
- •Глава I
- •§ 1. Электростатическое поле проводников
- •§ 2. Энергия электростатического поля проводников
- •§ 3. Методы решения электростатических задач
- •2 Л. Д. Ландау, е. М. Лифшиц
- •§ 4. Проводящий эллипсоид
- •§ 5. Силы, действующие на проводник
- •Глава II
- •§ 6. Электростатическое поле в диэлектриках
- •§ 7. Диэлектрическая проницаемость
- •§ 8. Диэлектрический эллипсоид
- •§ 9. Диэлектрическая проницаемость смеси
- •§ 10. Термодинамические соотношения для диэлектриков в электрическом поле
- •§ 11. Полная свободная энергия диэлектрического тела
- •§12. Электрострикция изотропных диэлектриков
- •§ 13. Диэлектрические свойства кристаллов
- •§ 14. Положительность диэлектрической восприимчивости
- •§ 15. Электрические силы в жидком диэлектрике
- •§ 16. Электрические силы в твердых телах
- •§17. Пьезоэлектрики
- •§ 18. Термодинамические неравенства
- •§ 19. Сегнетоэлектрики
- •§ 20. Несобственные сегнетоэлектрики
- •Глава III
- •§ 21. Плотность тока и проводимость
- •§ 22. Эффект Холла
- •§ 23. Контактная разность потенциалов
- •§ 24. Гальванический элемент
- •§ 25. Электрокапиллярность
- •§ 26. Термоэлектрические явления
- •§ 27. Термогальваномагнитные явления
- •§ 28. Диффузионно-электрические явления
- •Глава IV
- •§ 29. Постоянное магнитное поле
- •§ 30. Магнитное поле постоянных токов
- •§ 31. Термодинамические соотношения в магнитном поле
- •§ 32. Полная свободная энергия магнетика
- •§ 33. Энергия системы токов
- •§ 34. Самоиндукция линейных проводников
- •§ 35. Силы в магнитном поле
- •§ 36. Гиромагнитные явления
- •Глава V
- •§ 37. Магнитная симметрия кристаллов
- •§ 38. Магнитные классы и пространственные группы
- •§ 39. Ферромагнетик вблизи точки Кюри
- •§ 40. Энергия магнитной анизотропии
- •§ 41. Кривая намагничения ферромагнетиков
- •§ 42. Магнитострикция ферромагнетиков
- •§ 43. Поверхностное натяжение доменной стенки
- •§ 44. Доменная структура ферромагнетиков
- •§ 45. Однодоменные частицы
- •§ 46. Ориентационные переходы
- •§ 47. Флуктуации в ферромагнетике
- •§ 48. Антиферромагнетик вблизи точки Кюри
- •§ 49. Бикритическая точка антиферромагнетика
- •§ 50. Слабый ферромагнетизм
- •§ 51. Пьезомагнетизм и магнитоэлектрический эффект
- •§ 52. Геликоидальная магнитная структура
- •Глава VI
- •§ 53. Магнитные свойства сверхпроводников
- •§ 54. Сверхпроводящий ток
- •§ 55. Критическое поле
- •2) Мы приводим здесь вычисления с большей точностью, чем это обычно требуется, имея в виду выявить более ясно взаимоотношение между различными термодинамическими величинами.
- •§ 56. Промежуточное состояние
- •§ 57. Структура промежуточного состояния
- •Глава VII
- •§ 58. Уравнения квазистационарного поля
- •§ 59. Глубина проникновения магнитного поля в проводник
- •VaRe{a6*}.
