- •Глава I
- •§ 1. Электростатическое поле проводников
- •§ 2. Энергия электростатического поля проводников
- •§ 3. Методы решения электростатических задач
- •2 Л. Д. Ландау, е. М. Лифшиц
- •§ 4. Проводящий эллипсоид
- •§ 5. Силы, действующие на проводник
- •Глава II
- •§ 6. Электростатическое поле в диэлектриках
- •§ 7. Диэлектрическая проницаемость
- •§ 8. Диэлектрический эллипсоид
- •§ 9. Диэлектрическая проницаемость смеси
- •§ 10. Термодинамические соотношения для диэлектриков в электрическом поле
- •§ 11. Полная свободная энергия диэлектрического тела
- •§12. Электрострикция изотропных диэлектриков
- •§ 13. Диэлектрические свойства кристаллов
- •§ 14. Положительность диэлектрической восприимчивости
- •§ 15. Электрические силы в жидком диэлектрике
- •§ 16. Электрические силы в твердых телах
- •§17. Пьезоэлектрики
- •§ 18. Термодинамические неравенства
- •§ 19. Сегнетоэлектрики
- •§ 20. Несобственные сегнетоэлектрики
- •Глава III
- •§ 21. Плотность тока и проводимость
- •§ 22. Эффект Холла
- •§ 23. Контактная разность потенциалов
- •§ 24. Гальванический элемент
- •§ 25. Электрокапиллярность
- •§ 26. Термоэлектрические явления
- •§ 27. Термогальваномагнитные явления
- •§ 28. Диффузионно-электрические явления
- •Глава IV
- •§ 29. Постоянное магнитное поле
- •§ 30. Магнитное поле постоянных токов
- •§ 31. Термодинамические соотношения в магнитном поле
- •§ 32. Полная свободная энергия магнетика
- •§ 33. Энергия системы токов
- •§ 34. Самоиндукция линейных проводников
- •§ 35. Силы в магнитном поле
- •§ 36. Гиромагнитные явления
- •Глава V
- •§ 37. Магнитная симметрия кристаллов
- •§ 38. Магнитные классы и пространственные группы
- •§ 39. Ферромагнетик вблизи точки Кюри
- •§ 40. Энергия магнитной анизотропии
- •§ 41. Кривая намагничения ферромагнетиков
- •§ 42. Магнитострикция ферромагнетиков
- •§ 43. Поверхностное натяжение доменной стенки
- •§ 44. Доменная структура ферромагнетиков
- •§ 45. Однодоменные частицы
- •§ 46. Ориентационные переходы
- •§ 47. Флуктуации в ферромагнетике
- •§ 48. Антиферромагнетик вблизи точки Кюри
- •§ 49. Бикритическая точка антиферромагнетика
- •§ 50. Слабый ферромагнетизм
- •§ 51. Пьезомагнетизм и магнитоэлектрический эффект
- •§ 52. Геликоидальная магнитная структура
- •Глава VI
- •§ 53. Магнитные свойства сверхпроводников
- •§ 54. Сверхпроводящий ток
- •§ 55. Критическое поле
- •2) Мы приводим здесь вычисления с большей точностью, чем это обычно требуется, имея в виду выявить более ясно взаимоотношение между различными термодинамическими величинами.
- •§ 56. Промежуточное состояние
- •§ 57. Структура промежуточного состояния
- •Глава VII
- •§ 58. Уравнения квазистационарного поля
- •§ 59. Глубина проникновения магнитного поля в проводник
- •VaRe{a6*}.
