- •Глава I
- •§ 1. Электростатическое поле проводников
- •§ 2. Энергия электростатического поля проводников
- •§ 3. Методы решения электростатических задач
- •2 Л. Д. Ландау, е. М. Лифшиц
- •§ 4. Проводящий эллипсоид
- •§ 5. Силы, действующие на проводник
- •Глава II
- •§ 6. Электростатическое поле в диэлектриках
- •§ 7. Диэлектрическая проницаемость
- •§ 8. Диэлектрический эллипсоид
- •§ 9. Диэлектрическая проницаемость смеси
- •§ 10. Термодинамические соотношения для диэлектриков в электрическом поле
- •§ 11. Полная свободная энергия диэлектрического тела
- •§12. Электрострикция изотропных диэлектриков
- •§ 13. Диэлектрические свойства кристаллов
- •§ 14. Положительность диэлектрической восприимчивости
- •§ 15. Электрические силы в жидком диэлектрике
- •§ 16. Электрические силы в твердых телах
- •§17. Пьезоэлектрики
- •§ 18. Термодинамические неравенства
- •§ 19. Сегнетоэлектрики
- •§ 20. Несобственные сегнетоэлектрики
- •Глава III
- •§ 21. Плотность тока и проводимость
- •§ 22. Эффект Холла
- •§ 23. Контактная разность потенциалов
- •§ 24. Гальванический элемент
- •§ 25. Электрокапиллярность
- •§ 26. Термоэлектрические явления
- •§ 27. Термогальваномагнитные явления
- •§ 28. Диффузионно-электрические явления
- •Глава IV
- •§ 29. Постоянное магнитное поле
- •§ 30. Магнитное поле постоянных токов
- •§ 31. Термодинамические соотношения в магнитном поле
- •§ 32. Полная свободная энергия магнетика
- •§ 33. Энергия системы токов
- •§ 34. Самоиндукция линейных проводников
- •§ 35. Силы в магнитном поле
- •§ 36. Гиромагнитные явления
- •Глава V
- •§ 37. Магнитная симметрия кристаллов
- •§ 38. Магнитные классы и пространственные группы
- •§ 39. Ферромагнетик вблизи точки Кюри
- •§ 40. Энергия магнитной анизотропии
- •§ 41. Кривая намагничения ферромагнетиков
- •§ 42. Магнитострикция ферромагнетиков
- •§ 43. Поверхностное натяжение доменной стенки
- •§ 44. Доменная структура ферромагнетиков
- •§ 45. Однодоменные частицы
- •§ 46. Ориентационные переходы
- •§ 47. Флуктуации в ферромагнетике
- •§ 48. Антиферромагнетик вблизи точки Кюри
- •§ 49. Бикритическая точка антиферромагнетика
- •§ 50. Слабый ферромагнетизм
- •§ 51. Пьезомагнетизм и магнитоэлектрический эффект
- •§ 52. Геликоидальная магнитная структура
- •Глава VI
- •§ 53. Магнитные свойства сверхпроводников
- •§ 54. Сверхпроводящий ток
- •§ 55. Критическое поле
- •2) Мы приводим здесь вычисления с большей точностью, чем это обычно требуется, имея в виду выявить более ясно взаимоотношение между различными термодинамическими величинами.
- •§ 56. Промежуточное состояние
- •§ 57. Структура промежуточного состояния
- •Глава VII
- •§ 58. Уравнения квазистационарного поля
- •§ 59. Глубина проникновения магнитного поля в проводник
- •VaRe{a6*}.
