- •Глава I
- •§ 1. Электростатическое поле проводников
- •§ 2. Энергия электростатического поля проводников
- •§ 3. Методы решения электростатических задач
- •2 Л. Д. Ландау, е. М. Лифшиц
- •§ 4. Проводящий эллипсоид
- •§ 5. Силы, действующие на проводник
- •Глава II
- •§ 6. Электростатическое поле в диэлектриках
- •§ 7. Диэлектрическая проницаемость
- •§ 8. Диэлектрический эллипсоид
- •§ 9. Диэлектрическая проницаемость смеси
- •§ 10. Термодинамические соотношения для диэлектриков в электрическом поле
- •§ 11. Полная свободная энергия диэлектрического тела
- •§12. Электрострикция изотропных диэлектриков
- •§ 13. Диэлектрические свойства кристаллов
- •§ 14. Положительность диэлектрической восприимчивости
- •§ 15. Электрические силы в жидком диэлектрике
- •§ 16. Электрические силы в твердых телах
- •§17. Пьезоэлектрики
- •§ 18. Термодинамические неравенства
- •§ 19. Сегнетоэлектрики
- •§ 20. Несобственные сегнетоэлектрики
- •Глава III
- •§ 21. Плотность тока и проводимость
- •§ 22. Эффект Холла
- •§ 23. Контактная разность потенциалов
- •§ 24. Гальванический элемент
- •§ 25. Электрокапиллярность
- •§ 26. Термоэлектрические явления
- •§ 27. Термогальваномагнитные явления
- •§ 28. Диффузионно-электрические явления
- •Глава IV
- •§ 29. Постоянное магнитное поле
- •§ 30. Магнитное поле постоянных токов
- •§ 31. Термодинамические соотношения в магнитном поле
- •§ 32. Полная свободная энергия магнетика
- •§ 33. Энергия системы токов
- •§ 34. Самоиндукция линейных проводников
- •§ 35. Силы в магнитном поле
- •§ 36. Гиромагнитные явления
- •Глава V
- •§ 37. Магнитная симметрия кристаллов
- •§ 38. Магнитные классы и пространственные группы
- •§ 39. Ферромагнетик вблизи точки Кюри
- •§ 40. Энергия магнитной анизотропии
- •§ 41. Кривая намагничения ферромагнетиков
- •§ 42. Магнитострикция ферромагнетиков
- •§ 43. Поверхностное натяжение доменной стенки
- •§ 44. Доменная структура ферромагнетиков
- •§ 45. Однодоменные частицы
- •§ 46. Ориентационные переходы
- •§ 47. Флуктуации в ферромагнетике
- •§ 48. Антиферромагнетик вблизи точки Кюри
- •§ 49. Бикритическая точка антиферромагнетика
- •§ 50. Слабый ферромагнетизм
- •§ 51. Пьезомагнетизм и магнитоэлектрический эффект
- •§ 52. Геликоидальная магнитная структура
- •Глава VI
- •§ 53. Магнитные свойства сверхпроводников
- •§ 54. Сверхпроводящий ток
- •§ 55. Критическое поле
- •2) Мы приводим здесь вычисления с большей точностью, чем это обычно требуется, имея в виду выявить более ясно взаимоотношение между различными термодинамическими величинами.
- •§ 56. Промежуточное состояние
- •§ 57. Структура промежуточного состояния
- •Глава VII
- •§ 58. Уравнения квазистационарного поля
- •§ 59. Глубина проникновения магнитного поля в проводник
- •VaRe{a6*}.