- •§ 60. Скин-эффект
- •§ 61. Комплексное сопротивление
- •§ 62. Емкость в цепи квазистационарного тока
- •§ 63. Движение проводника в магнитном поле
- •0 Из этой формулы видно, что дополнительное тепло, выделяющееся (в течение времени 60 в проводнике при его движении в магнитном поле, есть
- •§ 64. Возбуждение тока ускорением
- •Глава VIII
- •§ 65. Уравнения движения жидкости в магнитном поле
- •§65] Уравнения движения жидкости в магнитном поле 315
- •§66] Диссипативные процессы в магнитной гидродинамике 317
- •§ 66. Диссипативные процессы в магнитной гидродинамике
- •§ 67. Магнитогидродинамическое течение между параллельными плоскостями
- •§ 68. Равновесные конфигурации
- •§ 69. Магнитогидродинамические волны
- •VX&0, Vytt—hjV4пр ,
- •§ 70. Условия на разрывах
- •§ 71. Тангенциальные и вращательные разрывы
- •§ 72. Ударные волны
- •§ 73. Условие эволюционности ударных волн
- •§ 74. Турбулентное динамо
- •Глава IX
- •§ 75. Уравнения поля в диэлектриках в отсутствие дисперсии
- •§ 76. Электродинамика движущихся диэлектриков
- •§ 77. Дисперсия диэлектрической проницаемости
- •§ 78. Диэлектрическая проницаемость при очень больших частотах
- •§ 79. Дисперсия магнитной проницаемости
- •§ 80. Энергия поля в диспергирующих средах
- •§ 81. Тензор напряжений в диспергирующих средах
- •§ 82. Аналитические свойства функции е(со)
- •§ 83. Плоская монохроматическая волна
- •§ 84. Прозрачные среды
- •Глава X
- •§ 85. Геометрическая оптика
- •§ 86. Отражение и преломление волн
- •§ 87. Поверхностный импеданс металлов
- •§ 88. Распространение волн в неоднородной среде
- •§ 89. Принцип взаимности
- •§ 90. Электромагнитные колебания в полых резонаторах
- •§ 91. Распространение электромагнитных волн в волноводах
- •§ 92. Рассеяние электромагнитных волн на малых частицах
- •§ 93. Поглощение электромагнитных волн на малых частицах
- •§ 94. Дифракция на клине
- •§ 95. Дифракция на плоском экране
- •Глава XI
- •§ 96. Диэлектрическая проницаемость кристаллов
- •§ 97. Плоская волна в анизотропной среде
- •§ 98. Оптические свойства одноосных кристаллов
- •§ 99. Двухосные кристаллы
- •§ 100. Двойное преломление в электрическом поле
- •§ 101. Магнитооптические эффекты
- •§ 102. Динамооптические явления
- •Pfffi р 1
- •Глава XII
- •§ 103. Пространственная дисперсия
- •§ 104. Естественная оптическая активность
- •§ 105. Пространственная дисперсия в оптически неактивных средах
- •§ 106. Пространственная дисперсия вблизи линии поглощения
- •Глава XIII
- •§ 107. Преобразование частот в нелинейных средах
- •§ 108. Нелинейная проницаемость
- •§ 109. Самофокусировка
- •§111. Сильные электромагнитные волны
- •§112. Вынужденное комбинационное рассеяние
- •Глава XIV
- •§ 113. Ионизационные потери быстрых частиц в веществе. Нерелятивистский случай
- •§ 114. Ионизационные потери быстрых частиц в веществе. Релятивистский случай
- •§ 115. Излучение Черенкова
- •§ 116. Переходное излучение
- •Глава XV
- •§ 117. Общая теория рассеяния в изотропных средах
- •§ 118. Принцип детального равновесия при рассеянии
- •§ 119. Рассеяние с малым изменением частоты
- •§ 120. Рэлеевское рассеяние в газах и жидкостях
- •§ 121. Критическая опалесценция
- •§ 122. Рассеяние в жидких кристаллах
- •§ 123. Рассеяние в аморфных твердых телах
- •§123] Рассеяние в аморфных твердых телах 595
- •§ 124. Общая теория дифракции рентгеновых лучей
- •§ 125. Интегральная интенсивность
- •§ 126] Диффузное тепловое рассеяние рентгеновых лучей
- •§ 126. Диффузное тепловое рассеяние рентгеновых лучей
- •§ 127. Температурная зависимость сечения дифракции
§17. Пьезоэлектрики
г)
Совпадение предела этого выражения
при е—>м
с результатом задачи 3 § 5 для проводящего
шара случайно (в действительности даже
знак этих сил различен). Физическая
неэквивалентность обоих случаев ясна
из того, что в
щели
между двумя проводящими полушариями
(находящимися при одинаковом
потенциале) нет поля, а в данной задаче
— есть.
