
- •Глава I
- •§ 1. Электростатическое поле проводников
- •§ 2. Энергия электростатического поля проводников
- •§ 3. Методы решения электростатических задач
- •2 Л. Д. Ландау, е. М. Лифшиц
- •§ 4. Проводящий эллипсоид
- •§ 5. Силы, действующие на проводник
- •Глава II
- •§ 6. Электростатическое поле в диэлектриках
- •§ 7. Диэлектрическая проницаемость
- •§ 8. Диэлектрический эллипсоид
- •§ 9. Диэлектрическая проницаемость смеси
- •§ 10. Термодинамические соотношения для диэлектриков в электрическом поле
- •§ 11. Полная свободная энергия диэлектрического тела
- •§12. Электрострикция изотропных диэлектриков
- •§ 13. Диэлектрические свойства кристаллов
- •§ 14. Положительность диэлектрической восприимчивости
- •§ 15. Электрические силы в жидком диэлектрике
- •§ 16. Электрические силы в твердых телах
- •§17. Пьезоэлектрики
- •§ 18. Термодинамические неравенства
- •§ 19. Сегнетоэлектрики
- •§ 20. Несобственные сегнетоэлектрики
- •Глава III
- •§ 21. Плотность тока и проводимость
- •§ 22. Эффект Холла
- •§ 23. Контактная разность потенциалов
- •§ 24. Гальванический элемент
- •§ 25. Электрокапиллярность
- •§ 26. Термоэлектрические явления
- •§ 27. Термогальваномагнитные явления
- •§ 28. Диффузионно-электрические явления
- •Глава IV
- •§ 29. Постоянное магнитное поле
- •§ 30. Магнитное поле постоянных токов
- •§ 31. Термодинамические соотношения в магнитном поле
- •§ 32. Полная свободная энергия магнетика
- •§ 33. Энергия системы токов
- •§ 34. Самоиндукция линейных проводников
- •§ 35. Силы в магнитном поле
- •§ 36. Гиромагнитные явления
- •Глава V
- •§ 37. Магнитная симметрия кристаллов
- •§ 38. Магнитные классы и пространственные группы
- •§ 39. Ферромагнетик вблизи точки Кюри
- •§ 40. Энергия магнитной анизотропии
- •§ 41. Кривая намагничения ферромагнетиков
- •§ 42. Магнитострикция ферромагнетиков
- •§ 43. Поверхностное натяжение доменной стенки
- •§ 44. Доменная структура ферромагнетиков
- •§ 45. Однодоменные частицы
- •§ 46. Ориентационные переходы
- •§ 47. Флуктуации в ферромагнетике
- •§ 48. Антиферромагнетик вблизи точки Кюри
- •§ 49. Бикритическая точка антиферромагнетика
- •§ 50. Слабый ферромагнетизм
- •§ 51. Пьезомагнетизм и магнитоэлектрический эффект
- •§ 52. Геликоидальная магнитная структура
- •Глава VI
- •§ 53. Магнитные свойства сверхпроводников
- •§ 54. Сверхпроводящий ток
- •§ 55. Критическое поле
- •2) Мы приводим здесь вычисления с большей точностью, чем это обычно требуется, имея в виду выявить более ясно взаимоотношение между различными термодинамическими величинами.
- •§ 56. Промежуточное состояние
- •§ 57. Структура промежуточного состояния
- •Глава VII
- •§ 58. Уравнения квазистационарного поля
- •§ 59. Глубина проникновения магнитного поля в проводник
- •VaRe{a6*}.