- •§ 60. Скин-эффект
- •§ 61. Комплексное сопротивление
- •§ 62. Емкость в цепи квазистационарного тока
- •§ 63. Движение проводника в магнитном поле
- •0 Из этой формулы видно, что дополнительное тепло, выделяющееся (в течение времени 60 в проводнике при его движении в магнитном поле, есть
- •§ 64. Возбуждение тока ускорением
- •Глава VIII
- •§ 65. Уравнения движения жидкости в магнитном поле
- •§65] Уравнения движения жидкости в магнитном поле 315
- •§66] Диссипативные процессы в магнитной гидродинамике 317
- •§ 66. Диссипативные процессы в магнитной гидродинамике
- •§ 67. Магнитогидродинамическое течение между параллельными плоскостями
- •§ 68. Равновесные конфигурации
- •§ 69. Магнитогидродинамические волны
- •VX&0, Vytt—hjV4пр ,
- •§ 70. Условия на разрывах
- •§ 71. Тангенциальные и вращательные разрывы
- •§ 72. Ударные волны
- •§ 73. Условие эволюционности ударных волн
- •§ 74. Турбулентное динамо
- •Глава IX
- •§ 75. Уравнения поля в диэлектриках в отсутствие дисперсии
- •§ 76. Электродинамика движущихся диэлектриков
- •§ 77. Дисперсия диэлектрической проницаемости
- •§ 78. Диэлектрическая проницаемость при очень больших частотах
- •§ 79. Дисперсия магнитной проницаемости
- •§ 80. Энергия поля в диспергирующих средах
- •§ 81. Тензор напряжений в диспергирующих средах
- •§ 82. Аналитические свойства функции е(со)
- •§ 83. Плоская монохроматическая волна
- •§ 84. Прозрачные среды
- •Глава X
- •§ 85. Геометрическая оптика
- •§ 86. Отражение и преломление волн
- •§ 87. Поверхностный импеданс металлов
- •§ 88. Распространение волн в неоднородной среде
- •§ 89. Принцип взаимности
- •§ 90. Электромагнитные колебания в полых резонаторах
- •§ 91. Распространение электромагнитных волн в волноводах
- •§ 92. Рассеяние электромагнитных волн на малых частицах
- •§ 93. Поглощение электромагнитных волн на малых частицах
- •§ 94. Дифракция на клине
- •§ 95. Дифракция на плоском экране
- •Глава XI
- •§ 96. Диэлектрическая проницаемость кристаллов
- •§ 97. Плоская волна в анизотропной среде
- •§ 98. Оптические свойства одноосных кристаллов
- •§ 99. Двухосные кристаллы
- •§ 100. Двойное преломление в электрическом поле
- •§ 101. Магнитооптические эффекты
- •§ 102. Динамооптические явления
- •Pfffi р 1
- •Глава XII
- •§ 103. Пространственная дисперсия
- •§ 104. Естественная оптическая активность
- •§ 105. Пространственная дисперсия в оптически неактивных средах
- •§ 106. Пространственная дисперсия вблизи линии поглощения
- •Глава XIII
- •§ 107. Преобразование частот в нелинейных средах
- •§ 108. Нелинейная проницаемость
- •§ 109. Самофокусировка
- •§111. Сильные электромагнитные волны
- •§112. Вынужденное комбинационное рассеяние
- •Глава XIV
- •§ 113. Ионизационные потери быстрых частиц в веществе. Нерелятивистский случай
- •§ 114. Ионизационные потери быстрых частиц в веществе. Релятивистский случай
- •§ 115. Излучение Черенкова
- •§ 116. Переходное излучение
- •Глава XV
- •§ 117. Общая теория рассеяния в изотропных средах
- •§ 118. Принцип детального равновесия при рассеянии
- •§ 119. Рассеяние с малым изменением частоты
- •§ 120. Рэлеевское рассеяние в газах и жидкостях
- •§ 121. Критическая опалесценция
- •§ 122. Рассеяние в жидких кристаллах
- •§ 123. Рассеяние в аморфных твердых телах
- •§123] Рассеяние в аморфных твердых телах 595
- •§ 124. Общая теория дифракции рентгеновых лучей
- •§ 125. Интегральная интенсивность
- •§ 126] Диффузное тепловое рассеяние рентгеновых лучей
- •§ 126. Диффузное тепловое рассеяние рентгеновых лучей
- •§ 127. Температурная зависимость сечения дифракции
§ 3. Методы решения электростатических задач
Общие методы решения уравнения Лапласа при заданных граничных условиях на тех или иных поверхностях изучаются в соответствующем разделе математической физики, и в нашу цель не входит полное их изложение. Мы ограничимся здесь лишь указанием некоторых более простых приемов и решением ряда типичных задач, имеющих самостоятельный интерес1).