2)
Изменение объема определяется в задаче
1 § 12.
определенных типах симметрии электрострикционные свойства кристаллов имеют существенно иной характер. Внутренние напряжения, возникающие в электрическом поле, в этих телах (пьезо-электриках) пропорциональны первой степени поля. Соответственно имеет место и обратный эффект — деформирование пьезоэлектрика сопровождается появлением в нем поля, пропорционального величине деформации.
Интересуясь в пьезоэлектрике лишь основным, линейным эффектом, мы можем пренебречь в общей формуле (16,5) квадратичными по полю членами. Тогда
Ниже в этом параграфе мы будем пользоваться термодинамическими величинами, отнесенными к количеству вещества, заключенному в единице объема недеформированного тела (см. примечание на стр. 98). Понимая F в этом смысле, будем иметь просто
Соответственно термодинамическое соотношение для дифференциала dF будет
dF = -SdT + oikdulk~DdE. (17,2)
По поводу последнего члена надо сделать следующее замечание: в таком виде этот член (перенесенный сюда из (10,9)) относится, строго говоря, к единице объема деформированного тела. Не учитывая этого, мы допускаем ошибку, которая, однако, в данном случае (для пьезоэлектрика) является величиной более высокого порядка малости, чем остальные члены в (17,2).
В (17,2) роль независимых переменных играют компоненты тензора uik. Иногда бывает удобно пользоваться в качестве таковых компонентами aik. Для этого надо ввести термодинамический потенциал, определяемый как
U>=F-uikalk. (17,3)
Для дифференциала этой величины будем иметь
dO = -SdT-uikdolk—±DdE. (17,4)
Подчеркнем, что введение в электродинамике термодинамического потенциала Ф согласно формулам (17,3) и (17,4) связано со справедливостью соотношения (17,1) и потому возможно лишь Для пьезоэлектрических тел.
Определив таким образом нужные нам термодинамические величины, перейдем к описанию пьезоэлектрических свойств кристаллов. Выбрав величины aik и Ек в качестве независимых переменных, мы должны рассматривать индукцию D как их функцию, а в разложении этой функции надо сохранить члены первого порядка по ним. Линейные члены разложения компонент вектора по степеням компонент тензора второго ранга в наиболее общем случае могут быть написаны в виде 4nY;iWo"w, где совокупность постоянных у,-, kl составляет тензор третьего ранга (множитель 4я введен для удобства). Поскольку тензор аы симметричен по своим индексам, то ясно, что и тензор yL ы можно считать симметричным по соответствующим двум индексам:
Y/.w^V,-,/*; С17-5)
для наглядности мы отделяем запятой симметричную пару индексов kl от третьего индекса. Будем называть тензор yit ы пьезоэлектрическим. Его заданием полностью определяются пьезоэлектрические свойства кристалла.
Добавив пьезоэлектрические члены к выражению (13,1) для электрической индукции в кристалле, напишем
D|. = DI.0+6,fc£ft + 4n7,ilMaw. (17,6)
Соответствующие дополнительные члены появятся и в термодинамических величинах. У непьезоэлектрического кристалла в отсутствие поля термодинамический потенциал
ф=ф = Ф0-±.[Чк1то1ко1т,
*)
Тензор [likim
определяет
связь между напряжениями и деформацией
согласно
дФ
uik~
aik
— 1»iklmulm-
Ясно,
что все свойства симметрии тензора
(X/fc;m
полностью
совпадают со свойствами симметрии
тензора %(ыт.
