
- •Глава I
- •§ 1. Электростатическое поле проводников
- •§ 2. Энергия электростатического поля проводников
- •§ 3. Методы решения электростатических задач
- •2 Л. Д. Ландау, е. М. Лифшиц
- •§ 4. Проводящий эллипсоид
- •§ 5. Силы, действующие на проводник
- •Глава II
- •§ 6. Электростатическое поле в диэлектриках
- •§ 7. Диэлектрическая проницаемость
- •§ 8. Диэлектрический эллипсоид
- •§ 9. Диэлектрическая проницаемость смеси
- •§ 10. Термодинамические соотношения для диэлектриков в электрическом поле
- •§ 11. Полная свободная энергия диэлектрического тела
- •§12. Электрострикция изотропных диэлектриков
- •§ 13. Диэлектрические свойства кристаллов
- •§ 14. Положительность диэлектрической восприимчивости
- •§ 15. Электрические силы в жидком диэлектрике
- •§ 16. Электрические силы в твердых телах
- •§17. Пьезоэлектрики
- •§ 18. Термодинамические неравенства
- •§ 19. Сегнетоэлектрики
- •§ 20. Несобственные сегнетоэлектрики
- •Глава III
- •§ 21. Плотность тока и проводимость
- •§ 22. Эффект Холла
- •§ 23. Контактная разность потенциалов
- •§ 24. Гальванический элемент
- •§ 25. Электрокапиллярность
- •§ 26. Термоэлектрические явления
- •§ 27. Термогальваномагнитные явления
- •§ 28. Диффузионно-электрические явления
- •Глава IV
- •§ 29. Постоянное магнитное поле
- •§ 30. Магнитное поле постоянных токов
- •§ 31. Термодинамические соотношения в магнитном поле
- •§ 32. Полная свободная энергия магнетика
- •§ 33. Энергия системы токов
- •§ 34. Самоиндукция линейных проводников
- •§ 35. Силы в магнитном поле
- •§ 36. Гиромагнитные явления
- •Глава V
- •§ 37. Магнитная симметрия кристаллов
- •§ 38. Магнитные классы и пространственные группы
- •§ 39. Ферромагнетик вблизи точки Кюри
- •§ 40. Энергия магнитной анизотропии
- •§ 41. Кривая намагничения ферромагнетиков
- •§ 42. Магнитострикция ферромагнетиков
- •§ 43. Поверхностное натяжение доменной стенки
- •§ 44. Доменная структура ферромагнетиков
- •§ 45. Однодоменные частицы
- •§ 46. Ориентационные переходы
- •§ 47. Флуктуации в ферромагнетике
- •§ 48. Антиферромагнетик вблизи точки Кюри
- •§ 49. Бикритическая точка антиферромагнетика
- •§ 50. Слабый ферромагнетизм
- •§ 51. Пьезомагнетизм и магнитоэлектрический эффект
- •§ 52. Геликоидальная магнитная структура
- •Глава VI
- •§ 53. Магнитные свойства сверхпроводников
- •§ 54. Сверхпроводящий ток
- •§ 55. Критическое поле
- •2) Мы приводим здесь вычисления с большей точностью, чем это обычно требуется, имея в виду выявить более ясно взаимоотношение между различными термодинамическими величинами.
- •§ 56. Промежуточное состояние
- •§ 57. Структура промежуточного состояния
- •Глава VII
- •§ 58. Уравнения квазистационарного поля
- •§ 59. Глубина проникновения магнитного поля в проводник
- •VaRe{a6*}.