])
Решение значительного числа более
сложных задач можно найти в книгах:
Смайпг
В. Электростатика
и электродинамика.—М.: ИЛ, 1954 (Smythe
W.
R.
Static
and
dynamic
electricity.—McGraw-Hill,
N. Y.,
1950); Гринберг
Г. А. Избранные
вопросы математической теории
электрических и
магнитных
явлений.— М.: Изд. АН СССР, 1948.
расположенного в точке, представляющей собой зеркальное отражение точки е в граничной плоскости проводящей среды. Потенциал поля заряда е и его «изображения» е' равен
ф = е(1-1), (3,1)
где г и г' — расстояния точки наблюдения от зарядов е и е'. На граничной плоскости г = г' и потенциал имеет постоянное значение ф = 0, так что необходимое граничное условие действительно выполняется и (3,1) дает решение поставленной задачи. Отметим, что заряд е притягивается к проводнику с силой е2/(2а)2 (сила изображения), а энергия взаимодействия равна — е2/4а.
1
<5ф
4я дп
3
>
2л
г
(3,2)
где а — расстояние от заряда до плоскости. Легко убедиться в-том, что полный заряд на этой плоскости равен
J adf= — е,
как и должно быть.
Общий заряд, индуцированный посторонними зарядами на первоначально не заряженном изолированном проводнике, разумеется, остается равным нулю. Поэтому, если в данном случае проводящая среда (в действительности — проводник больших размеров) изолирована, то надо представлять себе, что одновременно с зарядом —е индуцируется заряд +е, который, однако, будучи распределен по поверхности большого тела, имеет исчезающую плотность.
Далее, рассмотрим более сложную задачу о поле, создаваемом точечным зарядом е, находящимся вблизи шарового проводника. Для решения этой задачи воспользуемся следующим результатом, который легко проверить непосредственными вычислениями. Потенциал поля, создаваемого двумя точечными зарядами е и —е',
е е'
^ г г'
обращается в нуль на сферической поверхности радиуса R, центр которой лежит на продолжении прямой, соединяющей точки е и е', на расстоянии I и Г от этих точек, причем /, Г, R удовлетворяют равенствам ///' = (е/е')2, R2 = ll'.
Предположим сначала, что шаровой проводник поддерживается при постоянном потенциале ф = 0 (шар заземлен). Тогда поле, создаваемое вне шара точечным зарядом е, находящимся на расстоянии / от центра шара (в точке А на рис. 1), будет совпа
дать с полем, создаваемым системой двух зарядов—данным зарядом е и фиктивным зарядом —е', помещенным внутри шара (точка А') на расстоянии /' от его центра, причем
l' = R*/l, e'=eR/l. (3,3)
Потенциал этого поля
<p = e/r—eR/lr' (3,4)
2(Г--силой
еЧЯ
*Ц=-»т^т =(3,5)
-R2)'
2(1-1')
и заряд притягивается к шару с F-.
Если
же проводящая сфера поддерживается
при равном нулю полном заряде
(изолированный незаряженный шар), то
надо ввести еще один фиктивный заряд
таким образом, чтобы полный индуцированный
на поверхности шара заряд оказался
равным нулю, причем не должно нарушаться
постоянство потенциала на этой
поверхности. Это достигается помещением
заряда -\-е'
в
центр шара. Потенциал искомого поля
определится тогда формулой
<P = f-F + £- <3'6>
41 = '
Энергия взаимодействия в этом случае будет
2 V I l — l') ~ 212(1*-
Наконец, если заряд е находится в сферической полости в проводящей среде (в точке А', рис. 1), то поле внутри полости совпадает с полем, которое создавалось бы зарядом е и его «изображением» в точке А вне сферы (независимо от того, заземлен проводник или изолирован):
eR
(3,8)
Метод инверсии. Существует простой метод, который в ряде случаев позволяет по известному решению одной электростатической задачи находить решение другой задачи. Основанием этого метода является инвариантность уравнения Лапласа по отношению к определенному преобразованию переменных.