В
свободную энергию F
упругая
энергия входит со знаком плюс:
Термодинамический
же потенциал получается из F
вычитанием
aiku,-k,
и
потому
Фупр
= ^упр — Qikuik=
—1/2^iklmuikulm=
—1/2l1iklma
ikalm-—ga.
—V-iklmGlm-В
VII § 10 мы писали обратную зависимость
Ф =Фо— у Piklmaik°lm — i eikEiEH—fa EiDi» — Yi, ЫЕРМ-
(17,7)
Вид последних трех членов определяется тем, что производные от Ф по Et (при заданных внутренних напряжениях и температуре) согласно формуле
должны дать выражения (17,6).
Зная Ф, можно получить согласно (17,4) формулу, выражающую тензор деформации через напряжения oik и поле Е:
Следует отметить, что смысл величин цШ)В и г1к как упругих постоянных и диэлектрической проницаемости в пьезоэлект-рике в определенном смысле условен. При выбранном нами определении они дают соответственно зависимость деформации от упругих напряжений при заданной напряженности поля и зависимость индукции от напряженности при заданных напряжениях. Если же деформирование происходит при заданной индукции поля или же мы рассматриваем зависимость индукции от напряженности при заданной деформации, то роль упругих коэффициентов и диэлектрической проницаемости будут играть другие величины, которые могут быть выражены (хотя и довольно сложным образом) через компоненты тензоров ц, е и у.
Определение поля в пьезоэлектрическом теле должно производиться одновременно с определением его деформации и представляет собой совместную задачу электростатики и теории упругости. Именно, следует искать совместное решение электростатических уравнений
divD = 0, rotE = 0 (17,9)
с D из (17,6) и уравнений упругого равновесия
= 0 (17,10)
dO;k
dxk
с соответствующими граничными условиями на поверхности тела и с учетом связи между oik и деформацией, даваемой формулами (17,8). В общем случае такая постановка задачи весьма сложна.
Задача очень упрощается для тела эллипсоидальной формы со свободной поверхностью (т. е. к которой не приложены никакие внешние механические силы). В этом случае (§ 8) поле внутри тела, а потому и его деформация однородны, а все упругие напряжения oik — 0.
Наконец, займемся вопросом о том, какие типы кристаллической симметрии допускают существование пьезоэлектричества. Другими словами, надо рассмотреть ограничения, накладываемые условиями симметрии на компоненты тензора уи ы. В общем случае этот тензор (симметричный по индексам k и /) имеет 18 отличных от нуля независимых компонент, фактически же число независимых компонент обычно значительно меньше.
При всех преобразованиях симметрии данного кристалла все компоненты его тензора yit ы должны оставаться неизменными по величине. Отсюда сразу следует, что во всяком случае не может быть пьезоэлектриком тело, обладающее центром симметрии (в том числе, конечно, изотропное тело). Действительно, при отражении в центре (изменение знака всех трех координат) меняют знак все компоненты тензора третьего ранга.
Из 32-х кристаллических классов допускают пьезоэлектричество всего 20. Сюда относятся, прежде всего, 10 перечисленных в § 13 классов, допускающих пироэлектричество (все пиро-электрики являются в то же время и пьезоэлектриками). Кроме того, пьезоэлектрическими являются кристаллы следующих 10 классов:
ромбическая система: D2,
тетрагональная система Di, Dld, 54,
ромбоэдрическая система: D3,
гексагональная система: Da, Сзп, Dsn,
кубическая система: Т, Та.
Перечисление отличных от нуля компонент пьезоэлектрического тензора для всех классов дано в задачах к этому параграфу.
