1.14. Исследование характеристик передачи тока в схеме об

Для построения серии статических характеристик передачи тока I_к(I_э)|U_кб в схеме ОБ первоначально установите фиксированное значение U_кб = 0 В и, изменяя ток I_э, измеряйте значения тока I_к (табл. 4.5).

Таблица 4.5

Параметры	Uкб = ? В
Iэ, мА	?	8-10 точек	?
Iк, мА	?	?	?
сред	?

1.15. Рассчитайте значения коэффициента передачи тока _сред.

1.16*. Установите значение U_кб = 10 В, повторите испытания п.п. 1.14 - 1.15.

1.17*. Установите значение U_кб = 15 В, повторите испытания п.п. 1.14 - 1.15.

1.18*. Постройте и объясните зависимость (U_кб).

1.19. Выключите установку.

2. Исследование схемы с общим эмиттером

2.1. Ознакомьтесь с экспериментальной установкой. Уточните, как будут изменяться и измеряться напряжения U_бэ, U_кб.

По разрешению преподавателя включите установку.

2.2. Исследование входных характеристик транзистора в схеме оэ

Задачей является исследование серии входных характеристик, аналогичных представленным на рис. 4.3, а, 4.6, а. Обратим внимание, что исследуются серии характеристик I_б(U_бэ) при фиксированных значениях напряжения U_кэ между коллектором и эмиттером.

Первоначально установите значение U_кэ = 0. Изменяя напряжение U_бэ от нулевого значения до (примерно) 1 В (не менее 8–10 точек), измеряйте значения токов I_б(U_бэ)|_{Uкэ = 0} (табл. 4.6).

Таблица 4.6

Параметр	Uбэ, В	Iэ, мА	Iк, мА	Iб, мА
Uкэ = ?	0	?	?	?
	?	?	?	?
	…	…	…	…
	?	?	?	?

2.3. Установите значение U_кэ = 10-12 В. Изменяя напряжение U_бэ от нулевого значения до U_бэ ≈ 1 В (не менее 8–10 точек), измеряйте значения токов I_б(U_бэ)|_{Uкэ = 10} (аналогично, табл. 4.6).

2.4. Установите значение U_кэ = 15-17 В. Изменяя напряжение U_бэ от нулевого значения до U_бэ ≈ 1 В (не менее 8–10 точек), измеряйте значения токов I_б(U_бэ)|_{Uкэ = 15} (аналогично, табл. 4.6).

2.5. Постройте и объясните серию входных I_б(U_бэ)|_Uкэ характеристик (на одном графике).

2.6. Исследование выходных характеристик транзистора в схеме оэ

Задачей является исследование серии выходных характеристик, аналогичных представленным на рис. 4.3, б, 4.6, б. Исследуются серии характеристик I_к(U_кэ) при различных фиксированных значениях тока базы I_б.

2.7. Первоначально установите U_бэ = 0, так что I_б = 0. Изменяя U_кэ от нулевого значения до U_кэ ≈ 20 В (не менее 8–10 точек), измеряйте значения токов I_к(U_кэ)|_{Iб = 0} (табл. 4.7). По мере изменения U_кэ значение I_б должно оставаться постоянным, и если значение изменяется, то регулируйте U_бэ.

Таблица 4.7

Параметр	Uкэ, В	Iк, мА	Iэ, мА	Пара-метр	Uкэ, В	Iк, мА	Iэ, мА	Параметр	Uкэ, В	Iк, мА	Iэ, мА
Iб = ?, мА	0	?	?	Iб = ?, мА	0	?	?	Iб = ?, мА	0	?	?
	?	?	?		?	?	?		?	?	?
	…	…	…		…	…	…		…	…	…
	?	?	?		?	?	?		?	?	?

2.8. Установите произвольное значение тока I_б базы. Изменяя U_кэ от нулевого значения до U_кэ ≈ 20 В (не менее 8–10 точек), измеряйте значения I_к(U_кэ)|_Iб (табл. 4.7). По мере изменения U_кэ значение I_б должно оставаться постоянным.

2.9. Установите следующее значение тока I_б базы. Изменяя U_кэ от нулевого значения до U_кэ ≈ 20 В (не менее 8–10 точек), измеряйте значения токов I_к(U_кэ)|_Iб (табл. 4.7). По мере изменения U_кэ значение I_б должно оставаться постоянным.

2.10. Постройте серию выходных характеристик I_к(U_кэ)|_Iб при различных токах базы.