П4. Транзисторы

Задача 4.1. На рисунке П4.1 приведена схема включения транзистора с общим (ей) А: эмиттером; Б; базой; В: коллектором; Г: землей.

Рис. П4.1 Рис. П4.2

Задача 4.2. Какому из приведенных приборов соответствуют характеристики, представленные на рис. П4.2?

Задача 4.3. Какая из схем характеризуется приведенными характеристиками (рис. П4.3)? А: схема БТ с ОЭ; Б: схема БТ с ОБ; В: схема БТ с ОК; Г: схема ПТ с ОК.

Рис. П4.3

Задача 4.4. Какому из приведенных приборов соответствуют характеристики, представленные на рис. П4.4?

Рис. П4.4 Рис .П4.5

Задача 4.5. Какому из приведенных приборов соответствуют характеристики, представленные на рис. П4.5?

Задача 4.6. Какая из приведенных структур соответствует прибору, условное изображение которого представлено на рис. П4.6?

Рис. П4.6

Задача 4.7. Какого типа проводимости является база БТ, если в активном режиме на коллектор необходимо подавать . А: n; Б: р; В: p-n; Г: n⁺.

Задача 4.8. Какого типа проводимости является база БТ, если в активном режиме на коллектор необходимо подавать +. А: n; Б: р; В: p-n; Г: n⁺.

Задача 4.9. Какого типа проводимости является канал ПТ, если в активном режиме на его сток необходимо подавать . А: n; Б: р; В: p-n; Г: n⁺.

Задача 4.10. Какого типа проводимости является канал ПТ, если в активном режиме на его сток необходимо подавать +. А: n; Б: р; В: p-n; Г: n⁺.

Задача 4.11. Какого типа проводимости является индуцированный канал ПТ, если для его образования на затвор необходимо подавать . А: n; Б: р; В: p-n; Г: n⁺.

Задача 4.12. На рисунке П4.7 приведена схема включения транзистора с общим (ей) …А: базой; Б: эмиттером; В: землей; Г: коллектором.

Задача 4.13. На рисунке П4.7 приведена схема включения транзистора с общим (ей) …А: базой; Б: эмиттером; В: землей; Г: коллектором.

Рис. П4.7 Рис. П4.8

Задача 4.14. На рисунке П4.8 приведена схема включения транзистора …А: ОБ; Б: ОС; В: ОИ; Г: ОК.

Задача 4.15. Транзистор включен в схему с ОЭ (рис. П4.9). В области рабочей точки П параметр h_11э равен…А:  1,210^3 См; Б:  0,83 Ом; В:  250 Ом ; Г:  830 Ом.

Рис. П4.9

Задача 4.16. Транзистор включен в схему с ОЭ (рис. П4.9). В области рабочей точки П при токе I_б = 300 мкА параметр h_12э равен…А:  1,210^3 См; Б:  0,83 Ом; В:  250 Ом ; Г:  610^3.

Задача 4.17. Транзистор включен в схему с ОЭ (рис. П4.10). В области рабочей точки П при токе I_б=300 мкА параметр h_22э равен…А:  1,210³ Ом; Б:  0,85 10^3 См; В:  10⁴ Ом; Г:  10^4 См.

Задача 4.18. Транзистор включен в схему с ОЭ (рис. П4.10). В области рабочей точки П параметр h_21э равен…А:  15; Б:  0,85·10^3 См; В:  10⁴ Ом; Г:  10^4 См.

Задача 4.19. Транзистор включен в схему с ОЭ (рис. П.4.10); рабочая точка П; напряжение питания 14 В. Линия нагрузки по постоянному току: А: ТН; Б: ЕМ; В: ДС; Г: ГВ.

Рис. П4.10 Рис. П4.11

Задача 4.20. Транзистор включен в схему с ОЭ (рис. П4.10); рабочая точка П; напряжение питания Е = 14 В. Если Е станет равным 10 В, то коллекторный ток I_К покоя станет равным…А:  12 мА; Б:  5 мА; В:  6 мА; Г:  20 мА.

Задача 4.21. Транзистор имеет характеристику (рис. П4.11), следовательно, он имеет канал с типом проводимости…А: n⁺; Б: n⁺; В: p; Г: n.

Задача 4.22. Транзистор имеет характеристику (рис. П4.12), следовательно, он имеет канал с типом проводимости…А: встроенный p; Б: встроенный n; В: индуцированный n; Г: индуцированный p.

Рис. П4.12 Рис. П4.13

Задача 4.23. В транзисторе, включенном по схеме с ОЭ, ток базы изменился на 0,1 мА. Как при этом изменится ток эмиттера, если коэффициент усиления  = 0,975? А: на 4 мА; Б: на 0,4 мА; В: на 40 мА; Г: на 0,1 мА.

Задача 4.24. Для прибора (рис. П4.13), крутизна S примерно равна… А:  2000 Ом; Б:  210^4 Ом^1м^1; В:  20 В; Г:  3,8 мА/В.