
- •Глава I
- •§ 1. Электростатическое поле проводников
- •§ 2. Энергия электростатического поля проводников
- •§ 3. Методы решения электростатических задач
- •2 Л. Д. Ландау, е. М. Лифшиц
- •§ 4. Проводящий эллипсоид
- •§ 5. Силы, действующие на проводник
- •Глава II
- •§ 6. Электростатическое поле в диэлектриках
- •§ 7. Диэлектрическая проницаемость
- •§ 8. Диэлектрический эллипсоид
- •§ 9. Диэлектрическая проницаемость смеси
- •§ 10. Термодинамические соотношения для диэлектриков в электрическом поле
- •§ 11. Полная свободная энергия диэлектрического тела
- •§12. Электрострикция изотропных диэлектриков
- •§ 13. Диэлектрические свойства кристаллов
- •§ 14. Положительность диэлектрической восприимчивости
- •§ 15. Электрические силы в жидком диэлектрике
- •§ 16. Электрические силы в твердых телах
- •§17. Пьезоэлектрики
- •§ 18. Термодинамические неравенства
- •§ 19. Сегнетоэлектрики
- •§ 20. Несобственные сегнетоэлектрики
- •Глава III
- •§ 21. Плотность тока и проводимость
- •§ 22. Эффект Холла
- •§ 23. Контактная разность потенциалов
- •§ 24. Гальванический элемент
- •§ 25. Электрокапиллярность
- •§ 26. Термоэлектрические явления
- •§ 27. Термогальваномагнитные явления
- •§ 28. Диффузионно-электрические явления
- •Глава IV
- •§ 29. Постоянное магнитное поле
- •§ 30. Магнитное поле постоянных токов
- •§ 31. Термодинамические соотношения в магнитном поле
- •§ 32. Полная свободная энергия магнетика
- •§ 33. Энергия системы токов
- •§ 34. Самоиндукция линейных проводников
- •§ 35. Силы в магнитном поле
- •§ 36. Гиромагнитные явления
- •Глава V
- •§ 37. Магнитная симметрия кристаллов
- •§ 38. Магнитные классы и пространственные группы
- •§ 39. Ферромагнетик вблизи точки Кюри
- •§ 40. Энергия магнитной анизотропии
- •§ 41. Кривая намагничения ферромагнетиков
- •§ 42. Магнитострикция ферромагнетиков
- •§ 43. Поверхностное натяжение доменной стенки
- •§ 44. Доменная структура ферромагнетиков
- •§ 45. Однодоменные частицы
- •§ 46. Ориентационные переходы
- •§ 47. Флуктуации в ферромагнетике
- •§ 48. Антиферромагнетик вблизи точки Кюри
- •§ 49. Бикритическая точка антиферромагнетика
- •§ 50. Слабый ферромагнетизм
- •§ 51. Пьезомагнетизм и магнитоэлектрический эффект
- •§ 52. Геликоидальная магнитная структура
- •Глава VI
- •§ 53. Магнитные свойства сверхпроводников
- •§ 54. Сверхпроводящий ток
- •§ 55. Критическое поле
- •2) Мы приводим здесь вычисления с большей точностью, чем это обычно требуется, имея в виду выявить более ясно взаимоотношение между различными термодинамическими величинами.
- •§ 56. Промежуточное состояние
- •§ 57. Структура промежуточного состояния
- •Глава VII
- •§ 58. Уравнения квазистационарного поля
- •§ 59. Глубина проникновения магнитного поля в проводник
- •VaRe{a6*}.
