
- •Глава I
- •§ 1. Электростатическое поле проводников
- •§ 2. Энергия электростатического поля проводников
- •§ 3. Методы решения электростатических задач
- •2 Л. Д. Ландау, е. М. Лифшиц
- •§ 4. Проводящий эллипсоид
- •§ 5. Силы, действующие на проводник
- •Глава II
- •§ 6. Электростатическое поле в диэлектриках
- •§ 7. Диэлектрическая проницаемость
- •§ 8. Диэлектрический эллипсоид
- •§ 9. Диэлектрическая проницаемость смеси
- •§ 10. Термодинамические соотношения для диэлектриков в электрическом поле
- •§ 11. Полная свободная энергия диэлектрического тела
- •§12. Электрострикция изотропных диэлектриков
- •§ 13. Диэлектрические свойства кристаллов
- •§ 14. Положительность диэлектрической восприимчивости
- •§ 15. Электрические силы в жидком диэлектрике
- •§ 16. Электрические силы в твердых телах
- •§17. Пьезоэлектрики
- •§ 18. Термодинамические неравенства
- •§ 19. Сегнетоэлектрики
- •§ 20. Несобственные сегнетоэлектрики
- •Глава III
- •§ 21. Плотность тока и проводимость
- •§ 22. Эффект Холла
- •§ 23. Контактная разность потенциалов
- •§ 24. Гальванический элемент
- •§ 25. Электрокапиллярность
- •§ 26. Термоэлектрические явления
- •§ 27. Термогальваномагнитные явления
- •§ 28. Диффузионно-электрические явления
- •Глава IV
- •§ 29. Постоянное магнитное поле
- •§ 30. Магнитное поле постоянных токов
- •§ 31. Термодинамические соотношения в магнитном поле
- •§ 32. Полная свободная энергия магнетика
- •§ 33. Энергия системы токов
- •§ 34. Самоиндукция линейных проводников
- •§ 35. Силы в магнитном поле
- •§ 36. Гиромагнитные явления
- •Глава V
- •§ 37. Магнитная симметрия кристаллов
- •§ 38. Магнитные классы и пространственные группы
- •§ 39. Ферромагнетик вблизи точки Кюри
- •§ 40. Энергия магнитной анизотропии
- •§ 41. Кривая намагничения ферромагнетиков
- •§ 42. Магнитострикция ферромагнетиков
- •§ 43. Поверхностное натяжение доменной стенки
- •§ 44. Доменная структура ферромагнетиков
- •§ 45. Однодоменные частицы
- •§ 46. Ориентационные переходы
- •§ 47. Флуктуации в ферромагнетике
- •§ 48. Антиферромагнетик вблизи точки Кюри
- •§ 49. Бикритическая точка антиферромагнетика
- •§ 50. Слабый ферромагнетизм
- •§ 51. Пьезомагнетизм и магнитоэлектрический эффект
- •§ 52. Геликоидальная магнитная структура
- •Глава VI
- •§ 53. Магнитные свойства сверхпроводников
- •§ 54. Сверхпроводящий ток
- •§ 55. Критическое поле
- •2) Мы приводим здесь вычисления с большей точностью, чем это обычно требуется, имея в виду выявить более ясно взаимоотношение между различными термодинамическими величинами.
- •§ 56. Промежуточное состояние
- •§ 57. Структура промежуточного состояния
- •Глава VII
- •§ 58. Уравнения квазистационарного поля
- •§ 59. Глубина проникновения магнитного поля в проводник
- •VaRe{a6*}.