Упомянем здесь еще о родственном пьезоэлектричеству явлении, возникающем при «деформировании» жидкого кристалла; при этом мы будем иметь в виду немапшческие кристаллы. Напомним (см. V § 140), что эти жидкие среды характеризуются существованием некоторого выделенного направления преимущественной ориентации молекул. Это направление задается в каждой точке среды единичным вектором d—директором кристалла. В недеформированном жидком кристалле направление d постоянно вдоль всего его объема, в деформированном — функция координат. Разложению (17,6) соответствует в жидком кристалле выражение индукции в виде
D; = г!кЕк + Ane.di div d + 4ш>2 [rot d • d]„ (17,11)
где eu e2—скалярные коэффициенты (R. В. Meyer, 1969)x). Два
J) Пироэлектричество в нематнчег.ких кристаллах фактически неизвестно, поэтому полагаем D0 = 0.
последних члена, описывающие рассматриваемый эффект, представляют собой наиболее общий полярный вектор, который можно составить из вектора d и его первых производных по координатам. Отметим, что выражение (17,11) автоматически оказывается инвариантным относительно изменения знака d.
(17,12)
с двумя независимыми постоянными е0 и еа. Задачи
1. Определить отличные от нуля компоненты тензора у,-, и для иепиро-электрических кристаллических классов, допускающих пьезоэлектричество.
Решение. Класс D2 содержит три взаимно перпендикулярные оси симметрии второго порядка, которые выбираем в качестве осей х, у, г. Повороты на 180° вокруг этих осей меняют знаки каждых двух из трех координат. Поскольку компоненты yit ы преобразуются как произведения xixkxt, то отличными от нуля могут быть только те из них, все три индекса которых различны:
Ух, yz> Уг, ху Уу, гх\ остальные отличные от нуля компоненты равны этим в силу свойства y;kl = =7i. Ik- Соответственно пьезоэлектрическая часть термодинамического потенциала г)
Фпьезо = 2 (yXi yzExOyZ -\~Уу, xzEy°xz -\~Уг, xyEz°xy)- (I)
Класс D2d получается добавлением к осям класса D2 еще двух плоскостей симметрии, проходящих через одну из осей (пусть ось г) и делящих пополам углы между осями х и у. Отражение в одной из этих плоскостей означает преобразование л:—>- у, у—ух, z—> z. Поэтому компоненты у^ ы, отличающиеся перестановкой индексов х и у, должны быть одинаковыми, так что из трех коэффициентов в (1) остаются независимыми лишь два:
Уг,ху Ух,уг = Уу,хг-
Класс Т получается из класса D2 путем добавления четырех диагональных осей симметрии третьего порядка, повороты вокруг которых осуществляют циклическую перестановку осей х, у, г, например: х—>z, у—> х, z—> у. Поэтому становятся равными все три коэффициента в (1):
Ух, yz = Уу, zx =Уг, ху
*)
Во избежание недоразумений напомним,
что если вычислять компоненты тензора
деформации непосредственным
дифференцированием конкретного
выражения для Ф по aik,
то производные по компонентам a,-fe
с i
ф
k
дадут
удвоенные значения соответствующих
компонент и,-к.
Это связано с тем, что выражения
ицг=—дФ/дсг,д,
имеют по существу смысл лишь как
выражающие тот факт, что йФ=
—Uikdcfik;
но в сумму «,-fcdo",-ft
члены с дифференциалами недиагональных
компонент симметричного тензора о;^
входят дважды,
Класс Di содержит ось симметрии 4-го порядка (ось z) и четыре оси 2-го порядка, лежащие в плоскости ху. В дополнение к элементам симметрии класса />2 достаточно рассмотреть здесь поворот на 90° вокруг оси z, т. е. преобразование х—у у, у—► — х, г—у г. В силу этого преобразования один из коэффициентов в (1) обращается в нуль (yz,xy=^—Уг.ух — = —Yz.xy откуда yz, ху= 0), а два других отличаются только знаком:
Ух, yz ~ Уу, XZ-
Такой же результат получается для класса De.