- •§ 60. Скин-эффект
- •§ 61. Комплексное сопротивление
- •§ 62. Емкость в цепи квазистационарного тока
- •§ 63. Движение проводника в магнитном поле
- •0 Из этой формулы видно, что дополнительное тепло, выделяющееся (в течение времени 60 в проводнике при его движении в магнитном поле, есть
- •§ 64. Возбуждение тока ускорением
- •Глава VIII
- •§ 65. Уравнения движения жидкости в магнитном поле
- •§65] Уравнения движения жидкости в магнитном поле 315
- •§66] Диссипативные процессы в магнитной гидродинамике 317
- •§ 66. Диссипативные процессы в магнитной гидродинамике
- •§ 67. Магнитогидродинамическое течение между параллельными плоскостями
- •§ 68. Равновесные конфигурации
- •§ 69. Магнитогидродинамические волны
- •VX&0, Vytt—hjV4пр ,
- •§ 70. Условия на разрывах
- •§ 71. Тангенциальные и вращательные разрывы
- •§ 72. Ударные волны
- •§ 73. Условие эволюционности ударных волн
- •§ 74. Турбулентное динамо
- •Глава IX
- •§ 75. Уравнения поля в диэлектриках в отсутствие дисперсии
- •§ 76. Электродинамика движущихся диэлектриков
- •§ 77. Дисперсия диэлектрической проницаемости
- •§ 78. Диэлектрическая проницаемость при очень больших частотах
- •§ 79. Дисперсия магнитной проницаемости
- •§ 80. Энергия поля в диспергирующих средах
- •§ 81. Тензор напряжений в диспергирующих средах
- •§ 82. Аналитические свойства функции е(со)
- •§ 83. Плоская монохроматическая волна
- •§ 84. Прозрачные среды
- •Глава X
- •§ 85. Геометрическая оптика
- •§ 86. Отражение и преломление волн
- •§ 87. Поверхностный импеданс металлов
- •§ 88. Распространение волн в неоднородной среде
- •§ 89. Принцип взаимности
- •§ 90. Электромагнитные колебания в полых резонаторах
- •§ 91. Распространение электромагнитных волн в волноводах
- •§ 92. Рассеяние электромагнитных волн на малых частицах
- •§ 93. Поглощение электромагнитных волн на малых частицах
- •§ 94. Дифракция на клине
- •§ 95. Дифракция на плоском экране
- •Глава XI
- •§ 96. Диэлектрическая проницаемость кристаллов
- •§ 97. Плоская волна в анизотропной среде
- •§ 98. Оптические свойства одноосных кристаллов
- •§ 99. Двухосные кристаллы
- •§ 100. Двойное преломление в электрическом поле
- •§ 101. Магнитооптические эффекты
- •§ 102. Динамооптические явления
- •Pfffi р 1
- •Глава XII
- •§ 103. Пространственная дисперсия
- •§ 104. Естественная оптическая активность
- •§ 105. Пространственная дисперсия в оптически неактивных средах
- •§ 106. Пространственная дисперсия вблизи линии поглощения
- •Глава XIII
- •§ 107. Преобразование частот в нелинейных средах
- •§ 108. Нелинейная проницаемость
- •§ 109. Самофокусировка
- •§111. Сильные электромагнитные волны
- •§112. Вынужденное комбинационное рассеяние
- •Глава XIV
- •§ 113. Ионизационные потери быстрых частиц в веществе. Нерелятивистский случай
- •§ 114. Ионизационные потери быстрых частиц в веществе. Релятивистский случай
- •§ 115. Излучение Черенкова
- •§ 116. Переходное излучение
- •Глава XV
- •§ 117. Общая теория рассеяния в изотропных средах
- •§ 118. Принцип детального равновесия при рассеянии
- •§ 119. Рассеяние с малым изменением частоты
- •§ 120. Рэлеевское рассеяние в газах и жидкостях
- •§ 121. Критическая опалесценция
- •§ 122. Рассеяние в жидких кристаллах
- •§ 123. Рассеяние в аморфных твердых телах
- •§123] Рассеяние в аморфных твердых телах 595
- •§ 124. Общая теория дифракции рентгеновых лучей