- •§ 60. Скин-эффект
- •§ 61. Комплексное сопротивление
- •§ 62. Емкость в цепи квазистационарного тока
- •§ 63. Движение проводника в магнитном поле
- •0 Из этой формулы видно, что дополнительное тепло, выделяющееся (в течение времени 60 в проводнике при его движении в магнитном поле, есть
- •§ 64. Возбуждение тока ускорением
- •Глава VIII
- •§ 65. Уравнения движения жидкости в магнитном поле
- •§65] Уравнения движения жидкости в магнитном поле 315
- •§66] Диссипативные процессы в магнитной гидродинамике 317
- •§ 66. Диссипативные процессы в магнитной гидродинамике
- •§ 67. Магнитогидродинамическое течение между параллельными плоскостями
- •§ 68. Равновесные конфигурации
- •§ 69. Магнитогидродинамические волны
- •VX&0, Vytt—hjV4пр ,
- •§ 70. Условия на разрывах
- •§ 71. Тангенциальные и вращательные разрывы
- •§ 72. Ударные волны
- •§ 73. Условие эволюционности ударных волн
- •§ 74. Турбулентное динамо
- •Глава IX
- •§ 75. Уравнения поля в диэлектриках в отсутствие дисперсии
- •§ 76. Электродинамика движущихся диэлектриков
- •§ 77. Дисперсия диэлектрической проницаемости
- •§ 78. Диэлектрическая проницаемость при очень больших частотах
- •§ 79. Дисперсия магнитной проницаемости
- •§ 80. Энергия поля в диспергирующих средах
- •§ 81. Тензор напряжений в диспергирующих средах
- •§ 82. Аналитические свойства функции е(со)
- •§ 83. Плоская монохроматическая волна
- •§ 84. Прозрачные среды
- •Глава X
- •§ 85. Геометрическая оптика
- •§ 86. Отражение и преломление волн
- •§ 87. Поверхностный импеданс металлов
- •§ 88. Распространение волн в неоднородной среде
- •§ 89. Принцип взаимности
- •§ 90. Электромагнитные колебания в полых резонаторах
- •§ 91. Распространение электромагнитных волн в волноводах
- •§ 92. Рассеяние электромагнитных волн на малых частицах
- •§ 93. Поглощение электромагнитных волн на малых частицах
- •§ 94. Дифракция на клине
- •§ 95. Дифракция на плоском экране
- •Глава XI
- •§ 96. Диэлектрическая проницаемость кристаллов
- •§ 97. Плоская волна в анизотропной среде
- •§ 98. Оптические свойства одноосных кристаллов
- •§ 99. Двухосные кристаллы
- •§ 100. Двойное преломление в электрическом поле
- •§ 101. Магнитооптические эффекты
- •§ 102. Динамооптические явления
- •Pfffi р 1
- •Глава XII
- •§ 103. Пространственная дисперсия
- •§ 104. Естественная оптическая активность
- •§ 105. Пространственная дисперсия в оптически неактивных средах
- •§ 106. Пространственная дисперсия вблизи линии поглощения
- •Глава XIII
- •§ 107. Преобразование частот в нелинейных средах
- •§ 108. Нелинейная проницаемость
- •§ 109. Самофокусировка
- •§111. Сильные электромагнитные волны
- •§112. Вынужденное комбинационное рассеяние
- •Глава XIV
- •§ 113. Ионизационные потери быстрых частиц в веществе. Нерелятивистский случай
- •§ 114. Ионизационные потери быстрых частиц в веществе. Релятивистский случай
- •§ 115. Излучение Черенкова
- •§ 116. Переходное излучение
- •Глава XV
- •§ 117. Общая теория рассеяния в изотропных средах
- •§ 118. Принцип детального равновесия при рассеянии
- •§ 119. Рассеяние с малым изменением частоты
- •§ 120. Рэлеевское рассеяние в газах и жидкостях
- •§ 121. Критическая опалесценция
- •§ 122. Рассеяние в жидких кристаллах
- •§ 123. Рассеяние в аморфных твердых телах
- •§123] Рассеяние в аморфных твердых телах 595
- •§ 124. Общая теория дифракции рентгеновых лучей
- •§ 125. Интегральная интенсивность
- •§ 126] Диффузное тепловое рассеяние рентгеновых лучей
- •§ 126. Диффузное тепловое рассеяние рентгеновых лучей
- •§ 127. Температурная зависимость сечения дифракции
§ 4. Проводящий эллипсоид
Задача об определении поля заряженного проводящего эллипсоида и задача об эллипсоиде во внешнем однородном поле решаются с помощью так называемых эллипсоидальных координат.
