Вместо потенциала ¥ здесь использована обычная энергия 11, изменение которой рассматривается при заданных значениях энтропии & диэлектрика и полных зарядов ±е на обкладках конденсатора (вместо заданного потенциала ср); использовано, что согласно теореме о малых добавках
В виде (81,1) это условие имеет особенно простой смысл: теплоизолированный конденсатор с заданными зарядами на обкладках представляет собой электрически замкнутую систему; если же внешний источник производит над ним механическую работу (смещая обкладки), то вся эта работа идет на увеличение энергии конденсатора. Энергия конденсатора:
(81,2)
где ч10—энергия диэлектрика в отсутствие поля (при том же значении энтропии df), а с—емкость конденсатора; для плоского конденсатора С = еЛ/4яЛ, где h — расстояние между обкладками. Отсюда:
№)*>.е = №л)*>--%ъфс)*>. (81,3)
Выразив 6С через смещение обкладок £ (с учетом зависимости е от плотности диэлектрика, меняющейся при смещении), легко получить формулу (15,9)1); ввиду очевидности результата, не будем на этом останавливаться.
При наличии дисперсии выражение для энергии 41 меняется. Покажем, что тем не менее соотношение (81,3) остается в силе для средней по времени вариации 8*11, а тем самым будет доказано и сделанное выше утверждение об усредненном тензоре напряжений.
Пусть заряд на обкладках конденсатора меняется по монохроматическому закону с частотой со. Тогда конденсатор сам по себе уже не будет электрически замкнутой системой, ввиду необходимости подводить и отводить заряд. Такой системой, однако, является колебательный контур с собственной частотой со, состоящий из конденсатора и должным образом подобранной самоиндукции 2); поэтому для его энергии справедливо соотношение (81,1).
В отсутствие сопротивления разность потенциалов ср на обкладках конденсатора равна сумме внешней электродвижущей силы и электродвижущей силы самоиндукции:
а ток J связан с зарядом е на обкладках конденсатора равенством J — de/dt. Для величин, меняющихся со временем по монохроматическому закону, по определению емкости С (со) имеем <p = e/C(to). Положив в (81,4) $ = 0, / = — ше, прежде всего найдем, что и при наличии дисперсии емкости собственная частота контура по-прежнему удовлетворяет соотношению Томсона (62,5):
© = с/1/1С(©). (81,5)
Далее, умножив равенство (81,4) на J = de/dt и рассматривая (как при выводе (80,12)) «почти монохроматические» величины, без труда получим:
г)
При этом она окажется выраженной через
другие переменные: вместо изотермических
производной de/др
и функции Р0
в
ней будут фигурировать адиабатические.
Оба выражения, разумеется, эквивалентны.
2)
Для выполнения условий квазистационарности
необходимо, чтобы размеры контура
были малыми по сравнению с длиной волны
с/со. Это ограничение, однако, не
имеет принципиального характера и не
умаляет общности излагаемого вывода.
Из вида этого равенства ясно, что выражение в фигурных скобках представляет собой энергию % колебательного контура. Первый член в этом выражении преобразуем, подставив J = — те и используя (81,5):
"о? LJ* = Leo2? = -ij- LC2© V = • Окончательно'запишем энергию контура в виде1)
qi = ±d-^t. (81,6)
со dw 2 \ > /
Нам надо вычислить вариацию этой энергии при малом смещении обкладок конденсатора, т. е. при малом изменении его емкости. В переменном поле это смещение надо представлять себе как происходящее бесконечно медленно. Но при таком изменении остается постоянным адиабатический инвариант, равный (как и для всякой линейной колебательной системы) отношению энергии колебаний к частоте2). Таким образом, б (%/со) = 0, т. е.
№=<й^. (81,7)
(81,8)
бсо 8С
Но изменение емкости складывается из двух частей:
6С=(6С)ст + -^6со. (81,9)
Первый член есть «статическая» часть изменения, связанная с деформацией так же, как и в статическом случае (здесь существенно, что при наличии дисперсии емкость С (со) выражается через е (со) так же, как в статическом случае). Второй же член связан просто с изменением частоты. Из (81,8—9) находим для «статической» части
(6С)СГ=—(81,10)
При подстановке (81,6) в (81,7) с учетом (81,10) производная dC/dco выпадает и вариация энергии получается в виде
г)
Здесь и ниже для упрощения записи
формул опускаем в энергии ее
«неэлектромагнитную» часть 110.
2)
Ср. I § 49. Инвариантность указанной
величины особенно наглядна в терминах
квантовой теории: отношение ll/hm
есть
номер квантового состояния, не
меняющийся при адиабатическом изменении
условий,
действительно совпадающем с усредненным вторым членом в (81,3). _
Заметим, что выпадение членов с производной по со в SV, имеет совершенно общий характер и не связано с конкретным способом изменения состояния тела (в данном случае — конденсатора). В частности, для среды с дисперсией остается справедливой (с заменой Е2 на Е2) формула (14,1) для изменения свободной энергии при малом изменении е:
6Г= — \ 6e((o)-^-dV. (81,12)
Зная тензор напряжений, можно по формуле (75,17) найти силу, действующую на единицу объема диэлектрика. При этом члены, содержащие пространственные производные, совпадут с соответствующими членами усредненного по времени выражения (75,18) (в котором надо положить р=1). Член же с производной по времени (сила Абрагама) оказывается другим.
Действительно, этот член возникает как разность
которая должна быть теперь усреднена по времени. Для этого выражаем D, Е, Н в комплексном виде (т. е. заменяем их на (D + D*)/2 и т. д.), после чего для производной dD/dt используем формулу (80,10). В результате получим силу Абрагама в виде
i^-^^W^j+ico^Re^H.] (81,13)
(X. Вашина, В. И. Карпман, 1976).
Вопрос о тензоре напряжений в переменном поле имеет смысл не только для прозрачной, но и для поглощающей среды,— в противоположность вопросу о внутренней энергии, который может быть сформулирован лишь в пренебрежении диссипацией. Есть, однако, основания полагать, что в поглощающей среде тензор напряжений не может быть выражен через одну лишь диэлектрическую проницаемость, а потому вообще не может быть найден в общем виде макроскопическим путем.