- •§ 60. Скин-эффект
- •§ 61. Комплексное сопротивление
- •§ 62. Емкость в цепи квазистационарного тока
- •§ 63. Движение проводника в магнитном поле
- •0 Из этой формулы видно, что дополнительное тепло, выделяющееся (в течение времени 60 в проводнике при его движении в магнитном поле, есть
- •§ 64. Возбуждение тока ускорением
- •Глава VIII
- •§ 65. Уравнения движения жидкости в магнитном поле
- •§65] Уравнения движения жидкости в магнитном поле 315
- •§66] Диссипативные процессы в магнитной гидродинамике 317
- •§ 66. Диссипативные процессы в магнитной гидродинамике
- •§ 67. Магнитогидродинамическое течение между параллельными плоскостями
- •§ 68. Равновесные конфигурации
- •§ 69. Магнитогидродинамические волны
- •VX&0, Vytt—hjV4пр ,
- •§ 70. Условия на разрывах
- •§ 71. Тангенциальные и вращательные разрывы
- •§ 72. Ударные волны
- •§ 73. Условие эволюционности ударных волн
- •§ 74. Турбулентное динамо
- •Глава IX
- •§ 75. Уравнения поля в диэлектриках в отсутствие дисперсии
- •§ 76. Электродинамика движущихся диэлектриков
- •§ 77. Дисперсия диэлектрической проницаемости
- •§ 78. Диэлектрическая проницаемость при очень больших частотах
- •§ 79. Дисперсия магнитной проницаемости
- •§ 80. Энергия поля в диспергирующих средах
- •§ 81. Тензор напряжений в диспергирующих средах
- •§ 82. Аналитические свойства функции е(со)
- •§ 83. Плоская монохроматическая волна
- •§ 84. Прозрачные среды
- •Глава X
- •§ 85. Геометрическая оптика
- •§ 86. Отражение и преломление волн
- •§ 87. Поверхностный импеданс металлов
- •§ 88. Распространение волн в неоднородной среде
- •§ 89. Принцип взаимности
- •§ 90. Электромагнитные колебания в полых резонаторах
- •§ 91. Распространение электромагнитных волн в волноводах
- •§ 92. Рассеяние электромагнитных волн на малых частицах
- •§ 93. Поглощение электромагнитных волн на малых частицах
- •§ 94. Дифракция на клине
- •§ 95. Дифракция на плоском экране
- •Глава XI
- •§ 96. Диэлектрическая проницаемость кристаллов
- •§ 97. Плоская волна в анизотропной среде
- •§ 98. Оптические свойства одноосных кристаллов
- •§ 99. Двухосные кристаллы
- •§ 100. Двойное преломление в электрическом поле
- •§ 101. Магнитооптические эффекты
- •§ 102. Динамооптические явления
- •Pfffi р 1
- •Глава XII
- •§ 103. Пространственная дисперсия
- •§ 104. Естественная оптическая активность
- •§ 105. Пространственная дисперсия в оптически неактивных средах
- •§ 106. Пространственная дисперсия вблизи линии поглощения
- •Глава XIII
- •§ 107. Преобразование частот в нелинейных средах
- •§ 108. Нелинейная проницаемость
- •§ 109. Самофокусировка
- •§111. Сильные электромагнитные волны
- •§112. Вынужденное комбинационное рассеяние
- •Глава XIV
- •§ 113. Ионизационные потери быстрых частиц в веществе. Нерелятивистский случай
- •§ 114. Ионизационные потери быстрых частиц в веществе. Релятивистский случай
- •§ 115. Излучение Черенкова
- •§ 116. Переходное излучение
- •Глава XV
- •§ 117. Общая теория рассеяния в изотропных средах
- •§ 118. Принцип детального равновесия при рассеянии
- •§ 119. Рассеяние с малым изменением частоты
- •§ 120. Рэлеевское рассеяние в газах и жидкостях
- •§ 121. Критическая опалесценция
- •§ 122. Рассеяние в жидких кристаллах
- •§ 123. Рассеяние в аморфных твердых телах
- •§123] Рассеяние в аморфных твердых телах 595
- •§ 124. Общая теория дифракции рентгеновых лучей
- •§ 125. Интегральная интенсивность
- •§ 126] Диффузное тепловое рассеяние рентгеновых лучей
- •§ 126. Диффузное тепловое рассеяние рентгеновых лучей
- •§ 127. Температурная зависимость сечения дифракции
!)