Связь эллипсоидальных координат с декартовыми дается уравнением
~гт—г-т/г-Ч-т^—= 1 (а>Ь>с). (4,1)
Это уравнение, кубическое относительно и, имеет три различных вещественных корня (и = %, у\, £), лежащих в следующих интервалах:
1>—с2, — с2>г]>—Ь2, — Ь2>£>—а2. (4,2)
Эти три корня и являются эллипсоидальными координатами точки х, у, г. Их геометрический смысл явствует из того, что поверхности постоянных значений Е, г\, £ представляют собой соответственно эллипсоиды, однополостные гиперболоиды и двух-полостные гиперболоиды, причем все они софокусны с эллипсоидом
Через каждую точку пространства проходит по одной поверхности этих трех семейств, причем эти поверхности взаимно орто-С тональны. Формулы преобразования от эллипсоидальных координат к декартовым получаются путем совместного решения трех
уравнений типа (4,1) и имеют вид
'д + а1) (П + «г) (£ + аг)
У=± г = ±
(б2 —а2) (с2—а2) (£ + 6')(Л+6')(£+6'У
(4,4)
(с2 — &2) (а2 —б2) (g + c2) (п+с*) (£ + с2)
(а2 —с2) (б2 —с2)
]A(ti-C) (т)-Е)
V(£-л) (6-5)
A2 =
Элемент длины в эллипсоидальных координатах имеет вид d/2 = hldl2 + hid Ti2 + НЩ\
ho
2ЯР
(4,5)
где введено обозначение
Ra=V(u + a*) (u + b>) (ы + с2), ы = 1, ti, J. Соответственно, уравнение Лапласа в этих координатах есть
Дер:
(6-л) Й-
-I) (л-С)
51
5ф
+
+ (С-Е) /?ч^ (*„ ^) + (Е -л) *6£ (/?е f ) J = о- (4,6)
Е
сли
две из полуосей а, Ь,
с
становятся
равными, то эллипсоидальная система
координат вырождается. Пусть а = Ь>с.
Тогда кубическое уравнение (4,1) вырождается в квадратное:
(4J)
= 1,
■ х2 + у2,
с двумя корнями, пробегающими значения в интервалах
1>
Координатные поверхности постоян- Рис. 8. ных £ и т] превращаются соответст-
венно в софокусные сплюснутые эллипсоиды вращения и однополостные гиперболоиды вращения (рис. 8). В качестве третьей координаты можно ввести полярный угол ср в плоскости ху (x = pcoscp, */ = psin<p). Что же касается эллипсоидальной координаты t, то при а = Ь она вырождается в постоянную — а2. Ее связь с углом ср заключена в законе, по которому £ стремится к —а2, когда b стремится к а:
cos ср
(4.8)
ПРОВОДЯЩИЙ эллипсоид
39
в чем легко убедиться из (4,4) или непосредственно из уравнения (4,1). Связь координат z, р с координатами |, т] дается согласно (4,4) равенствами
(g + C2) (Г)+С2)
1/2
(g + a2) (г, + а2) a2—с2
1/2
(4,9)
Координаты |, г), ср называют сплюснутыми сфероидальными координатами 1).
г/2
+
г2,
(4,10)
1,
у2 п2
,2
а2+ и-ГЬ2
причем
|^—Ь2,
—Ь2^3=£^
—
а2-
Поверхности постоянных £ и£
представляют
собой вытянутые эллипсоиды и двухполостные
гиперболоиды вращения (рис. 9). Координата
же т] вырождается при с —*- Ь
в
постоянную —Ь2
по
закону
coscp-]/^,
(4,11)
где
ср—полярный угол в плоскости yz.
Связь
координат |, £ с координатами х, р
дается формулами
(1+а2)
(S
+
а2)
а2—
&2
(g
+
й2)
(g
+ fc2)i
б2—а2
7,
(4,12)
В
сплюснутой сфероидальной системе
фокусы координатных поверхностей
(эллипсоидов
и гиперболоидов) лежат на окружности
радиуса Ya2—с2
в плоскости ху
(на
рис. 8 А
А' есть
диаметр этой окружности). Проведем
плоскость, проходящую через некоторую
точку Р
и
ось z.
Она
пересечет фокальную окружность в'двух
точках; пусть г1
и
г2—расстояния
от этих точек до точки Р.
Если
р, z—координаты
точки Р,
то
r2
= (p—/ai^c2)2
+ z2,
r\
=
(р + Va2^?)2
+
z2.
Сфероидальные
координаты ц
выражаются
через ги
г2
по следующим формулам:
*)
Мы принимаем здесь такое определение
сфероидальных координат, при котором
они. являются предельным случаем
эллипсоидальных. В литературе пользуютея
и другими определениями, легко
сводящимися к нашему.
В вытянутой же сфероидальной системе фокусами являются две точки х — +У'а2—Ь2 на оси х (точки А, А' на рис. 9). Если ri> г2 — расстояния от этих фокусов до точки Р, то
г2 = р2 + (х_ ]/а2—&2)2, г2 = р2 + (^ + ]/а2^Ь2)2,
а сфероидальные координаты £, £ выражаются через rlt г2 по тем же формулам (4,13) (с заменой г| на £).