Класс S4 содержит преобразования х—> у, у—>■—х, z—>■ — г и х—> — х, у—> — у, z—у г. Отличны от нуля компоненты
Yz.xy, Ух, yz'~ Уу. xz, Yz,xx~ Уг,уу, Yx,zx > Yy.Zy
Соответствующим выбором направлений осей х, у одна из этих величин может быть обращена в нуль.
Класс Дз содержит ось симметрии 3-го порядка (ось z) и три оси симметрии 2-го порядка в плоскости ху, одна из которых пусть будет направлена по оси х. Для выяснения ограничений, налагаемых наличием оси третьего порядка, удобно произвести формальное преобразование, вводя комплексные «координаты»
l = x+iy, r\ — x — iy;
координату z оставляем без изменений. К этим новым координатам преобразуем также и тензор у,- В его компонентах индексы пробегают теперь значения |, т], г. При повороте на 120° вокруг оси z эти координаты подвергаются преобразованию
|—>?е2я''/3, т]—►т|е-2я''3, z—*z.
При этом остаются неизменными и потому могут быть отличными от нуля лишь следующие компоненты тензора yLkl: ц1, у^ ^, у^ zt), yh у^ t)t)( Yz.zz- Поворот же на 180° вокруг оси л: есть преобразование х—ух','у—у—у, z-^—y—z, т.е. \—s-т], т|—► £, z—>• — z. При этом уг, ni и yzzz изменяют знак и потому должны обратиться в нуль, а остальные из перечисленных выше компонент попарно переходят друг в друга, что приводит к равенствам Yn, z\~— У'\, zr|, 7|, li = Yr\, riri- Для того чтобы написать выражение для Фиьезо. наД° составить сумму —yi,kfiiaki> в которой индексы пробегают значения |, Г)> z:
Фпьеао = -2Тч1 ^(Vz-e-V^-Vs, Ц (Е?Ъ\ + VW-
Здесь надо еще выразить компоненты £; и о1к в координатах |, т|, z через компоненты в исходных координатах х, у, г. Это легко сделать, воспользовавшись тем, что компоненты тензора преобразуются как произведения соответствующих координат. Поэтому, например, из
Ц = хх—yy + 2ixy
следует, что
egg = о хх—ауу + %оХу
В результате получим
Фпьезо = 2а (Е azx— Exoz ) + Ъ [2Еуоху — Ех (оХх— ауу)], (2) где a = 2iyr) 2», 6=2yt ^. — вещественные постоянные. Соотношения между компонентами у-и к! в координатах х, у, г гласят, как это видно из (2)1):
У у, гх = Ух, гу = а< У у, ху = Ух, хх — Ух, уу = Ь-
Класс Dsft получается добавлением к классу D3 плоскости симметрии, перпендикулярной к оси третьего порядка (плоскость ху). Отражение в этой плоскости есть изменение знака г, а потому и у 2>=0, так что в (2) остается только член с одним коэффициентом 6.
Класс C3h содержит, помимо оси третьего порядка, перпендикулярную к ней плоскость симметрии. Отражение в последней есть изменение знака г, а потому должны быть равными нулю все компоненты у; к1, в индексах которых г встречается нечетное число раз. Учитывая также рассмотренные выше ограничения, налагаемые осью симметрии третьего порядка, найдем, что отличны от нуля только две компоненты у^ ^ и Y| Эти величины должны быть комплексно-сопряженными для того, чтобы Ф было вещественным. Обозначив
2Y|, n = a + ib> 2Vr],m = a-ib>
получим
Фпь^а^а[2ЕуоХу—Ех(ахх—ауу)] + Ь[2Ехаху + Е11(<зхх — <зт)]. (3)
Соответствующим выбором направления осей х, у можно обратить а или 6 в нуль.
2. То же для кристаллических классов, допускающих пироэлектричество.