Более точная формула, п=
1/(2
In
(2/90)),
содержащая коэффициент в
большом
логарифме, в действительности не может
быть получена указанным простым
методом. Более точное вычисление,
однако, по случайным причинам приводит
именно к этой формуле.
2)
Аналогичная задача для двух сфер не
решается в конечном виде. Разница
связана с тем, что в поле двух заряженных
(равными н противоположными зарядами)
параллельных нитей все эквипотенциальные
поверхности являются круговыми
цилиндрами, а в поле двух точечных
зарядов ±
е эквипотенциальные
поверхности не являются сферами.2 Л. Д. Ландау, е. М. Лифшиц
7. Определить взаимную емкость единицы длины двух параллельных бес- конечных цилиндрических проводников (радиусов а и Ь, расстояние между осями с) 2).
Решение. Поле, создаваемое обоими цилиндрами, совпадает с полем, которое создавалось бы (в пространстве вне цилиндров) двумя заряженными нитями, проходящими через соответствующим образом подобранные точки А и А' (рис. 4). Нити несут (на единице длины) заряды ± е, равные зарядам цилиндров, а точки Л и Л' должны быть расположены на линии 00' так, чтобы поверхности цилиндров совпадали с эквипотенциальными поверхностями.
О А-О А'= а?, 0'А'-0'А = Ьг,
т. е.
dj(c — d2) = a2, rf2(c—dj) = 62.
Тогда на каждой из окружностей отношение г'/г расстояний от точек А и А' постоянно: на окружности /
0'A'=tfz и г _ а а _ d1
рис 4 г' OA' ~c — d2~~ а
а на окружности 2 r'Jr — d2/b. Соответственно, потенциалы цилиндров:
г d, „ , d„ „ , d-tdn
q>i = - 2eln-p- = — 2e\n-^ , q>2 = 2eln-^-, ф2 — ф1 = 2« In .
Отсюда находим для искомой взаимной емкости С = г/(ф2 — фх):
-7г=2 п -V=2 Arch 0—г •
С ab 2аЬ
В частности, для цилиндра радиуса а, находящегося на расстоянии h > а от проводящей плоскости, надо положить c=b-srh и перейти к пределу b—<-оо;
это дает
-^ = 2 Arch А. С а
Если
два полых цилиндра находятся один
внутри другого (с < Ь-поле
снаружи отсутствует, а поле в пространстве
между цилиндрами дает с полем, которое
создавалось бы двумя нитями с зарядами
-\-е
и
—е,
проходящими
через точки А
а
А'
(рис.
5). Тем же способом получим результат:
2ab
-^г = 2 Arch —
8. Граница проводника представляет собой неограниченную плоскость с выступом в виде полушария. Найти распределение зарядов на поверхности.
Решение. В найденном в задаче 1 поле с потенциалом вида
/ R3 Ф= const -г II з~
-а), то совпа-
плоскость г = 0 с выступом r=R является эквипотенциальной поверхностью (на которой ф = 0). Поэтому она может быть и поверхностью проводника, а написанная формула определяет поле вне проводника. Распределение
зарядов на плоской части поверхности дается формулой
_1_ Лр 4я dz
г=о
(мы положили const = —4яа0, где а0 — плотность зарядов вдали от выступа). На поверхности же выступа
„_ 1 дц.
An дг
9. Определить дипольный момент тонкого проводящего цилиндрического стержня (длины 21, радиуса а; а<^1) в электрическом поле (J, параллельном его оси.