- •§ 125. Интегральная интенсивность
- •§ 126] Диффузное тепловое рассеяние рентгеновых лучей
- •§ 126. Диффузное тепловое рассеяние рентгеновых лучей
- •§ 127. Температурная зависимость сечения дифракции
Глава IV
ПОСТОЯННОЕ МАГНИТНОЕ ПОЛЕ
§ 29. Постоянное магнитное поле
Постоянное магнитное поле в материальных средах описывается двумя уравнениями Максвелла, которые получаются путем усреднения микроскопических уравнений
divh = 0, roth=~+^-pv. (29,1)
Среднюю напряженность магнитного поля принято называть магнитной индукцией и обозначать посредством
iT = B. (29,2)
Поэтому результат усреднения первого из уравнений (29,1) напишется как
divB=0. (29,3)
Во втором же уравнении производная по времени при усреднении исчезает, поскольку среднее поле предполагается постоянным, так что имеем
rotB = ^p~v. (29,4)
Среднее значение микроскопической плотности тока, вообще говоря, отлично от нуля как в проводниках, так и в диэлект- риках. Разница между этими двумя категориями тел заключа- ется лишь в том, что в диэлектриках всегда
Jpvdf=0, (29,5)
где интеграл берется по полной площади любого поперечного сечения тела; в проводниках же этот интеграл может быть отличным от нуля. Предположим сначала, что в теле (если оно является проводником) отсутствует полный ток, т. е. справедливо соотношение (29,5).
Равенство нулю интеграла (29,5) по любому сечению тела означает, что вектор pv может быть написан в виде ротора некоторого другого вектора, который принято обозначать как сМ:
pv =crotM,
(29,6)
причем величина М отлична от нуля только внутри тела (ср. аналогичные рассуждения в § 6). Действительно, интегрируя по поверхности, ограниченной контуром, охватывающим тело и проходящим везде вне его, получим
J pvdf =с J rotMdf = c§f\d\ =0.
Вектор М называют намагниченностью тела. Вводя его в уравнение (29,4), получим
rotH=0, (29,7)
где вектор Н связан с магнитной индукцией В соотношением
В = Н + 4лМ, (29,8)
аналогичным соотношению между электрической индукцией D и напряженностью Е. Хотя вектор Н, по аналогии с Е, называют обычно напряженностью магнитного поля, следует помнить,,что в действительности истинное среднее значение напряженности есть В, а не Н.
Для выяснения физического смысла величины М рассмотрим полный магнитный момент, создаваемый всеми движущимися внутри тела заряженными частицами. По определению магнитного момента (см. II § 44), это есть интеграл1)
^j[r-pv] dV =\^[rxotf\]dV.
Поскольку вне тела pv = 0, то интеграл можно брать по любому объему, выходящему за пределы тела. Преобразуем интеграл следующим образом:
\ [г [vM]] dV = § [г [di М]] — J [[М v ] г] dV.
Интеграл по поверхности, проходящей вне тела, обращается в нуль. Во втором же члене имеем
[[My] г] = — М div г+ М = — 2М.
Таким образом, получаем в результате
^ j[r-p~v]dV = JMdV. (29,9)
г)
Для ясности подчеркнем, что в этой
формуле г
—
бегущая координата (переменная
интегрирования), а не координата
отдельной микроскопической частицы;
поэтому она не входит под знак усреднения.
2)
Лишь после установления этого соответствия
величина М
становится
полностью определенной. Соотношения
же (29,6) внутри и М
=
0 вне тела сами по себе еще не определяют
эту величину однозначным образом: в
области внутри тела можно было бы
прибавить к М
любой
вектор вида grad/,
не нарушив равенства (29,6) (ср.
аналогичное замечание по поводу
электрической поляризации на стр. 57).