Решение. Пусть ось г совпадает с осью симметрии второго, третьего, четвертого или шестого порядка, а в классе Cs перпендикулярна к плоскости симметрии. В классах Cnv плоскость хг совпадает с одной из плоскостей симметрии.
Ниже указаны все отличные от нуля компоненты у/, ы для каждого из классов:
Класс Ci. все у,, ki-
Класс Cs: все компоненты, содержащие индекс г нуль или два раза. Класс C2V:
Уг,хх> Уг.уу Уг,гг> Ух.хг' Уу.уг-Класс С2: те же, что в Ciz„ а также
Ух, уг< Уу, хг< Уг, ху
Класс Civ:
Уг,хх~Уг,уу Уг, гг< Ух, хг — Уу, уг-
Класс С4: те же, что в С4,,, а также
Ух. уг~ Уу, хг-
Класс C3v:
Уг,гг< Ух,хг~Уу,уг< Ух,хх~ Ух,уу~ Уу.ху Уг,хх~Уг,уу Класс С3: те же, что в C3v, а также
*) В неортогональных координатах,
каковыми являются |, т], z,
надо, как известно, различать ко- и
контравариантные компоненты тензоров.
Это обстоятельство должно было бы
учитываться и при переходе к исходным
координатам х,
у, г: если
компоненты и aki
преобразуются
как контравариантные, то компоненты
тензора у^м
должны
преобразовываться как ковариантные.
Мы, однако, обходим этот вопрос, определяя
связь между различными компонентами
V/, ы
в
координатах х,
у, г
непосредственно
на основании вида скалярной комбинации
(2).
Класс C6v:
Yz,zz> Yx, xz = Yij, yz< Yz,xx~Yz,yy
Класс C6: те же, что в Cev, а также
Yx, yz = Yy. xz-
Соответствующим выбором направления осей х, у, z в классе С\ можно обратить в нуль еще три компоненты, а выбором осей х, у в классах Cs, С2, С3 — одну компоненту (в классах же С4 и Се выражение Yi, klEiakl инвариантно относительно поворотов на любой угол вокруг оси z, и потому дальнейшее уменьшение числа отличных от нуля компонент y/t ы невозможно).
3. Определить модуль Юнга (коэффициент пропорциональности между рас- тягивающим напряжением и относительным удлинением) для плоскопараллель- ной пластинки непироэлектрического пьезоэлектрика в следующих случаях: а) пластинка растягивается обкладками закороченного конденсатора, б) пла- стинка растягивается обкладками незаряженного конденсатора, в) пластинка растягивается параллельно своей плоскости в отсутствие внешнего поля.
Решение, а) В этом случае напряженность поля внутри пластинки Е = 0. Единственная отличная от нуля компонента тензора 0[к— растягивающее напряжение azz (ось z перпендикулярна к плоскости пластинки Из (17,8) имеем и2г = \12гг2а2г, откуда для модуля Юнга Е:
1/Е = \\Zzzz-
б) В этом случае в пластинке Ех = Еу = 0, Дг=0. Из (17,6) и (17,8) имеем
Dz = zzzEz+4nyZt ггагг=0, uzz = \yzzzzezz + Yz,zzEz-
Исключая из этих двух равенств Ег, найдем
1 4я 2
—р--—\Lzz2z - Yz, zz'
в) В этом случае также Ех — Еу=0, Dz = 0, растяжение же пусть проис- ходит вдоль оси х. Имеем
Е>г = ггхЕг -|- 4яуг> ххохх =0, ихх = [ixxxxexx + Yz, ггЕг-
получим
1 4я 2
~р~ №хххх I Yz, хх-
4. Получить уравнение, определяющее скорость звука в пьезоэлектрической среде.
Решение. В этой задаче удобнее пользоваться как независимыми переменными величинами и;к вместо о,^. Пишем F в виде
F=Fu + ^%ikimUikUim—~- £;kEiEk — -^ EiDlo + Р(, klEiUki<
откуда
айн,
Уравнения движения теории упругости гласят
*) Она не предполагается совпадающей с каким-либо избранным кристаллографическим направлением.