- •§ 60. Скин-эффект
- •§ 61. Комплексное сопротивление
- •§ 62. Емкость в цепи квазистационарного тока
- •§ 63. Движение проводника в магнитном поле
- •0 Из этой формулы видно, что дополнительное тепло, выделяющееся (в течение времени 60 в проводнике при его движении в магнитном поле, есть
- •§ 64. Возбуждение тока ускорением
- •Глава VIII
- •§ 65. Уравнения движения жидкости в магнитном поле
- •§65] Уравнения движения жидкости в магнитном поле 315
- •§66] Диссипативные процессы в магнитной гидродинамике 317
- •§ 66. Диссипативные процессы в магнитной гидродинамике
- •§ 67. Магнитогидродинамическое течение между параллельными плоскостями
- •§ 68. Равновесные конфигурации
- •§ 69. Магнитогидродинамические волны
- •VX&0, Vytt—hjV4пр ,
- •§ 70. Условия на разрывах
- •§ 71. Тангенциальные и вращательные разрывы
- •§ 72. Ударные волны
- •§ 73. Условие эволюционности ударных волн
- •§ 74. Турбулентное динамо
- •Глава IX
- •§ 75. Уравнения поля в диэлектриках в отсутствие дисперсии
- •§ 76. Электродинамика движущихся диэлектриков
- •§ 77. Дисперсия диэлектрической проницаемости
- •§ 78. Диэлектрическая проницаемость при очень больших частотах
- •§ 79. Дисперсия магнитной проницаемости
- •§ 80. Энергия поля в диспергирующих средах
- •§ 81. Тензор напряжений в диспергирующих средах
- •§ 82. Аналитические свойства функции е(со)
- •§ 83. Плоская монохроматическая волна
- •§ 84. Прозрачные среды
- •Глава X
- •§ 85. Геометрическая оптика
- •§ 86. Отражение и преломление волн
- •§ 87. Поверхностный импеданс металлов
- •§ 88. Распространение волн в неоднородной среде
- •§ 89. Принцип взаимности
- •§ 90. Электромагнитные колебания в полых резонаторах
- •§ 91. Распространение электромагнитных волн в волноводах
- •§ 92. Рассеяние электромагнитных волн на малых частицах
- •§ 93. Поглощение электромагнитных волн на малых частицах
- •§ 94. Дифракция на клине
- •§ 95. Дифракция на плоском экране
- •Глава XI
- •§ 96. Диэлектрическая проницаемость кристаллов
- •§ 97. Плоская волна в анизотропной среде
- •§ 98. Оптические свойства одноосных кристаллов
- •§ 99. Двухосные кристаллы
- •§ 100. Двойное преломление в электрическом поле
- •§ 101. Магнитооптические эффекты
- •§ 102. Динамооптические явления
- •Pfffi р 1
- •Глава XII
- •§ 103. Пространственная дисперсия
- •§ 104. Естественная оптическая активность
- •§ 105. Пространственная дисперсия в оптически неактивных средах
- •§ 106. Пространственная дисперсия вблизи линии поглощения
- •Глава XIII
- •§ 107. Преобразование частот в нелинейных средах
- •§ 108. Нелинейная проницаемость
- •§ 109. Самофокусировка
- •§111. Сильные электромагнитные волны
- •§112. Вынужденное комбинационное рассеяние
- •Глава XIV
- •§ 113. Ионизационные потери быстрых частиц в веществе. Нерелятивистский случай
- •§ 114. Ионизационные потери быстрых частиц в веществе. Релятивистский случай
- •§ 115. Излучение Черенкова
- •§ 116. Переходное излучение
- •Глава XV
- •§ 117. Общая теория рассеяния в изотропных средах
- •§ 118. Принцип детального равновесия при рассеянии
- •§ 119. Рассеяние с малым изменением частоты
- •§ 120. Рэлеевское рассеяние в газах и жидкостях
- •§ 121. Критическая опалесценция
- •§ 122. Рассеяние в жидких кристаллах
- •§ 123. Рассеяние в аморфных твердых телах
- •§123] Рассеяние в аморфных твердых телах 595
- •§ 124. Общая теория дифракции рентгеновых лучей
- •§ 125. Интегральная интенсивность
- •§ 126] Диффузное тепловое рассеяние рентгеновых лучей
- •§ 126. Диффузное тепловое рассеяние рентгеновых лучей
- •§ 127. Температурная зависимость сечения дифракции
§ 7. Диэлектрическая проницаемость
Для того чтобы уравнения (6,1) и (6,6) составляли полную систему уравнений, определяющих электростатическое поле, к ним надо еще присоединить соотношение, связывающее индукцию D и напряженность поля Е. В огромном большинстве случаев эту зависимость можно считать линейной. Она соответствует первым членам разложения D по степеням Е и связана с малостью внешних электрических полей по сравнению с внутренними молекулярными полями.
Линейная зависимость D от Е приобретает особенно простой вид в важнейшем случае изотропных диэлектриков. Очевидно, что в изотропном диэлектрике векторы D и Е должны иметь одинаковое направление. Поэтому их линейная зависимость сводится к простой пропорциональности 2):
D = eE. (7,1)
г) Т. е. по составу соприкасающихся тел, температуре и т. п. Если диэлектрик является кристаллом, то поверхность должна быть кристаллической плоскостью.
2) Такая зависимость, предполагающая обращение D в нуль одновременно с Е, справедлива, строго говоря, лишь в однородных по своим физическим свойствам (составу, температуре и т. п.) диэлектриках. В неоднородных телах D может иметь отличные от нуля значения и при Е=0, определяясь при этом градиентами меняющихся вдоль тела термодинамических величин. Эти члены, однако, весьма малы и мы будем пользоваться в дальнейшем соотношением (7,1) и в неоднородных телах.