Вернемся к задаче о поле заряженного эллипсоида, поверхность которого задана уравнением (4,3). В эллипсоидальных координатах это — координатная поверхность £ = 0. Поэтому ясно, что если искать потенциал поля в виде функции только от £, то автоматически будут эквипотенциальными все эллипсоидальные поверхности | = const, в том числе поверхность проводника. Уравнение Лапласа (4,6) сводится тогда к уравнению
откуда
Верхний предел интегрирования выбран таким образом, чтобы обеспечить исчезновение поля на бесконечности. Постоянную А проще всего определить из условия, что на больших расстояниях г поле должно стремиться к кулоновскому: ср « е/r, где е—полный заряд проводника. Стремлению г —>- оо соответствует ► оо; при этом г?«I, как это следует из уравнения (4,1) с ы = £. С другой стороны, для больших Е имеем R§ х £3/2 и cp fS2A/Y% = = 2Л/г. Отсюда заключаем, что 2А=е, так что окончательно получим
<P(5) = fIf- (4,14)
Стоящий здесь интеграл — эллиптический первого рода. Поверхности проводника соответствует значение £ = 0, поэтому для емкости эллипсоида имеем
о
Распределение плотности заряда по поверхности эллипсоида определяется нормальной производной потенциала
С помощью уравнений (4,4) легко убедиться в том, что при £ = О
£_ , Ф_ , 2^ _ чС л4 Т" (,4
Ь4 1 С4 02Й2С3 '
Поэтому
СТ=4я^(-^ + |г + -] • (4,16)
Для двухосного эллипсоида интегралы (4,14) и (4,15) выражаются через элементарные функции. Для вытянутого эллипсоида (а>Ь = с) потенциал поля дается формулой
а его емкость
Для сплюснутого же эллипсоида (a = fr>c) имеем
,
6
arctg
т/^=4-2,
С = ^Tfv-
(4,19)
rAa2_c2 & г ? + с2 ' arrxos (с/а) ' '
В частности, для круглого диска (а = Ь, с = 0)
С = 2аЩ. (4,20)
Перейдем к задаче о незаряженном проводящем эллипсоиде, находящемся во внешнем однородном электрическом поле (£. Без ограничения общности достаточно рассмотреть внешнее поле ($, направленное вдоль одной из осей эллипсоида. В противном случае можно разложить С- на три составляющие вдоль осей эллипсоида и искать результирующее поле как суперпозицию полей, получающихся от каждой из этих составляющих в отдельности.
Потенциал однородного поля ($, направленного вдоль оси х (ось а эллипсоида), в эллипсоидальных координатах имеет вид
Ф„ = —&х = —О?
(b1 — а-) (с2—a2)
(4,21)
Представим потенциал поля вне эллипсоида в виде ф = ф0 + ф', где ф' определяет искомое искажение внешнего поля эллипсоидом, и будем искать Ф' в виде
Ф' = ф/(|). (4,22)
В функции ф' зависящие от т) и £, множители совпадают с таковыми в ф0; такой вид функции позволит удовлетворить граничному условию при £ = 0 и произвольных г), t, (на поверхности эллипсоида). Подставив (4,22) в уравнение Лапласа (4,6), получим для F(|) уравнение
■ЩГ+-ЗГ 3iInW5 + fle>] = o.
Одно из решений этого уравнения есть F = const, а другое имеет вид
i s
Верхний предел интегрирования выбран так, чтобы на бесконечности (!—*оо) потенциал ср' стремился к нулю. Стоящий здесь интеграл — эллиптический второго рода.
На поверхности эллипсоида должно быть ср = const. Чтобы это условие могло выполняться при 1=0 и произвольных Г), £, надо положить const =0. Выбирая соответствующим образом коэффициент А в F (1) (так, чтобы было F (0) = — 1), получим окончательно следующее выражение для потенциала поля вокруг эллипсоида:
£ СО CD ч
'^•j^lTi+re/lli+^T • (4'24)
Р
ds
со со
Г ds Г ds 2
Ф
<$,х V
г3 4лп(л:)
где У = 4яаЬс/3—объем эллипсоида, а величина п{х) и аналогичные фигурирующие ниже величины п{у\ пи) определяются формулами
00 СО 00
(х) abc Г ds abc С ds afec р ds
аЬс Г ds „(у) . Г» ds „(z>_^£f.