- •§ 60. Скин-эффект
- •§ 61. Комплексное сопротивление
- •§ 62. Емкость в цепи квазистационарного тока
- •§ 63. Движение проводника в магнитном поле
- •0 Из этой формулы видно, что дополнительное тепло, выделяющееся (в течение времени 60 в проводнике при его движении в магнитном поле, есть
- •§ 64. Возбуждение тока ускорением
- •Глава VIII
- •§ 65. Уравнения движения жидкости в магнитном поле
- •§65] Уравнения движения жидкости в магнитном поле 315
- •§66] Диссипативные процессы в магнитной гидродинамике 317
- •§ 66. Диссипативные процессы в магнитной гидродинамике
- •§ 67. Магнитогидродинамическое течение между параллельными плоскостями
- •§ 68. Равновесные конфигурации
- •§ 69. Магнитогидродинамические волны
- •VX&0, Vytt—hjV4пр ,
- •§ 70. Условия на разрывах
- •§ 71. Тангенциальные и вращательные разрывы
- •§ 72. Ударные волны
- •§ 73. Условие эволюционности ударных волн
- •§ 74. Турбулентное динамо
- •Глава IX
- •§ 75. Уравнения поля в диэлектриках в отсутствие дисперсии
- •§ 76. Электродинамика движущихся диэлектриков
- •§ 77. Дисперсия диэлектрической проницаемости
- •§ 78. Диэлектрическая проницаемость при очень больших частотах
- •§ 79. Дисперсия магнитной проницаемости
- •§ 80. Энергия поля в диспергирующих средах
- •§ 81. Тензор напряжений в диспергирующих средах
- •§ 82. Аналитические свойства функции е(со)
- •§ 83. Плоская монохроматическая волна
- •§ 84. Прозрачные среды
- •Глава X
- •§ 85. Геометрическая оптика
- •§ 86. Отражение и преломление волн
- •§ 87. Поверхностный импеданс металлов
- •§ 88. Распространение волн в неоднородной среде
- •§ 89. Принцип взаимности
- •§ 90. Электромагнитные колебания в полых резонаторах
- •§ 91. Распространение электромагнитных волн в волноводах
- •§ 92. Рассеяние электромагнитных волн на малых частицах
- •§ 93. Поглощение электромагнитных волн на малых частицах
- •§ 94. Дифракция на клине
- •§ 95. Дифракция на плоском экране
- •Глава XI
- •§ 96. Диэлектрическая проницаемость кристаллов
- •§ 97. Плоская волна в анизотропной среде
- •§ 98. Оптические свойства одноосных кристаллов
- •§ 99. Двухосные кристаллы
- •§ 100. Двойное преломление в электрическом поле
- •§ 101. Магнитооптические эффекты
- •§ 102. Динамооптические явления
- •Pfffi р 1
- •Глава XII
- •§ 103. Пространственная дисперсия
- •§ 104. Естественная оптическая активность
- •§ 105. Пространственная дисперсия в оптически неактивных средах
- •§ 106. Пространственная дисперсия вблизи линии поглощения
- •Глава XIII
- •§ 107. Преобразование частот в нелинейных средах
- •§ 108. Нелинейная проницаемость
- •§ 109. Самофокусировка
- •§111. Сильные электромагнитные волны
- •§112. Вынужденное комбинационное рассеяние
- •Глава XIV
- •§ 113. Ионизационные потери быстрых частиц в веществе. Нерелятивистский случай
- •§ 114. Ионизационные потери быстрых частиц в веществе. Релятивистский случай
- •§ 115. Излучение Черенкова
- •§ 116. Переходное излучение
- •Глава XV
- •§ 117. Общая теория рассеяния в изотропных средах
- •§ 118. Принцип детального равновесия при рассеянии
- •§ 119. Рассеяние с малым изменением частоты
- •§ 120. Рэлеевское рассеяние в газах и жидкостях
- •§ 121. Критическая опалесценция
- •§ 122. Рассеяние в жидких кристаллах
- •§ 123. Рассеяние в аморфных твердых телах
- •§123] Рассеяние в аморфных твердых телах 595
- •§ 124. Общая теория дифракции рентгеновых лучей
- •§ 125. Интегральная интенсивность
- •§ 126] Диффузное тепловое рассеяние рентгеновых лучей
- •§ 126. Диффузное тепловое рассеяние рентгеновых лучей
- •§ 127. Температурная зависимость сечения дифракции
§ 99. Двухосные кристаллы
симметрии); положение же двух
других главных осей зависит от частоты. Наконец, в кристаллах ромбической системы фиксировано положение всех трех главных осей — они должны совпадать с тремя взаимно перпендикулярными осями симметрии второго порядка.