В сферических координатах уравнение Лапласа имеет вид
где посредством Дг> обозначена угловая часть оператора Лапласа. Легко убедиться в том, что это уравнение сохраняет свою форму, если вместо переменной г ввести новую переменную г' согласно
'=4 (3,9)
(преобразование инверсии) и одновременно заменить неизвестную функцию ф согласно
ф = ^ф'. (ЗЛО)
Здесь R— некоторая постоянная с размерностью длины (радиус инверсии). Таким образом, если функция ф (г) удовлетворяет уравнению Лапласа, то функция
ф'(г')=4ф(^г') (3,11)
тоже есть решение этого уравнения.
Предположим, что нам известно решение задачи об электростатическом поле, создаваемом некоторой системой проводников, которые находятся при одном и том же потенциале ф0, и системой точечных зарядов. Потенциал ф(г) обычно определяют так, чтобы он обращался в нуль на бесконечности. Здесь, однако, мы определим ф (г) так, чтобы на бесконечности эта функция стремилась к —ф0; тогда на проводниках ф = 0.
Выясним теперь, какая электростатическая задача будет решаться преобразованной функцией (3,11). Прежде всего, меняются фигуры всех протяженных проводников и их взаимное расположение. Граничное условие постоянства потенциала на поверхности проводников автоматически выполняется, так как при ф = 0 будет и ф' = 0. Далее, меняются расположение и величины всех точечных зарядов. Заряд, находящийся в точке г0, переходит в точку г„ = (R2/r%) г0 и приобретает величину е', которую можно определить следующим образом. При г—>г0 потенциал ф (г) обращается в бесконечность по закону ф = е/|бг|, где бг = г—г„. С другой стороны, дифференцируя соотношение г = (R2/r>l) г', найдем, что абсолютные значения малых разностей бг и бг' = г' — Го связаны друг с другом соотношением
(бг)2=-^4(бг')2.
о
Поэтому при г' —* Гр функция ф' стремится к бесконечности по закону
,_R е _ "'0
ф 'о 14 /?|6г'|' соответствующему заряду
Наконец, рассмотрим поведение функции ср'(г') вблизи начала координат. Точке г' = 0 соответствует г—*оо. Но при г —>оо функция ф(г) стремится к —ф0. Поэтому при г' —* 0 функция ф' обращается в бесконечность по закону
ф'
Это значит, что в точке г' = 0 находится заряд е0 = — #ф0.
Укажем, как преобразуются при инверсии некоторые геометрические фигуры. Сферическая поверхность радиуса а с центром в точке г0 дается уравнением
(r-r0)' = a2. Произведя инверсию, получим уравнение
*lr'-r0)2 = a2,
которое после умножения на г'2 и перегруппировки членов может
быть приведено к виду (г'—г^)2 = а'2, где
R2r0 , aR*
■о— 2 г • " — Т~2 2Т- (3,13)
а* —го |а2 — г0|
Таким образом, мы снова получаем сферу другого радиуса а' и с центром в точке г„. Если первоначальная сфера проходила через начало координат (a = r0), то а' = оо; в этом случае сфера преобразуется в плоскость, перпендикулярную к направлению г0 и проходящую на расстоянии
Г° а ~ a + ra ~ 2а
от начала координат.
Метод конформного отображения. Поле, зависящее только от двух декартовых координат (х, у), называют плоским. Мощным средством для решения плоских задач электростатики является теория функций комплексного переменного. Основания для применения этой теории заключаются в следующем.