~ 2 J (s + a2)fl5 ' n 2 J (s + 62)^,' n ~ 2 J (s + c2)/?5-
0 0 0
(4,25)
Выражение для cp', как и должно быть, имеет вид потенциала поля электрического диполя: причем дипольныи момент эллипсоида
Аналогичными выражениями определяются дипольные моменты при поле (S, направленном вдоль оси у или z.
Положительные постоянные пш, п{у\ пи) зависят только от формы эллипсоида, но не от его объема; они называются коэффициентами деполяризации J). Если не предрешать выбор осей координат вдоль осей эллипсоида, то формулу (4,26) надо писать в тензорном виде:
fnik9>k = %. (4,27)
Величины п{х), п{у\ nw являются главными значениями симметричного тензора второго ранга nlk. Сравнение с определением (2,13) показывает, что aik = n~^/in есть тензор поляризуемости проводящего эллипсоида.
В общем случае произвольных значений а, Ь, с из определений nix), п(у\ п{г) следует прежде всего, что
пш <• п(У) <• пи>( если а>Ь>с. (4,28)
Далее, сложив интегралы п{х), п{у\ п{г) и введя в качестве переменной интегрирования u=R\, найдем
2 Jc)y
откуда
n(*> +я^> + п<" = 1. (4,29)
Сумма трех коэффициентов деполяризации равна единице (в тензорном виде это значит, что пп = 1). Поскольку, с другой стороны, эти коэффициенты положительны, каждый из них не может превышать единицы.
Для шара (а = Ь=с) из соображений симметрии ясно, что
Для цилиндра (с осью вдоль оси х, а —* оо) имеем ?)
*)
Эти же коэффициенты фигурируют в
задачах о диэлектрическом эллипсоиде
во внешнем электрическом поле или
магнитном эллипсоиде в магнитном
поле (§ 8). Таблицы и графики этих
коэффициентов для эллипсоидов вращения
и для трехосных эллипсоидов можно
найти в статьях: Stoner
Е. С.— Phil.
Mag.,
1945, v.
36, p.
803; Osborn
J.
A.
— Phys.
Rev.,
1945, v.
67, p.
351.
2)
Эти значения для шара и цилиндра
находятся, разумеется, в
соответствии
с
результатами,
полученными в
задачах
1 и 2
§
3.
Предельному же случаю a, b —* оо (плоская пластинка) отвечают очевидные значения
пм^-11^=0, п(г> = 1.
Эллиптические интегралы (4,25) выражаются через элементарные функции для всех эллипсоидов вращения. Для вытянутого эллипсоида вращения (а>Ь=с)с эксцентриситетом e=V^l—Ь2/а2 имеем
n<*>=i=^2(Arth е—е), я(^=п(г) = 1/2 (1 —п(ж))- (4-32) Если эллипсоид близок к шару (е<^1), то приближенно
«U)=V3-2/15e2, tt^ = tt(*> = V3 + V15e2. (4,33)
Для сплюснутого же эллипсоида (а = Ь>с):
nt« = i±£! (е_arctge), n(^> = V2 (1—«(2)), (4,34)
где е = }/а2/с2—1. Если е<^1, то
"^^Va + Vue2, п(«=п^^1/з-1/1вг*. (4,35)
Задачи
1. Найти поле заряженного проводящего круглого диска (радиуса а), выразив его в цилиндрических координатах. Найти распределение заряда на диске.
Решение. Распределение ?аряда получается путем перехода в формуле (4,16) к пределу с—»■ 0, г—>■ 0, причем отношение г/с=У~1 — г2/а2 (где
/
а =
-х2-\-у2) в соответствии с (4,3). Это дает е /' г2 \ -1 /2
4яа2
1—^-
а2
Потенциал поля во всем пространстве определяется (4,19), в которой полагаем с — 0 и выражаем \ через гиге помощью уравнения (4,1) при с = 0, « = £, а = Ь:
-X
Рис. 10.
, Г 2а2
XarCtg ^r2+z2_a2+[(r2+z2_Q2)2+4a2z2jl ,2
Вблизи края диска вводим вместо г и г координаты р и 9 согласно г = р sin 9, r = a—pcos9 (p<^a) (рис. 10) и находим
в согласии с общим результатом задачи 3 § 3.