7i
х
(z')
dz'
Ар
=
0, R
=
(г'— z)2 + 4а2 sin2-|-
(ф — Угол между плоскостями, проходящими через ось цилиндра и через точки на его поверхности, расстояние между которыми равное). Разобьем интеграл на две части, написав в нем тождественно т (г') =т (г) + [х (г')—т(г)]. Учитывая, что 1^>а, и рассматривая точки, не слишком близкие к концам стержня, имеем
х (z) С С dz'dw х (z)2?. /2—z2 , 4 (/2 —z2)
о
^использовано известное значение ^ In sin ф d<p=— я In 2 J. В интеграле, содержащем разность т(г')—т(г), можно пренебречь членом с а' в ^, так как это не повлечет за собой расходимости интеграла. Таким образом,
(£z = t (z) In
4 (/2—z2)
Т(2')— X(Z)
dz'.
Зависимость x от z в основном сводится к пропорциональности z; в этом приближении стоящий здесь интеграл дает —2т (z), и в результате получаем
@2
(2) In [4(/2—z2)/a2] —2-
Это выражение непригодно вблизи концов стержня, но для вычисления искомого дипольного момента эта область значений z несущественна. С принятой нами здесь точностью имеем:
2
i
Л
2
(где L=ln(2//a)— 1—большое число), или, с той же точностью,
@/3
-1п2
3[In(4//a)-'/3] *
- Г2/г' (I — длина
10. Определить емкость полого сферического проводящего сегмента. Решение. Выберем начало координат О в какой-либо точке края сег-
мента (рис. 6) и произведем преобразование инверсии
хорды
в главном сечении сегмента). При этом
сегмент переходит в полуплоскость
(штриховая прямая на рис. 6), перпендикулярную
к радиусу АО
сегмента
и проходящую через точку В
его
края; угол у = л — 6, где 2G
— угол раствора сегмента.
ф=
Если потенциал сегмента, несущего на себе заряд е, принчть за нуль, то при г —>■ со потенциал поля стремится к
-фо-
.!ф»-|_
г' '
Соответственно, в преобразованной задаче при г'—*• 0 потенциал стремится к , /го /ф„ , е ф =J
I
(первый член соответствует заряду е' = —/ф0 С другой стороны, согласно (3,22) имеем
, е|_ /' , 0
ф г' 2л/I +s.n0
в начале координат).
(потенциал вблизи заряда е', находящегося на расстоянии / от края проводящей полуплоскости с потенциалом нуль). Сравнив оба выражения, получим для искомой емкости С = е/ф„ следующую формулу:
2л V
1 +
Sin I
= —■ (s;n
6 + 6)
(R— радиус сегмента).
П. Определить связанную с краевыми эффектами поправку к значению C=S/4nd для емкости плоского конденсатора (S — площадь поверхности обкладки, d—расстояние между обкладками; d<^]fS).
а)
4
— tp=0
б)
Решение.
Наличие у обкладок свободных краев
нарушает равномерность распределения
зарядов на них. Для определения искомой
поправки в первом приближении
рассматриваем точки обкладок,
удаленные от края на расстояния х
такие,
что d<^x<^]/^S.
Рассматривая, например, верхнюю
обкладку (с потенциалом ф = ф0,<2;
рис. 7, а)
и
пренебрегая ее расстоянием rf/2
до средней плоскости (эквипотенциальная
поверхность ф = 0), мы получаем задачу
о поле вблизи границы двух частей
плоскости, имеющих различные
потенциалы (рис. 7, б). Эта задача решается
элементарно 3),
и в результате для избыточной (по
сравнению с а
вдали
от края) плотности зарядов получается
выражение
4л
, Еп _ фо
Дсг=
х) См. § 23; в формуле' (23,2) для потенциала надо положить в данном случае фаь = фо/2, а = л.
так что полный избыточный заряд
(L—длина периметра обкладки); при вычислении логарифмически расходящегося интеграла в качестве верхнего и нижнего пределов подставляем границы области d <^ х <^ У S.
Отсюда находим емкость:
г__ S L y~S
Более точное вычисление (определение коэффициента в аргументе логарифма) требует применения значительно более сложных методов, причем результат зависит от формы обкладок. Для круговых (радиуса R) обкладок получается
(формула Кирхгофа).