- •§ 60. Скин-эффект
- •§ 61. Комплексное сопротивление
- •§ 62. Емкость в цепи квазистационарного тока
- •§ 63. Движение проводника в магнитном поле
- •0 Из этой формулы видно, что дополнительное тепло, выделяющееся (в течение времени 60 в проводнике при его движении в магнитном поле, есть
- •§ 64. Возбуждение тока ускорением
- •Глава VIII
- •§ 65. Уравнения движения жидкости в магнитном поле
- •§65] Уравнения движения жидкости в магнитном поле 315
- •§66] Диссипативные процессы в магнитной гидродинамике 317
- •§ 66. Диссипативные процессы в магнитной гидродинамике
- •§ 67. Магнитогидродинамическое течение между параллельными плоскостями
- •§ 68. Равновесные конфигурации
- •§ 69. Магнитогидродинамические волны
- •VX&0, Vytt—hjV4пр ,
- •§ 70. Условия на разрывах
- •§ 71. Тангенциальные и вращательные разрывы
- •§ 72. Ударные волны
- •§ 73. Условие эволюционности ударных волн
- •§ 74. Турбулентное динамо
- •Глава IX
- •§ 75. Уравнения поля в диэлектриках в отсутствие дисперсии
- •§ 76. Электродинамика движущихся диэлектриков
- •§ 77. Дисперсия диэлектрической проницаемости
- •§ 78. Диэлектрическая проницаемость при очень больших частотах
- •§ 79. Дисперсия магнитной проницаемости
- •§ 80. Энергия поля в диспергирующих средах
- •§ 81. Тензор напряжений в диспергирующих средах
- •§ 82. Аналитические свойства функции е(со)
- •§ 83. Плоская монохроматическая волна
- •§ 84. Прозрачные среды
- •Глава X
- •§ 85. Геометрическая оптика
- •§ 86. Отражение и преломление волн
- •§ 87. Поверхностный импеданс металлов
- •§ 88. Распространение волн в неоднородной среде
- •§ 89. Принцип взаимности
- •§ 90. Электромагнитные колебания в полых резонаторах
- •§ 91. Распространение электромагнитных волн в волноводах
- •§ 92. Рассеяние электромагнитных волн на малых частицах
- •§ 93. Поглощение электромагнитных волн на малых частицах
- •§ 94. Дифракция на клине
- •§ 95. Дифракция на плоском экране
- •Глава XI
- •§ 96. Диэлектрическая проницаемость кристаллов
- •§ 97. Плоская волна в анизотропной среде
- •§ 98. Оптические свойства одноосных кристаллов
- •§ 99. Двухосные кристаллы
- •§ 100. Двойное преломление в электрическом поле
- •§ 101. Магнитооптические эффекты
- •§ 102. Динамооптические явления
- •Pfffi р 1
- •Глава XII
- •§ 103. Пространственная дисперсия
- •§ 104. Естественная оптическая активность
- •§ 105. Пространственная дисперсия в оптически неактивных средах
- •§ 106. Пространственная дисперсия вблизи линии поглощения
- •Глава XIII
- •§ 107. Преобразование частот в нелинейных средах
- •§ 108. Нелинейная проницаемость
- •§ 109. Самофокусировка
- •§111. Сильные электромагнитные волны
- •§112. Вынужденное комбинационное рассеяние
- •Глава XIV
- •§ 113. Ионизационные потери быстрых частиц в веществе. Нерелятивистский случай
- •§ 114. Ионизационные потери быстрых частиц в веществе. Релятивистский случай
- •§ 115. Излучение Черенкова
- •§ 116. Переходное излучение
- •Глава XV
- •§ 117. Общая теория рассеяния в изотропных средах
- •§ 118. Принцип детального равновесия при рассеянии
- •§ 119. Рассеяние с малым изменением частоты
- •§ 120. Рэлеевское рассеяние в газах и жидкостях
- •§ 121. Критическая опалесценция
- •§ 122. Рассеяние в жидких кристаллах
- •§ 123. Рассеяние в аморфных твердых телах
- •§123] Рассеяние в аморфных твердых телах 595
- •§ 124. Общая теория дифракции рентгеновых лучей
- •§ 125. Интегральная интенсивность
- •§ 126] Диффузное тепловое рассеяние рентгеновых лучей
- •§ 126. Диффузное тепловое рассеяние рентгеновых лучей
- •§ 127. Температурная зависимость сечения дифракции
§12. Электрострикция изотропных диэлектриков
Для твердого диэлектрика в электрическом поле нельзя ввести понятие давления так, как это делается для изотропного тела в отсутствие поля, потому что действующие в таком диэлектрике силы (они будут определены в §§ 15, 16) меняются вдоль тела и анизотропны, даже если тело само по себе изотропно. Точное определение деформации (электрострикции) такого тела требует решения сложной задачи теории упругости.
