Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
ЭЛ_общий_27.05.13печать.doc
Скачиваний:
0
Добавлен:
01.07.2025
Размер:
7.1 Mб
Скачать

Подготовка к работе

Лабораторная работа относится к темам: ″Биполярные транзисторы″, ″Полевые транзисторы″, ″Технология производства микросхем″. Предварительно необходимо выполнить задания контрольной работы (РГЗ).

В "заготовке" к работе следует зарисовать таблицы и объяснить:

– основные элементы технологии изготовления гибридных микросхем на ситалловой подложке;

– элементы технологии изготовления планарного биполярного транзистора;

– элементы технологии изготовления планарного полевого транзистора;

– элементы технологии изготовления планарного транзистора с плавающим затвором;

– строение матрицы микросхемы К573РФ5 (рис. 6.6 - 6.7); запишите количество транзисторов в матрице;

– принципы записи информации в микросхемы памяти.

Измерения и обработка результатов

1. Исследование элементов технологии гибридных имс

1.1. Изучите строение микроскопа МИР. Научитесь пользоваться нониусной шкалой, оценить цену ее деления.

1.2. Исследование структуры БГИС проводится с помощью микроскопа МИР. По указанию преподавателя выберите необходимую заготовку ГИС с нанесенными на ней алюминиевыми проводниками схемы, сформированную на ситалловой подложке.

1.3. По указанию преподавателя выберите проводник в форме меандра. Зарисуйте форму проводника, контактные площадки, аналогично представленным на рис. 6.9. С помощью нониусной шкалы микроскопа МИР, определите размеры и параметры резистора в форме меандра (табл. 6.1).

1.4. Исследование сопротивления резисторов на бгис

Испытаниям подвергается стандартная микросхема БГИС (со вскрытой крышкой корпуса), сформированная на ситалловой подложке.

По указанию преподавателя выберите линейный резистор на микросхеме. Наблюдая в микроскоп, уточните, с каким выводами (контактами) связан этот резистор с помощью золотых проводников. Зарисуйте форму и определите размеры выбранного резистора (табл. 6.1).

Таблица 6.1

Параметры тонкопленочного резистора

Параметр

Данные

Параметр

Данные

Рисунок

Резистор в форме меандра

Материал подложки

?

lср, м

?

?

Материал пленки резистора

?

b, м

?

Линейный резистор

Материал подложки

?

lср, м

?

?

Материал пленки резистора

?

b, м

?

R, МОм

?

, Ом

?

Для определения величины сопротивления R выбранного резистора, используйте мультиметр в соответствующем режиме измерения (). Аккуратно касаясь электрическими щупами выводов ИМС, электрически связанных с контактными площадками ИС, оцените величину сопротивления R выбранного планарного проводника с помощью тестера (3 – 5 измерений) (табл. 6.1). Следует учитывать возможное влияние полярности при измерениях, так как резистор связан с отдельными контактами выводов через p-n-переходы навесных микродиодов или микротранзисторов (рис. 6.9).

Рассчитайте величину удельного поверхностного сопротивления  проводящего алюминиевого покрытия (табл. 6.9).