Изучение оптических свойств двухосных кристаллов связано с исследованием уравнения Френеля в его общем виде.
Примем в дальнейшем для определенности, что
е<*> < ev> < еи>. (99,1)
Для выяснения характера формы поверхности четвертого порядка, определяемой уравнением (97,10), прежде всего найдем форму ее сечений координатными плоскостями. Положив в уравнении пг = 0, найдем, что его левая часть распадается на два множителя:
(л2 — е<*>) (е(*>л2 + t^n-l—е(*>е v>) = 0.
Отсюда видно, что контур сечения в плоскости ху состоит из круга
л2 = е(г) (99,2)
и эллипса
п\ пу
ivl + gT5)= 1 > (99,3)
причем согласно условию (99,1), эллипс лежит внутри круга. Аналогично найдем, что сечения плоскостями yz и xz тоже состоят из эллипса и круга, но в плоскости yz эллипс лежит вне круга, а в плоскости xz они пересекают друг друга. Таким образом, поверхность волновых векторов есть самопересекающаяся поверхность изображенного на рис. 54 типа (на рисунке изображена поверхность в одном октанте).
Эта поверхность имеет четыре особые точки—четыре точки самопересечения, лежащие по одной в каждом квадранте плоскости хг. Особые точки поверхности, заданной уравнением вида f(nx, п , пг)= =0, определяются, как известно, равенством нулю всех трех первых производных функции f. Дифференцируя выражение в левой стороне уравнения (97,10), получим следующие уравнения:
пх [е(у) (е<->" + е(2>) — г(х)п2 — (е(х)/г| + e(-v)«2 + е(г>«2)] = 0, пу [ eV> (еи'> + е(г)) — е<у>п2 — (ew«2. + е(Я«2 + е(г>/?2)] = 0, (99,4) п2 [eU) (ew> + е(Я) — г^п2 — (е<*>«2. + г^пу + е(г,/г§)] = 0
(причем должно удовлетворяться, конечно, и само уравнение (97,10)). Заранее зная, что искомые направлениям лежат в плоскости хг, полагаем "у = 0, а из двух остающихся уравнений после простого вычисления находим1):
2_ е'г> (е<Я — е<*>) 2_е^> (в<г>—е'Л)
Пх ~ e(2) _Еу) > "г— е(г)_Е(Л) • (99,5)
Направления этих векторов п наклонены к оси г под углом р\ для которого
Этой формулой определяются две оси (два направления) в плоскости хг, каждая из которых проходит через две противоположные особые точки и наклонена под углом Р к оси г. Они называются оптическими осями (или бинормалями) кристалла; на рис. 54 пунктиром показана одна из них. Направления оптических осей являются, очевидно, единственными направлениями, в которых волновой вектор может иметь всего одно значение2).
J)
Легко
непосредственно убедиться в том, что
найденное таким образом решение есть
единственное вещественное решение
уравнений (99,4). Если все три компоненты
пх,
пу,
nz
отличны
от нуля, то три уравнения (99,4) противоречат
друг другу (в них, по существу, входят
всего две неизвестные: я2
и
е<х>
я^
+ е'Яя^
+ е'^я2.).
Если же ях
= 0 или яг
= 0, то уравнения имеют мнимые решения.
2)
На тензорном эллипсоиде (97,23) бинормали
определяются как направления,
перпендикулярные к которым сечения
эллипсоида являются окружностями.