К уравнениям (29,3) и (29,7) должно быть присоединено соотношение, связывающее между собой величины Н и В; лишь после этого система уравнений станет полной. В неферромагнитных телах, в не слишком сильных магнитных полях, В и Н связаны друг с другом линейным соотношением. У изотропных тел линейная связь сводится к простой пропорциональности
В =р,Н. (29,10)
Коэффициент р, называется магнитной проницаемостью, а коэффициент пропорциональности
4я
(29,11)
в соотношении М=%Н—магнитной восприимчивостью.
В противоположность диэлектрической проницаемости е, которая у всех тел превышает 1, магнитная проницаемость может быть как больше, так и меньше единицы, Можно только утверждать, что всегда р, > 0 (о причине этого отличия между р. и е см. § 32; доказательство неравенства р, > 0 будет дано в § 31). Соответственно магнитная восприимчивость % может быть как положительной, так и отрицательной.
Другое отличие—количественное—состоит в том, что магнитная восприимчивость огромного большинства тел очень мала по сравнению с их диэлектрической восприимчивостью. Это отличие связано с тем, что намагничение вещества (не ферромагнитного) является релятивистским эффектом второго порядка по v/c (v—электронные скорости в атомах)1).
В анизотропных телах, кристаллах, простая пропорциональность (29,10) заменяется линейными соотношениями
В, = ъкНк. (29,12)
Тензор магнитной проницаемости \iik симметричен. Это следует из термодинамических соотношений, которые будут выведены в § 31, точно так же, как в § 13 была доказана симметричность тензора eik.
Из уравнений divB = 0, rot Н=0 следует (ср. § 6), что на границе двух различных сред должны выполняться условия
В1п = Вгп, Hlt=H2t. (29,13)
1)
Один раз отношение v/c
входит
вместе с Н
в
гамильтониан, описывающий
взаимодействие тела с магнитным полем,
второй раз оно входит через элементарные
атомные или молекулярные магнитные
моменты,
Решения ряда задач, рассмотренных в гл. II для электростатического поля, непосредственно переносятся, таким образом, на постоянное магнитное поле. В частности, полученные в § 8 формулы для диэлектрического эллипсоида в однородном электрическом поле полностью справедливы (с соответствующим изменением обозначений) и для магнитного эллипсоида в однородном магнитном поле. Так, напряженность Н(<,> и индукция В('' магнитного поля внутри эллипсоида связаны с напряженностью £ внешнего поля соотношением
Н?+п1к{Вр-Н^) = &, (29,14)
где nik—тензор коэффициентов размагничивания. Напомним, что это соотношение справедливо при любой связи между В и Н.
Тангенциальные компоненты магнитной индукции, в противоположность ее нормальной компоненте, испытывают екачок на поверхности раздела двух сред. Величину этого скачка можно связать с плотностью токов, протекающих по поверхности. Для этого проинтегрируем обе стороны уравнения (29,4) по малому отрезку А/, пересекающему поверхность раздела в направлении
нормали. Длину А/ устремляем затем к нулю; интеграл pv dl
может стремиться, однако, при этом к конечной величине. Определенную таким образом величину
e = \p^dl (29,15)
можно назвать поверхностной плотностью тока; она определяет заряд, протекающий в единицу времени через единицу длины линии, проведенной на поверхности. Выберем направление g в данной точке поверхности в качестве оси у, а направление нормали— в качестве оси х, направленной от среды 1 к среде 2. Тогда интегрирование уравнения (29,4) дает
J V dz дх J йХ с ёУ с g-
Ввиду непрерывности Bx производная dBx/dz ограничена, и потому интеграл от нее стремится к нулю при стремлении к нулю длины отрезка А/. Интеграл же от dBJdx дает разность значений Вг на обеих сторонах поверхности. Таким образом,
4л
Bzz — = f §■
Это равенство можно написать в векторном виде как
4-f g = [n, B2-BJ = 4.-t[n, М2—М^, (29,16)
где п—единичный вектор нормали, направленной внутрь среды 2; при последнем преобразовании учтена непрерывность тангенциальной компоненты Н.