Электростатическое поле в пустоте удовлетворяет двум уравнениям: rotE = 0 и divE = 0. Первое из них позволяет ввести потенциал поля согласно Е = — grad ф. Второе же уравнение показывает, что наряду с ф можно ввести также и «векторный потенциал» поля А согласно E = rotA. В плоском случае вектор Е лежит в плоскости ху и зависит только от этих двух координат.
Соответственно, вектор А можно выбрать так, чтобы он был везде направлен перпендикулярно к плоскости ху. Тогда компоненты напряженности выражаются в виде производных от ср или А согласно
ех=-?*.™, е |ф=_|1. (3;14)
х дх ду ' у ду дх ■ ' '
Но такие соотношения между производными функций ср и А с математической точки зрения совпадают с известными условиями Коши — Римана, выражающими тот факт, что комплексное выражение
w = y — iA (3,15)
является. аналитической функцией комплексного аргумента z — x-{-iy. Это значит, что функция w(z) имеет в каждой точке определенную производную, не зависящую от направления, в котором она берется. Так, дифференцируя в направлении оси х, найдем, что
dw <5ф . дА
dz ~ дх дх 1
или
% = -Ex + iEy. (3,16)
Функция w называется комплексным потенциалом. Силовые линии поля определяются уравнением
dx dy
ТГ~ = ~Ё~'
*-*х LLj/
Выражая Ех и Еу через производные от А, перепишем это уравнение в виде
dx^+dy^-dA=0'
откуда А (х, у) = const. Таким образом, линии постоянных значений мнимой части функции w(z) представляют собой силовые линии поля. Линии же постоянных значений ее вещественной части являются эквипотенциальными линиями. Взаимная ортогональность этих двух семейств линий обеспечивается уже исходными соотношениями (3,14), согласно которым
бф дА д<р дА q
дх дх * ду ду
Как вещественная, так и мнимая части аналитической функции w(z) в равной степени удовлетворяют уравнению Лапласа. Поэтому с тем же успехом можно принять \mw в качестве потенциала поля. Соответственно силовые линии будут тогда даваться уравнениями Re w = const. Вместо (3,15) будем при этом иметь w =А +icp.
Поток напряженности электрического поля через какой-либо отрезок эквипотенциальной линии дается интегралом
где dl есть элемент эквипотенциальной линии, а п—направление нормали к ней. Согласно соотношениям (3,14) имеем д(р/дп = = —дА/dl, причем выбор знака предполагает, что если смотреть в направлении п, то положительное направление / — влево. Поэтому
§Endl = ^dl=At-Alt
где Аг и А1 — значения А на обоих концах отрезка. В частности, поток электрического поля через замкнутый контур равен 4ле, где е—полный заряд, охватываемый этим контуром (отнесенный к единице длины проводников вдоль оси z). Поэтому
е = ^ДЛ, (3,17)
где ДЛ— изменение А при обходе замкнутой эквипотенциальной линии в направлении против часовой стрелки.
Простейшим примером комплексного потенциала является потенциал поля заряженной прямой нити (совпадающей с осью z). Напряженность этого поля дается формулами
ЕГ-=Ц-, £6 = 0,
где г, 8—полярные координаты в плоскости ху, а е— заряд единицы длины нити. Соответствующий комплексный потенциал
ву = —2elnz = —2elnr—2te0. (3,18)
Если же заряженная нить проходит не через начало координат, а через точку (х0, у0), то комплексный потенциал
w= — 2e\n(z—z„), (3,19)
где z0 = x0 + iy0.
С математической точки зрения функциональное соотношение w = w(z) осуществляет конформное отображение плоскости комплексного переменного г на плоскость комплексного переменного w. Пусть С есть контур сечения проводника в плоскости ху, а ф0 — потенциал этого проводника. Из всего сказанного выше ясно, что задача об определении поля, создаваемого этим проводником, сводится к нахождению такой функции w (z), которая отображала бы контур С в плоскости z на линию да=ф0, параллельную оси ординат в плоскости да; тогда вещественная часть Re w даст потенциал рассматриваемого поля (если же функция w(z) отображает контур С на линию, параллельную оси абсцисс, то потенциал дается функцией Imw).