Дело обстоит, однако, гораздо проще, если нас интересует только изменение полного объема тела. Как уже было указано в § 5, при этом можно считать форму тела неизменной, т. е. рассматривать деформацию как равномерное всестороннее сжатие или растяжение.
Будем пренебрегать диэлектрическими свойствами внешней среды (например, атмосферы), в которой находится рассматриваемое тело, т. е. будем считать, что ее е=1. Роль среды сводится только к созданию равномерного давления, действующего на поверхность тела. Именно это внешнее давление мы будем обозначать ниже посредством Р. Если ¥ — полная свободная энергия тела, то согласно известному термодинамическому соотношению
и соответственно в выражении для дифференциала d¥ должен быть добавлен член —PdV- Так, в однородном внешнем поле имеем вместо (11,5)
d¥ = — dT - Р dV - & №.
Введем полный термодинамический потенциал тела согласно обычному термодинамическому определению:
Ф = ¥ + PV.
(12,1)
Для дифференциала этой величины (в однородном внешнем поле) имеем соотношение
с1ф = — ^ dT + VdP-tfbdV. (12,2)
Изменение термодинамических величин во внешнем электрическом поле является обычно относительно малой величиной. Согласно теореме о малых добавках (см. V (15,12)), малое изменение свободной энергии (при заданных Т и V) и малое изменение термодинамического потенциала (при заданных Т и Р) равны друг другу. Поэтому наряду с (11,8) можно написать аналогичное соотношение
Ф = Ф0-1/&&> (12,3)
для термодинамического потенциала тела во внешнем однородном поле. Здесь gb„ относится к телу в отсутствие поля при заданных значениях Р, Т (в то время как 3~0 в (11,8) есть свободная энергия тела в отсутствие поля при заданных значениях V и Т).
Выразив в явном виде зависимость дипольного момента от V и & согласно (11,9), перепишем (12,3) в виде
Ф = Ф9(Р, Т)-ЧУ*1к%%, (12,4)
причем поправочный член должен быть выражен в функции от температуры и давления согласно уравнению состояния тела в отсутствие поля. Эта формула особенно упрощается в случае малой диэлектрической, восприимчивости вещества:
ф = ф0(Р, Т)-^-& (12,5)
(ср. (11,11)).
Искомое изменение объема V — V0 во внешнем поле можно получить теперь непосредственно путем дифференцирования Ф по давлению (при постоянных Т и ©). Так, из (12,5) найдем
Эта величина может быть как положительной, так и отрицательной (в противоположность электрострикции проводников, объем которых в поле всегда возрастает).
Аналогичным образом можно вычислить также и количество тепла Q, поглощаемое в диэлектрике при изотермическом включении внешнего электрического поля (причем внешнее давление поддерживается постоянным)J).
-1) Если же тело теплоизолировано, то наложение поля приведет к изменению температуры, равному ДГ = —Q:1$p, где %р—теплоемкость тела при постоянном давлении,
Дифференцирование Ф — Ф0 по температуре даст изменение энтропии тела, а умножив его на Т, получим искомое количество тепла. Так, из (12,5) получается
(12,7)
Положительные значения Q соответствуют поглощению тепла.
3 а д а ч и
1. Определить изменение объема и электрокалорический эффект для диэлектрического эллипсоида в однородном электрическом поле, параллельном одной из его осей.
Решение. Согласно формулам (12,3) и (8,10) имеем
8л ПЕ + 1 -
1
V
8л
Для изменения объема находим г): У-Уп (J2 Г е-1
(пе+1— п) К (пе+1—п)2
—) 1 дР )т\ '
а для электрокалорического эффекта:
а
(е
—1)
-я)2
8л
Q =
ne + 1 — п (яе+ :
dV_ дТ Jp
-коэффициент сжимаемости тела, а ос =
где т= —
V I дР )т~ коэффициент теплового расширения.
