4.1.4. Описание установки

В работе исследуются стенды ЭС-4а со схемами с общей базой ОБ (рис. 4.4) или общим эмиттером ОЭ (рис. 4.5) на биполярном транзисторе КТ808А n-p-n-типа.

а) б)

Рис. 4.4. Стенд ЭС-4А со схемой ОБ (а) и вид транзистора КТ808А (б)

Наиболее важные статические параметры транзистора приведены в таблице 4.1. С дополнительными сведениями о параметрах и характеристиках транзистора следует ознакомиться в справочниках.

Входные и выходные характеристики транзистора КТ808А (при больших токах) в схеме ОЭ приведены на рис. 4.6.

Таблица 4.1

Параметр	Значение
Обратный ток эмиттера при Uэ = 4В	4 мА
Обратный ток коллектора при Uк= 120 В при 25 оС	3 мА
 = h21э	50
Iкмакс	10 А
Uкэмакс	120 В

Рис. 4.5. Стенд ЭС-4А со схемой ОЭ

а) б)

Рис. 4.6. Серии входных (а) и выходных (б) характеристик КТ808А в схеме ОЭ

Подготовка к работе

Лабораторная работа относится к теме: ″Биполярные транзисторы″. Предварительно необходимо выполнить задания контрольной работы (РГЗ).

В "заготовке" к работе следует описать:

– схемы включения транзистора и испытаний;

– серии входных и выходных характеристик схем ОБ и ОЭ;

– маркировку, конструкцию приборов, параметры реальных транзисторов, используя справочники;

– реальные входные и выходные характеристики исследуемого транзистора;

– таблицы для испытаний.

Измерения и обработка результатов

1. Исследование схемы с общей базой

1.1. Ознакомьтесь с экспериментальной установкой. Уточните, как будут изменяться и измеряться напряжения U_эб, U_кб, какие потенциалы подаются на эмиттер, базу, коллектор?

По разрешению преподавателя включите установку.

1.2. Исследование входных характеристик транзистора в схеме об

Задачей является исследование серии входных характеристик, аналогичных представленным на рис. 4.2, а. Обратите внимание, что исследуются серии характеристик I_э(U_эб) при фиксированных значениях напряжения U_кб между коллектором и базой.

Первоначально установите значение U_кб = 0. Изменяя U_эб от нулевого значения до (примерно) 1 В (не менее 8–10 точек), измеряйте значения токов I_э(U_эб)|_{Uкб = 0} (табл. 4.2).

Таблица 4.2

Параметр	Uэб, В	Iэ, мА	Iк, мА	Iб, мА
Uкб = ?	0	?	?	?
	?	?	?	?
	…	…	…	…
	?	?	?	?

1.3. Установите значение U_кб = 10-12 В. Изменяя U_эб от нулевого значения до U_эб ≈ 1 В (не менее 8 – 10 точек), измеряйте значения токов I_э(U_эб)|_{Uкб = 10} (табл. 4.2).

1.4. Установите значение U_кб = 15-17 В. Изменяя U_эб от нулевого значения до U_эб ≈ 1 В (не менее 8 – 10 точек), измеряйте значения токов I_э(U_эб)|_{Uкб = 15} (табл. 4.1).

1.5. Постройте и объясните серию входных I_э(U_эб)|_Uкб характеристик (на одном графике).