16*. Исследование величины светового потока от светодиода
В лабораторной работе для исследования освещенности света, создаваемой светодиода, имеющим малую площадь излучения, применяется специальная насадка с фотодиодом типа ФД-125, в которую при испытаниях устанавливается вилка разъема с исследуемым светодиодом.
Установите кабель II со светодиодом в насадку с фотодиодом люксметра.
По мере увеличения частоты от f1 = (10…150) Гц снимите зависимость освещенности Е света от светодиода от частоты световых импульсов (табл. 3.11). Обратите внимание на инерционные свойства люксметра, с помощью которого анализируется освещенность от импульсного источника.
Таблица 3.11
f2, Гц |
10 |
20 |
… |
… |
150 |
E, лк |
? |
? |
? |
? |
? |
17. Выключите установку. Сдайте приборы и принадлежности преподавателю.
Отчетные материалы
В лабораторной тетради представляются:
– заполненные таблицы;
– расчетные значения для фотодиода и фоторезистора;
– синхронизированные осциллограммы сигналов на фотодиоде и фоторезисторе при облучении, аналогичные представленным на рис. 3.19, с указанием рассчитанных параметров сигналов;
– * зависимость освещенности от частоты светодиода.
К защите представляется РГЗ с задачами по темам: ″Фотопроводимость″, ″Фотоприемники″, ″Фотодиоды″.
Тема 4. Биполярные транзисторы Лабораторная работа №4.1
″Статические характеристики биполярного транзистора″
Цель работы: исследование работы и статических характеристик биполярного транзистора n-p-n-типа в схемах с общей базой и общим эмиттером.
Приборы и принадлежности: испытательный стенд, источники питания; схемы с общей базой и общим эмиттером на основе биполярного транзистора КТ-808А; измерительные приборы.
4.1. Характеристики биполярных транзисторов
4.1.1. Схемы включения биполярных транзисторов
В зависимости от чередования слоев существуют транзисторы двух типов p-n-p и n-p-n.
Каждый из этих транзисторов может быть включен в три схемы, называемые ОБ, ОЭ, ОК (рис. 4.1).
а) б) в)
Рис. 4.1. Схемы включения транзисторов: ОБ (а), ОЭ (б), ОК (в)
Независимо от схемы включения, один и тот же транзистор может работать в четырех режимах работы, которые определяют области и особенности его применения.
Особо следует подчеркнуть, что прежде, чем та или иная схема с транзистором будет ″работать″ (усиливать, генерировать и т.п.) транзистор должен быть установлен в тот или иной рабочий режим с помощью источников постоянного тока. Другими словами, без источников питания ни один транзистор (биполярный или полевой) не будет работать.
В активном (нормальном) режиме эмиттерный переход транзистора открыт, а коллекторный закрыт.
В режиме отсечки полярность приложенных внешних источников питания такова, что эмиттерный и коллекторный переходы смещены в обратном направлении, т.е. оба перехода закрыты. Этот режим соответствует закрытому состоянию транзистора.
В режиме насыщения (двойной инжекции) оба перехода транзистора смещены в прямом направлении, открыты и через них протекает большой ток. В этом режиме транзистор полностью открыт и через него проходит большой ток (говорится, что транзистор ″насыщен″). В этом режиме сопротивление транзистора и напряжение Uкэ между точками между контактами Э и К крайне мало.
Инверсный режим характеризуется тем, что эмиттерный переход закрыт, а коллекторный открыт.
Статические вольтамперные характеристики транзистора определяют зависимости входного и выходного токов от величины постоянных напряжений на входе или на выходе схемы.