2. Определить квадрупольный электрический момент заряженного эллипсоида.
Решение. Тензор квадрупольного момента заряженного проводника определяется как = е i^xixk — '■2°!'fe). гДе е—его полный заряд, а черта означает усреднение по закону
*i*k = ~ <§ х'хка df-
Очевидно, что оси эллипсоида являются в то же время главными осями тензора £>,•£. Воспользовавшись для а формулой (4,16), а для элемента поверхности эллипсоида выражением
dx dy dx dy
vz ~~ z/c2
+-Й-+-
1,2
(v—единичный вектор нормали к поверхности эллипсоида), получим
Г с2
АлаЬ
(интегрирование по dx dy производится дважды по площади сечения эллипсоида плоскостью ху). Таким образом,
Dxx = ^(2a2-b2-c2), />„„ = -=-(2&а-аа-с*)
Dzz = -(2c2-a2-b2).
3. Найти распределение зарядов на поверхности незаряженного проводящего эллипсоида во внешнем однородном поле. Решение. Согласно формуле (1,9) имеем
1 дц, 4я дп
1=0
1
4я/гх д£ /| = о
(элемент длины вдоль направления нормали к поверхности эллипсоида есть согласно (4,5) h-^%). С помощью (4,24) и учитывая, что
_ ' дх х
получим
0=®
4лп{х)'
При произвольном направлении внешнего поля относительно осей х, у, г эллипсоида
М- к
g.
4. То же для незаряженного круглого плоского диска (радиуса а), расположенного параллельно полю Определить дипольный момент диска.
Решение. Рассматриваем диск как предел эллипсоида вращения при стремлении полуоси с к нулю. При этом коэффициент деполяризации вдоль этой оси (ось z) стремится к 1, а вдоль осей х и у—к нулю по закону
п«> =!—££, п<*> = 2а
=п<у>==£,
4а
*)
Для диска, расположенного перпендикулярно
к полю, вопрос был бы тривиален; поле
остается однородным во всем пространстве,
а на двух сторонах диска индуцируются
заряды а=±@/4я.
следующему из (4,34). Компонента vx единичного вектора нормали к поверхности эллипсоида вращения стремится к нулю по закону
X (ХЪ-\-иЪ . 22\-li2 ХСЪ XC , ,
Поэтому плотность зарядов
g_(£ Vx =g pcos(P
4яя(д;> л- у а1 р2 '
где р, ф—полярные координаты в плоскости диска.
Дипольный момент диска определяется по формуле (4,26) и равен
4 а3 ^ Зя
Отметим, что он пропорционален а3, а не «объему» диска а2с.
5. Определить потенциал поля вне незаряженного проводящего эллипсоида вращения, расположенного своей осью симметрии параллельно внешнему однородному полю.
Решение. Для вытянутого эллипсоида вращения (а>6 = с, поле 6 в направлении оси ж) получим, вычислив интеграл в формуле (4,24),
J, ^S^Sj
Ф=_е*
!- f—_ .—_
у.
Координата % связана с координатами х и р=Уг/2 + г2 посредством
причем в пространстве вне эллипсоида (KgsSoo.
Для сплюснутого эллипсоида (а = Ь > с) поле 6 направлено вдоль оси г. В связи с этим в интегралах в (4,24) надо заменить s-fa2 на s-f-c2 и взять ф0=—Qz. В результате получим
т+г-"гс,г У т-
причем координата | связана с координатами z и р—Ух^-^-у2 посредством
Р2 I z3 _л
fl2 + g-Tc2+g
6. То же, если ось симметрии эллипсоида перпендикулярна к внешнему полю.
Решение. Для вытянутого эллипсоида (поле в направлении оси г):
Для сплюснутого эллипсоида (поле в направлении оси х):
1
arctg
~2 Vl+c-
-Q,x
:tg j/j-1--^
7. Однородное поле (S, направленное вдоль оси г (в полупространстве г < 0), ограничено заземленной проводящей плоскостью г = 0 с круглым отверстием. Определить поле и распределение зарядов на плоскости.
Решение. Плоскость ху с круглым отверстием радиуса а с центром в начале координат рассматриваем как предельный случай однополостного гиперболоида вращения
Р-
|Г)|
hi
при | г) | —у 0. Эти гиперболоиды представляют собой одно из семейств координатных поверхностей сплюснутой сфероидальной системы координат с с = 0. Декартова координата г выражается согласно (4,9) через | и г| посредством г= ]/"Е | г) |/а, причем корень ]/"| должен быть взят со знаком+или— соответственно в верхнем и нижнем полупространствах.