В частности, для плоскопараллельной пластинки в перпендикулярном к ней поле п — \, так что
-1
гК
ТУФ?
8л .
а(е —1) . 1
дг дР дг дТ
Для такой же пластинки (или любого цилиндрического тела) в продольном поле п = 0 и
' 8л
Q =
Г№2
8л
i а(е —1)
дТ
■]■
1) Положив
е—>-оо, получим для изменения объема
проводящего эплип-
соида (V
— V0)/V
=
Й2/8лЛ>.
Для шара п = 1/3
и мы возвращаемся к резуль.
тату
задачи 4 § 5.
2) является
теплоемкостью пластинки, помещенной
между обкладками
плоского конденсатора,
включенного в цепь с постоянной э. д.
с. В разомкну-
том же конденсаторе
с постоянными зарядами на обкладках
пластинка будет
иметь теплоемкость
Решение. Согласно результатам задачи 1 энтропия пластинки
Индукция поля внутри пластинки совпадает с внешним полем: D = G. Поэтому для вычисления теплоемкости надо дифференцировать <ff при постоянном <$,. Разность потенциалов между сторонами пластинки ф = £/=(у//е, где /—толщина пластинки. При равномерном сжатии или расширении тела / меняется пропорционально V1^3. Поэтому для вычисления теплоемкости ^ф надо
дифференцировать Qf при постоянном произведении (JK^Ve. В результате найдем для искомой разности:
3. Определить электрокалорический эффект в однородном диэлектрике, полный объем которого поддерживается постоянным.
Решение. Строго говоря, при наложении внешнего поля плотность тела меняется (становясь неоднородной вдоль тела), даже если его полный объем поддерживается постоянным. Однако при вычислении изменения полной энтропии этим обстоятельством можно пренебречь и считать плотность р постоянной в каждой точке тела ').
Согласно (10,18) полная энтропия тела
где интегрирование распространяется по объему тела. Поглощаемое количество тепла
4. Определить разность — ^D (см. задачу 2) при постоянном полном объеме пластинки.
Решение. При неизменном объеме (а потому и толщине) пластинки дифференцирование при постоянной разности потенциалов эквивалентно дифференцированию при постоянной напряженности Е.
С помощью полученной в задаче 3 формулы для энтропии находим
_ TVE* ( дг у_ TV& ( дг у
5. Конденсатор состоит из двух проводящих поверхностей, находящихся на расстоянии h друг от друга, малом по сравнению с размерами обкладок; пространство между обкладками заполнено веществом с диэлектрической про- ницаемостью ех. В конденсатор вводится шарик радиуса n^ftc диэлектриче- ской проницаемостью е2. Определить изменение емкости конденсатора.
Решение. Пусть шарик вводится в конденсатор так, что разность потенциалов ф между его обкладками остается неизменной. Роль свободной энергии при постоянных потенциалах проводников играет Jp'. В отсутствие шарика jF = —С(|ф2;2, где С0 — первоначальная емкость конденсатора. Ввиду
') Изменение плотности бр — величина второго порядка по полю (—£2), а связанное с ним изменение полной энтропии—четвертого порядка. Действи-
dS С
тельно, линейное по бр изменение полной энтропии есть J SpdV, ио интеграл \ bpdV = 0 в силу неизменности общей массы тела.
малых размеров шарика можно считать, что он вводится в однородное поле с напряженностью ® = ф//г, а изменение мало. Малое изменение при постоянных потенциалах равно малому изменению при постоянных зарядах источников поля. С помощью формулы, полученной в задаче § 11, и формулы (8,2) находим
# "~ 2 Lo<P 2n2 26l + g2 ' откуда искомая емкость
г_г , а3 Мег — б]) с-с<Н"р 2б1 + е2 ■