З
адача
о клине. Приведем
здесь для справок формулы, опре-
деляющие
поле, создаваемое точечным зарядом е,
расположенным
в
пространстве между двумя пересекающимися
проводящими
полуплоскостями. Пусть
ось г
цилиндрической
системы коорди-
нат г,
8,
г
совпадает
с линией
края угла, причем угол 6
отсчи-
ау тывается
от одной из его сторон;
заряд е пусть находится в точке -у а, у, 0 (рис. 2). Угол раствора а
межДУ плоскостями может быть как меньше, так и больше л; в Рис- 2- последнем случае мы имеем дело
с зарядом, расположенным вне проводящего клина. Потенциал поля дается формулой
sh (я£/а)
sh (nt,/a\
а V Чаг J
Т)
. я£ л (9 —v)
ch — — cos — —
а а ch — — cos —-—i—^ а а
]Ach g — ch г|
(3,20)
Ch T| =
2ar
л > 0;
на поверхности проводника, т. е. при 6 = 0, а, потенциал ф = 0 (Я. М. Macdonald, 1895)1).
В частности, при а = 2л получается проводящая полуплоскость в поле точечного заряда. В этом случае интеграл (3,20) вычисляется в конечном виде и дает
9—v\ / е + Г
ф |а= 2л-
1
-pr-arccos
|— ^т-arccos
■
(3,21)
R = [а2 + г2 + 22 — 2ar cos (у—0)]1/. #' = [а2 + г2 + z2 — 2аг cos (у + 0)]1/.
В пределе, когда точка наблюдения поля стремится к точке нахождения заряда е, потенциал (3,21) принимает вид
sin
у
Ф
2ла
(3,22)
Первый член есть чисто кулоновский потенциал, обращающийся в бесконечность при R —* 0, а ф' — изменение потенциала в точке нахождения заряда под влиянием проводника. Энергия
:) Вывод этой формулы можно найти в книгах: Батыгин В. В., Топтыгин И. Н. Сборник задач по электродинамике.— М.: «Наука», 1970, задачи 205, 206; Macdonaid Н. М. Electromagnetism.—Bell, London, 1934,
взаимодействия заряда с проводящей полуплоскостью есть Задачи
1. Определить поле вокруг проводящего незаряженного щара (радиуса R), находящегося во внешнем однородном электрическом поле
Решение. Пишем потенциал в виде ф = ф0 + фъ где ф0 = —(gr — потенциал внешнего поля, а ц>1 — искомое изменение потенциала, вызываемое шаром. Ввиду симметрии шара функция фх может зависеть лишь от одного постоянного вектора ($•. Единственное такое решение уравнения Лапласа, обращающееся в нуль на бесконечности, есть
1 . С?г
ф! = —const-(gv ~=consi--y3-
(начало координат выбираем в центре шара). На поверхности шара ф должно быть постоянным; отсюда находим const = R3, так что
Ф = — (Sr cos 6^1—
3©
„ = -^cos 6; --R
4п
1_ 5ф
° 4я дг
полный заряд е = 0.
Дипольный момент шара проще всего найти путем сравнения фх с потенциалом ^rjr3 поля электрического диполя; найдем
<P = R3<g.
2. То же для бесконечного цилиндра в поперечном однородном поле.
Решение. Вводим полярные координаты в плоскости, перпендикулярной к оси цилиндра. Решение двумерного уравнения Лапласа, зависящее только от одного постоянного вектора, есть
ф^сопвЬ^У \nr= const • ^tJ-. Складывая с ф0= — г(5- и положив const = ^?3, получим
ф=—grcose •
Поверхностная плотность зарядов
@ А
а=-^— cos о.
Дипольный момент S* единицы длины цилиндра можно найти путем сравнения ф с потенциалом двумерного дипольного поля. Последний имеет вид
так что <p = (gR2/2.