Коэффициент е называется диэлектрической проницаемостью вещества и является функцией его термодинамического состояния.
Вместе с индукцией пропорциональна полю также и поляризация;
Р = хЕ==^Е. (7,2)
Величина к называется коэффициентом поляризуемости вещества (или его диэлектрической восприимчивостью). Ниже (§ 14) будет показано, что диэлектрическая проницаемость всегда больше единицы; поляризуемость, соответственно, всегда положительна. Поляризуемость разреженной среды (газ) можно считать пропорциональной ее плотности.
Граничные условия (6,9) и (6,10) на поверхности раздела двух изотропных диэлектриков принимают вид
E<i = E<2, Ejf^j = е2£п2. (7,3)
Таким образом, нормальная составляющая напряженности поля испытывает скачок, меняясь обратно пропорционально диэлектрическим проницаемостям соответствующих сред.
В однородном диэлектрике е = const, и тогда из уравнения div D = 0 следует, что и divP = 0. Ввиду определения (6,3) это значит, что объемная плотность зарядов в таком теле отсутствует (поверхностная же плотность (6,4), вообще говоря, отлична от нуля). Напротив, если диэлектрик не однороден, то имеем отличную от нуля объемную плотность
,. п i-e — 1 n D .е — 1 Е _
p==-divP = -div1HrD = -^-grad—^-^Ve.
Если ввести потенциал электрического поля согласно Е = = —grad ф, то уравнение (6,1) удовлетворяется автоматически, а уравнение divD = diveE = 0 дает
div(ev<p) = 0. (7,4)
Это уравнение переходит в обычное уравнение Лапласа лишь в однородной диэлектрической среде. Граничные условия (7,3) можно переписать в виде следующих условий для потенциала:
дю, dm, _.
4>1 = ф». »i-jj = e,^ (7,5)
(условие непрерывности тангенциальных производных потенциала эквивалентно условию непрерывности самого ф).
В кусочно-однородной диэлектрической среде уравнение (7,4) сводится в каждом однородном участке к уравнению Лапласа Дф = 0, так что диэлектрические проницаемости входят в решение задачи только через посредство условий (7,5). Но эти условия содержат лишь отношение диэлектрических проницаемостей двух соприкасающихся сред. Поэтому, в частности, решение электростатической задачи для диэлектрического тела с проницаемостью е2, окруженного средой с проницаемостью сводится к такой же задаче для тела с проницаемостью ег/е1у находящегося в пустоте.
Рассмотрим вопрос о том, как меняются полученные в предыдущих параграфах результаты для электростатического поля проводников, если последние находятся не в пустоте, а погружены в однородную и изотропную диэлектрическую среду. В обоих случаях распределение потенциала описывается уравнением Дф = 0 с граничным условием постоянства ср на поверхности проводника, и все отличие заключается в том, что вместо связи Еп = — ду/дп = 4ла с поверхностной плотностью зарядов теперь будет:
(7,6)
Отсюда видно, что решение задачи о поле заряженного проводника в пустоте переходит в решение той же задачи в диэлектрической среде путем формальной замены потенциалов и зарядов: либо ср —»еср, е—>-е, либо ср —» ср, е —»е/е. При заданных зарядах проводников потенциал и напряженность поля убывают в е раз по сравнению с их значениями для поля в пустоте; это ослабление поля может быть наглядно истолковано как результат частичной экранировки заряда проводника поверхностными зарядами прилегающего к нему поляризованного диэлектрика. Если же поддерживаются постоянными потенциалы проводников, то поле остается неизменным, но увеличиваются в е раз заряды проводниковJ).
Наконец, отметим, что в электростатике можно формально рассматривать проводник (незаряженный) как тело с бесконечной диэлектрической проницаемостью—-в том смысле, что влияние, оказываемое им на внешнее электрическое поле, такое же, какое оказывал бы диэлектрик (той же формы) с е —» оо. Действительно, в силу конечности граничного условия для индукции D она должна оставаться конечной внутри тела и при е—*-оо; но это означает, что в таком поле будет Е = 0, в соответствии со свойствами проводника.
Задачи
1. Определить поле, создаваемое точечным зарядом е, расположенным на расстоянии h от плоской границы раздела двух различных диэлектрических сред.
*) Отсюда следует, в частности, что при
заполнении конденсатора диэлектриком,
его емкость увеличивается в е раз.