•• dOjk_. duim,R dEt
где р—плотность среды, и — вектор смещения, связанный с щь посредством
и - 1 (ди' 1диь\
Uik~2 \Жь~ + дХ;)-
Уравнение divD=0 дает
а напряженность поля выражаем через его потенциал:
чем удовлетворяется уравнение rotE=0.
В плоской звуковой волне и и ф пропорциональны el^kr~ai\ и из написанных уравнений получаем
рш2щ = Xikimkkhum — Pz, гЛ%. е,-Л^йф + 4лР,-, kikikkui = 0.
det
= 0.
zrskrks
(Р/, mihkm) (Рр, qkbpkq)
р(02б,- k — hlkmklkm — 4я -
При каждом заданном направлении волнового вектора к это уравнение определяет три, вообще говоря, различных, фазовых скорости звука ш/k. Характерной для пьезоэлектрической среды особенностью является сложная зависимость скорости от направления волны.
5. Пьезоэлектрический кристалл, относящийся к классу C6v, ограничен плоской поверхностью (плоскость хг), проходящей через ось симметрии (ось г). Найти скорость поверхностных волн, распространяющихся перпендикулярно оси симметрии (вдоль оси х); в волне испытывают колебания смещение и2 и потенциал электрического поля ф (/. L. Bleustein, 1968; Ю. В. Гуляев, 1969).
Решение. В рассматриваемых условиях в системе уравнений (4) и (5) отделяются два уравнения, содержащие только и2 и ф; эти величины зависят от координат х, у (и от времени /), но не от г. Отличные от нуля компоненты тензора напряжений и вектора индукции:
<Згх = $Ех + Ыигх, <yZy=$El/-\-2\u2y, Dx = — 8nfiuzx -j- tEx, Dy = —8nfiuZy-\-eEy,
причем
\_0uz 1 duz , _ dq> „ _ dq>
Uzx~2~dx~' Uzy~"2'dy' ~x~~Jx~' у-~~ду~
и для краткости обозначено
Р*, xz = Ру, yz == Р> hxz х2 = Хуг yZ = X, ехх = Вуу = г;
постоянная пироэлектрическая индукция DZ=D0 в уравнения и граничные условия не входит.
Уравнение (5) и г-компонента уравнения (4) дают для области, занятой пьезоэлектрической средой (полупространство у > 0):
4ярд«2 + еДф"') = 0, piiz = — рДф«'> + Миг)
где Д = д2/дх2-\-д2,ду2; перепишем эти уравнения в виде
ри2 = КМ2, Дф = 0, (6) где
т- , , 4я02 , 4яр* , (>1
В пустоте же (полупространство г/ < 0) потенциал ф(г) удовлетворяет уравнению
Дф<е>=0. (7)
Эти уравнения должны решаться при граничных условиях на поверхности среды:
<р<'>=<р<«, о2у=0, D</>=—^ при у=0, (8)
и при условиях
uz—>■ 0 при у—>-оо; ф—*- 0 при у—*-±со вдали от поверхности. Ищем решение в виде
uz = Ae-Kye{^x-atK ^ = Ве-кУенкх'ш), Cekllel'kx-ai\
причем
рш2=Г(й2—х2). (9)
Уравнения (6), (7) и условия на бесконечности уже удовлетворены, а условия (8) дают три линейных однородных уравнения для А, В, С, условие разрешимости которых приводит к соотношению
x = k — — = Ak.
Кг (1 + е)
Наконец, подставив в (9), найдем фазовую скорость волн
ш_ Г К k
-(1-Л2) Р
Поверхностное распространение этих волн специфично для пьезоэлектрической среды. При (5—>-0 глубина проникновения 1/х—с оо , т.е. волна становится объемной.