Решения двумерного уравнения Лапласа, пропорциональные гп, суть г" cos лб и rn sin пв. Решение с наименьшим л, удовлетворяющее условию <p — const при 6=0 и 0 = 2л— 80 (на поверхности проводника), есть
(p=-const-r™ sin лб, п — п/(2н — 0,,).
Напряженность поля, соответственно, зависит от г как [I г"'1. При 0„ < л (л < 1), следовательно, напряжен- ность обращается вблизи края угла в бесконечность. Рис. 3. в частности, для очень тонкого клина (60<g;l, пх1/2)
Е растет при уменьшении г как г~'^2. Вблизи же края клиновидной вогнутости на поверхности проводника (00 >я, п > 1) поле стремится к нулю.
Значение const может быть определено только из решения задачи для всего поля в целом. Так, для очень тонкого клипа в поле точечного заряда е предельный переход к малым г в (3,21) подтверждает закон
Ф = const - Y г sin -5-,
4е
У'а
const -
■ V
n(a2 + z2)Sm 2 •
Слова «вблизи клиновидного края» означают в этом случае условие г<^.а, при выполнении которого можно пренебречь членом д2<р/дг2 в уравнении Лапласа.
4. Определить поле вблизи конца тонкого конического острия на поверхности проводника.
Решение. Выбираем сферические координаты с началом в вершине и с полярной осью вдоль оси конического острия. Угол раствора конуса пусть будет 2в0 <g; 1, так что области вне проводника соответствуют значения полярного угла 60<6<л. Аналогично тому, как это делалось в предыдущей задаче, ищем решение (для переменной части потенциала), симметричное относительно оси конуса, в виде
Ф = 'л/(в) (1)
с наименьшим возможным л. Уравнение Лапласа
дг
sin 0 Л)
sin I
sin 0 d0
после подстановки этого выражения дает 1 d f . „dj
TQ)-Vn(n
l)/ = 0.
(2)
Условие постоянства пот?нциала на поверхности острия означает, что должно быть /(6„) = 0.
При малом 60 ищем решение, сделав предположение, что п<^1, а /(6) имеет вид / = const [1 -(-гр (в)], где ч|)<€1 (при 00—^0, т. е. для бесконечно тонкого острия, естественно ожидать, что ф стремится к постоянной почти во всей области вокруг острия). Для i|) получаем уравнение
1
d
I
. dip
\ .
а
sm6-J-
I ==— / sin
0 dQ
\ dQ
Решение, в котором ij) не имеет особенностей в области вне острия (в частности, при 6 = л), есть
а
ijj (6) =2n In sin -jj-.
При 9~90<^1 функция 1|з (6) перестает быть малой. Тем не менее полученное выражение остается применимым, так как в этой области в силу малости 6 можно вообще пренебречь вторым членом уравнения (2). Для определения постоянной п в первом приближении надо потребовать обращения в нуль найденной выше функции /=1+т|) при 6=6„. Таким образом, найдем1)
_ 1
п~ 2ine0'
Напряженность поля неограниченно возрастает при приближении к концу острня как г-*1-"', т. е. в основном как 1/г.
5. То же для тонкого конического углубления на поверхности проводника.
Решение. Области вне проводника теперь соответствуют значения 0<6<60. Как н в предыдущей задаче, ищем <р в виде (1), но теперь будет n^> 1. Поскольку по всей области поля теперь 6<^ 1, то уравнение (2) можно написать в виде
Это—уравнение Бесселя, и его решение, не имеющее особенностей в области поля, есть J0 (пб). Значение п определяется как наименьший корень уравнения У0(п60)=0, откуда
п = 2,4/60.
6. Определить энергию притяжения электрического диполя к плоской поверхности проводника.
Решение. Выбираем ось х перпгндикулярной к поверхности проводника и проходящей через точку нахождения диполя; вектор дипольного момента <р пусть лежит в плоскости ху. «Изображение» диполя находится в точке —х и имеет дипольный момент fpx = fpx, 5*у =—5V Искомая энергия притяжения вычисляется как энергия взаимодействия диполя с его «изображением» и равна
«K = -JL(25»2+S>J).