Ищем решение в виде ф=— F (Q и для функции F (Е) получаем
F(E) =const
jV2
(E + fla)
: COnSt •
a , a
—= —arctg ——
Vl Vl
(постоянную интегрирования полагаем равной нулю в соответствии с условием ф = 0 при г—^+оо, т. е. при ~]f\—>--|_оо). При этом arctg отрицательного аргумента надо понимать как
, а а
arctg ==л—arctg —— ,
-Vl Vl
а не как — arctg (a/Vl). В противном случае потенциал испытывал бы разрыв непрерывности на плоскости отверстия (£ = 0). Постоянный коэффициент выбираем так, чтобы при г—► — оо (т. е. при VI—► — оо, arctg (a/Vl)—*л) было ф=—(?2, и окончательно получаем
Vl
п [ Vl Vl.
VU\
■arctg
1
На проводящей поверхности т) = 0 и потенциал, как и следовало, обращается в нуль.
На больших расстояниях r= Vz~-rP~ °т отверстия имеем Е я г- и потенциал (в верхнем полупространстве) приобретает вид
ф^ е
а1 V — Ц Зл~ Е
Злг3
т. е. поле—дипольного типа, соответствующее дипольному моменту Ф — = 6а3/3л.
Напряженность поля убывает как г-3, и потому ноток поля через бесконечно удаленную поверхность (в полупространстве г > 0) обращается в нуль. Это значит, что все силовые линии, проходящие через отверстие, замыкаются на верхней стороне проводящей плоскости.
Распределение зарядов на проводящей плоскости вычисляется следующим образом:
-г 1 дф 4л dz
г=0 4л J^g й — т) 4я"
arctg7T FFJ
где верхние н нижние знаки относятся к верхней н нижней сторонам плоскости. Согласно формуле
р2 4-4=1.
связывающей g с р, z, на плоскости z = 0 имеем /| = ± Ур2 — о2. Таким образом, распределение зарядов на нижней стороне проводящей плоскости дается формулой
1 / . а . а
При р—>- оо имеем а=—К/4л, как и должно быть. На верхней же стороне
,_ 1 / а .а
а=— ©т—;[ —= — arcsin —
Ы-\ур>_а2 р
Полный индуцированный заряд на верхней стороне плоскости конечен и равен
со
е'= \ a-2npdp = —g.
8. То же, если отверстие в проводящей плоскости представляет собой прямую щель ширины 26.
Решение. Плоскость ху со щелью вдоль оси х рассматриваем как предельный случай гиперболического цилиндра
У"1 z2__j
Ъ- — |т)| |гц
при | т) |—>. 0. Эти гиперболические цилиндры представляют собой одно из семейств эллипсоидальных координатных поверхностей при а—»-оо, с—»■ 0. Декартова координата г = у g | т)
Как и в задаче 7, ищем решение в виде ф=—(5zF(g) и для функции f (g) получаем
F-- const ■
Здесь коэффициент и постоянная интегрирования определяются условиями F — О и F = 1, соответственно, при z -*--|- оо иг-» — оо (т.е. при ]/" g ->- -)- оо и ]/" |-»-—оо), и окончательно получаем
ф - е ^ [ VIW2 т VI]Vm>
где мы теперь понимаем корень У g как положительную величину, а верхний и нижний знаки соответствуют областям г > 0 и г < 0.
На больших расстояниях от щели в верхнем полупространстве имеем g « г/2 + г2 =г2 и потенциал
ф,4/^=
И 4г2 '
т.е. поле двумерного дипольного типа с дипольиым моментом К-62/8 на единицу длины щели (см. формулу в задаче 2 § 3).
Распределение зарядов на проводящей плоскости дается формулой
8яДт/у_62 )
Полный индуцированный заряд на верхней стороне плоскости (отнесенный к единице длины щели) равен
00
Вблизи края щели в выражении для ф(Е, т)) можно положить £ -»■ 0 и т) я —26р sin2 -у,
где р, 9—полярные координаты в плоскости уг, отсчитываемые от края щели (j/ = 6 + pcos9, 2 = psin9). Тогда
~ -, /"bp . 9
ф ~ © ]/ у sm"2 •
в согласии с результатом задачи 3 § 3 для случая 60<^1.