Как известно, трехосный эллипсоид
имеет два таких сечения.
tgT=]/gEi=/StgP. (99,7)
Так как е<х> < е(г), то у < р\
Общие формулы, определяющие вектор s по вектору п (см. задачу к § 97), при подстановке в них значения п из (99,5) дают неопределенность вида 0/0. Происхождение и смысл этой неопределенности вполне понятны из следующих геометрических соображений. А Вблизи особой точки внешняя q и внутренняя полости поверхности волновых векторов представляют собой конусы с общей вершиной. В этой вершине (особой точке) направление нормали к поверхности становится неопределенным; между тем указанные формулы определяют направление s именно как направление нормали. В действительности волновому вектору, направленному вдоль оптической оси (бинормали), соответствует бесконечное множество лучевых векторов, направления которых заполняют определенную коническую поверхность (конус внутренней конической рефракции)1).
Для нахождения этого конуса лучей можно было бы исследовать направления нормалей в окрестности особой точки. Более нагляден, однако, путь, основанный на геометрическом построении с помощью лучевой поверхности.
*)
Описываемое ниже явление конической
рефракции было предсказано Гамильтоном
(W.
R.
Hamilton,
1833).
Количественный расчет описанной геометрической картины не представляет особых трудностей, но мы не будем излагать его здесь, ограничившись приведением окончательных формул. Уравнение окружности, по которой конус рефракции пересекает лучевую поверхность, дается совокупностью следующих двух формул:
(gu>_8<*>) Sy + (sx ]/eu>(e(Z| — е'у>) — sz j/"e(Z) (е(>-> — е(*>)) х
х(../^-«./^)-0. <"'8>
5х]/е(г>(е^>—е(*>) +sz j/ei*> (£<г> еу>) = Уe(Z> — е(х>.
Первое из этих уравнений, если понимать в нем sx, sy, sz как три независимые переменные, есть уравнение самого конуса рефракции. Второе же дает уравнение касательной (к лучевой поверхности) плоскости. В частности, при sy = 0 первое уравнение (99,8) распадается на два уравнения
_ -.f e^MeW —su)) _ f e'*> (eW-eW)
17 ~ V e<*>(e<*> —е^>) ' sz ~ V г^(г^—г^)) '
которые определяют направления крайних лучей (соответственно Оа и Ob на рис. 55) в плоскости сечения xz. Первое из них совпадает с направлением бинормали (ср. (99,6)), которое в то же время перпендикулярно к касательной аЬ.
Аналогичное положение имеет место для волновых векторов, соответствующих заданному лучевому вектору. Вектору s, направленному по бирадиали, соответствует бесконечное множество волновых векторов, направления которых заполняют так называемый конус внешней конической рефракции (на рис. 55 треугольник Оа'Ь' есть след сечения этого конуса плоскостью xz). Соответствую-
n, е
щие формулы получаются, как всегда, заменой в формулах (99,8) и гласят:
e<j» (е<*>_8<*>) п\ + (пх]/"е(г> — е^> — пг VW-X (nxew>
<*>) x ^>) = 0,
(г)
• е0->-
1/е
(99,9)
У e(J" -
„х |/ey>_eu> + „г т/е(')_еу) = ]/^ГГ7^"_е(*>j
Для фактического наблюдения внутренней конической рефракции х) можно воспользоваться плоскопараллельной пластинкой, вырезанной из кристалла перпендикулярно к бинормали (рис. 56). Поверхность пластинки закрыта узкой диафрагмой, выделяющей из перпендикулярно падающей на пластинку плоской волны (волны с определенным направлением волнового вектора) узкий пучок. Волновой вектор в прошедшем в пластинку свете будет иметь это же направление, совпадающее с бинормалью, и потому его лучи распределятся по поверхности конуса внутренней рефракции. Свет же, выходящий из другой поверхности пластинки, имея тот же волновой вектор, что и падающий свет, распределится по поверхности кругового цилиндра.
Рис. 56.
Для наблюдения же внешней конической рефракции пластинка должна быть вырезана перпендикулярно к бирадиали, а ее
обе поверхности — закрыты диафрагмами с малыми отверстиями, расположенными точно одно против другого. При освещении пластинки сходящимся пучком света (т. е. пучком, содержащим лучи со всевозможными направлениями п) диафрагмы выделят внутри пластинки лучи с направлением s вдоль бирадиали и, соответственно, с направлениями п, заполняющими поверхность конуса внешней конической рефракции. Выходящий из второго отверстия свет распределится поэтому тоже по конической поверхности (которая, однако, вследствие преломления на выходе не точно совпадает с конусом внешней рефракции).