ваемое двумя точечными зарядами,— зарядом е и фиктивным зарядом е' в точке 0' (ср. метод изображений, § 3):
ф1 =
где г, г—расстояния точки наблюдения соответственно от О и О'. Поле же в среде 2 ищем в виде поля, создаваемого фиктивным зарядом е", находящимся в точке О:
е"
На граничной плоскости (г = г') должны выполняться условия (7,5), из которых получаем уравнения
е — е=е'
е-\-е'
отсюда
е = е
2е,
EJ + 82
О)
При
оо имеем е
ф2 = 0, т. е. мы возвращаемся к результату,
п
олученному
в § 3 для поля точечного заряда вблизи
проводящей плоскости.
F
=
(2/02 ех
ei — е2
е1(е1 + е2) '
F > 0 соответствует отталкиванию.
2. То же для бесконечной прямой заряженной нити, расположенной параллельно плоскости раздела на расстоянии h от нее.
2е'
1п
г',
1пг-
Ф1
=
2е
2с"
■■ In г,
е2
где е, е', е"—заряды на единице длины нити и ее «изображений», а г, г' — расстояния в плоскости, перпендикулярной к нитям. Для е, е', е" получаются те же выражения (1), а сила, действующая на единицу длины нити,
f^- 2ее' — е" (е1 —ег) 2Ы\ кг1 (ег + ег)
3. Определить поле, создаваемое бесконечной прямой заряженной нитью, расположенной (в среде с диэлектрической проницаемостью ех) параллельно цилиндру (с е = е2) радиуса а на расстоянии Ь (Ь > а) от его оси1).
1)
Аналогичная задача о точечном заряде
вблизи диэлектрической сферы не
решается в конечном виде.
Граничные условия на поверхности раздела удобно сформулировать с помощью потенциала ф (Е = —grad ф) и векторного потенциала А (ср. § 3), определенного H3D=rotA (в согласии с уравнением ciivD = 0); в плоской задаче вектор А направлен вдоль оси г (перпендикулярно к плоскости рисунка). Условия непрерывности касательных компонент Е и нормальной компоненты D эквивалентны условиям
Ф1 = ф2, АХ = А%.
Для поля заряженной нити имеем в полярных координатах г, 0:
Ф = — (2е/е) In г + const, ,4=2e9 + const
(ср. (3,18)). Поэтому граничные условия гласят:
2 2е" — (— e\nr — e' In г' -\-е' 1п о) = In r + c0nsi>
81 е2
2 [е9 + e'Q' — е' (9 + 9')] = 2e"G
(обозначение углов дано на рис. 12; использовано подобие треугольников ОО'В и ВО'А. Отсюда е2 (е-\-е') =е1е", е—е'—е", и для е', е" снова получаются выражения (1) из задачи 1.
Сила,
действующая на единицу длины заряженной
нити, параллельна ОО'
и
равна
F = eE = 2ee' ( 1 1 ^— 2e2(ei —ег)а2
ei \ОА ОО'J е1(е1 + е2) Ь (&2 — о2)
(F > 0 соответствует отталкиванию). В пределе о, Ь—»-оо, Ь — а—>-h это •ыражение переходит в результат задачи 1.
4. То же, если нить проходит внутри цилиндра с диэлектрической проницаемостью е2 (Ь < а).
Решение. Поле в среде 2 ищем как поле реальной нити е (точка О на рис. 13) и фиктивной нити е', проходящей через точку А, расположенную теперь вне цилиндра. Поле же в среде / ищем как поле нитей с зарядами е" и е — е", проходящих соответственно через О и О'. Тем же способом, как и в предыдущей задаче, получим
ei + e2 ej-fea
Нить отталкивается (при е2 > ех) от цилиндра с силой „ 2ее' 1 2е2(е2-е1)&
5. Показать, что потенциал поля фд (гд), создаваемый в точке Гд произвольной неоднородной диэлектрической среды точечным зарядом е, находящимся в точке гд, равен потенциалу фд(гд), создаваемому в точке гд тем же зарядом, находящимся в точке гд.
Решение. Потенциалы фд (г) и фд (г) удовлетворяют уравнениям
div (е\"Фл) =—4яе б (г — гд), div (еуфд) = —4ле 8 (г —гд).
Умножив первое из них на фд, а второе на фд и вычтя почленно одно из другого, найдем
div (фдЕУФл) — div (фЛеуфд) = —4яе 8 (г — Гд) фд (г) + 4ле 8 (г —гд) <рл (г).
Интегрирование этого равенства по всему пространству дает искомое соотношение: фд (Гд) = фд (Гд).