Законы преломления на поверхности двухосного кристалла при произвольном направлении падения чрезвычайно громоздки, и мы не будем останавливаться на них 2). Укажем лишь, что в отличие от одноосного кристалла, обе преломленные волны являются «необыкновенными» и их лучи не лежат в плоскости падения.
1) Следующее
ниже описание весьма схематично.
2) Изложение
соответствующих вычислений можно найти
в статье Szi-
vessy
G.
Kristalloptik
в
книге: Handbuch
der Physik, Bd XX.—Berlin,
1928.
Рассмотрим распространяющуюся в кристалле однородную плоскую волну; в ней п—комплексный вектор, причем, однако, его вещественная и мнимая части имеют одинаковое направление: n = ttv, где v — вещественный единичный вектор, а п = п (со)— комплексная величина. При заданном v дисперсионное уравнение (97,21) в раскрытом виде гласит:
п~А—п-Члп + и,2) + г)ит122 — и22 = 0,
где T](.ft = efft1, а индексы 1, 2 — тензорные индексы в плоскости, перпендикулярной v. Это квадратное по п~2 уравнение имеет кратный корень, если
1122—ilii = ± 2b1l2; (99,10)
при этом я-2 = (т)п + т|22)/2. При наличии поглощения тензор ^к^Чк + Щиг комплексен.
В двухосных кристаллах эллипсоиды тензоров r\'ik и r\"ik трех-осны, причем отношения длин их полуосей (а в кристаллах триклинной и моноклинной систем также и их направления) различны для обоих тензоров. В этих условиях двумерные тензоры и т)аР не приводятся, вообще говоря, одновременно к главным осям. Угол г} между главными осями обоих тензоров—функция двух независимых переменных (углов, задающих направление v). Поэтому при заданной частоте со может существовать однопара-метрическое множество направлений v, для которых г} = я/4. При таком значении г} мнимая часть комплексного уравнения (99,10) удовлетворяется тождественно, а вещественная часть принимает вид
%—% = + (Л2—%). (99,11)
где индексы 1 и 2 указывают главные значения соответствующих тензоров'). При любом выборе осей хх, х2 уравнения (97,21) дадут теперь
D2/D1 = (н22—на)/2т112 = ± i,
где два знака в правой стороне равенства отвечают двум знакам в (99,10). Таким образом, условия {} = я/4 и (99,11) совместно выделяют для каждого значения со определенное направление v, в котором может распространяться лишь волна с круговой поляризацией одного знака—левой или правой, смотря по тому, с каким знаком выполняется условие (99,10) (W. Voigt, 1902). Такое направление в кристалле называют сингулярной или круговой оптической осью.
*)
В сказанном легко убедиться, выбрав
оси хх,
хг
в
направлении главных осей тензора
г\'а^
и
выразив компоненты тензора т)'^ через
его главные значения.
жит в этом случае наряду с экспоненциальным множителем exp (mvr) (содержащим в себе и затухание) еще и линейный по координатам множитель вида a-j-bvr1). Поляризация этой волны меняется вдоль луча, но в конце концов по мере увеличения vr устанавливается такая же круговая поляризация, как и в первой волне (это становится очевидным, если заметить, что в указанном пределе при подстановке решения в уравнения поля дифференцированию следует подвергать только экспоненциальный множитель; разница между обоими решениями тогда исчезает).
Подчеркнем отличие сингулярной оси от случая, когда двойной корень дисперсионного уравнения возникает автоматически в силу симметрии кристалла. Для света, распространяющегося вдоль оптической оси одноосного кристалла, двумерный тензор наР имеет вид най = т)бай и условие (99,10) удовлетворяется тождественно. При этом уравнения (97,21) допускают два независимых решения с различными поляризациями.