
- •Физические основы электроники Электрофизические методы исследования полупроводников и полупроводниковых приборов
- •Введение в настоящем пособии излагаются основные темы дисциплин, связанных с основами работы полупроводниковых приборов.
- •Требования к подготовке, выполнению и защите работ
- •Тема 1. Приборы, используемые для проведения исследований полупроводниковых приборов
- •1.1. Автоматические мосты переменного тока
- •1.2. Осциллографы
- •1.3. Генераторы
- •Тема 2. Проводимость полупроводников и металлов лабораторная работа № 2.1
- •2.1. Терморезисторы: термисторы и позисторы
- •Подготовка к работе
- •Измерения и обработка результатов
- •Отчетные материалы
- •Лабораторная работа № 2.2
- •2.2. Общие сведения
- •Подготовка к работе
- •Измерения и обработка результатов
- •1. Подготовка к работе
- •2. Исследование вольтамперной характеристики варистора
- •7. Исследование зависимости сопротивления от температуры
- •Отчетные материалы
- •Лабораторная работа № 2.3
- •2.3. Определение типа носителей в полупроводниках
- •2.3.1. Метод термозонда
- •2.3.2. Метод Холла
- •2.3.3. Определение концентрации и подвижности носителей
- •Подготовка к работе
- •Измерения и обработка результатов
- •1. Определение типа носителей с помощью метода термозонда
- •1.1. Подготовка к работе
- •1.2. Определение типа носителей разных кристаллов
- •2. Исследования по методу Холла
- •2.1. Определение типа основных носителей в датчике Холла
- •2.3. Исследование вольтамперной характеристики датчика
- •2.4. Определение микропараметров кристалла датчика Холла
- •2.6. Определение зависимости эдс Холла от величины тока
- •2.9. Определение зависимости эдс Холла величины индукции в
- •Отчетные материалы
- •Тема 3. Полупродниковые диоды Лабораторная работа №3.1 ″Исследование полупроводниковых диодов″
- •3.1. Характеристики полупроводниковых диодов
- •Подготовка к работе
- •Измерения и обработка результатов
- •1. Начальные установки
- •2. Исследование вольтамперной характеристики диода при t0
- •2.1. Исследование прямой ветви вах диода д2
- •2.2. Исследование обратной ветви вах диода д2
- •3*. Исследование вах диодов различных типов
- •4. Исследование зависимости обратного тока диода от температуры
- •Отчетные материалы
- •Лабораторная работа № 3.2
- •3.2. Полупроводниковые стабилитроны и стабисторы
- •3.3. Описание стенда
- •Измерения и обработка результатов
- •2. Исследование вольтамперной характеристики стабилитрона при комнатной температуре
- •5. Исследование влияния температуры на напряжение Uст
- •Отчетные материалы
- •Лабораторная работа №3.3
- •3.4. Характеристики светодиодов
- •3.4.1. Управляемые источника света. Светодиоды
- •3.4.2. Строение светодиодов
- •3.4.3. Общие сведения об обозначении светодиодов
- •3.4.4. Особенности лабораторной установки
- •Отчетные материалы
- •Лабораторная работа № 3.4
- •3.5. Общие сведения о фотоприемниках
- •3.5.2. Параметры и характеристики фоторезистора
- •3.5.3. Особенности работы фотодиодов
- •3.5.4. Описание установки
- •Подготовка к работе
- •Измерения и обработка результатов
- •3. Исследование параметров электрического сигнала от генератора
- •6. Определение параметров импульса эдс от облучаемого фотодиода
- •10. Определение параметров импульса в цепи фоторезистора
- •11. Оценка параметров сигнала от резистора Rизм
- •16*. Исследование величины светового потока от светодиода
- •Отчетные материалы
- •Тема 4. Биполярные транзисторы Лабораторная работа №4.1
- •4.1. Характеристики биполярных транзисторов
- •4.1.1. Схемы включения биполярных транзисторов
- •4.1.2. Схема с общей базой
- •4.1.3. Схема с общим эмиттером
- •4.1.4. Описание установки
- •Подготовка к работе
- •Измерения и обработка результатов
- •1. Исследование схемы с общей базой
- •1.2. Исследование входных характеристик транзистора в схеме об
- •1.6. Исследование выходных характеристик транзистора в схеме об
- •1.12*. Исследование характеристики обратной связи в схеме об
- •1.14. Исследование характеристик передачи тока в схеме об
- •2. Исследование схемы с общим эмиттером
- •2.2. Исследование входных характеристик транзистора в схеме оэ
- •2.6. Исследование выходных характеристик транзистора в схеме оэ
- •2.11*. Исследование характеристики обратной связи в схеме оэ
- •2.13. Исследование характеристики передачи тока в схеме оэ
- •Отчетные материалы
- •Тема 5. Полевые транзисторы Лабораторная работа № 5.1
- •5.1. Характеристики полевого транзистора
- •5.1.1. Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом
- •5.1.2. Полевой транзистор с изолированным затвором
- •5.1.3. Особенности схемы измерения
- •Подготовка к работе
- •Измерения и обработка результатов
- •2. Исследование стоковой (выходной) характеристики
- •Отчетные материалы
- •Тема 6. Элементы технологии производства имс Лабораторная работа № 6.1
- •6.1. Элементы технологии изготовления имс
- •6.1.1. Классификация имс
- •6.1.2. Понятие о технологическом цикле производства имс
- •6.1.3. Производство планарного биполярного транзистора
- •6.1.4. Производство планарного полевого транзистора
- •6.1.5. Структура транзисторов статических микросхем памяти
- •6.1.6. Общие сведения о топологии микросхем памяти
- •6.1.7. Описание установки и процедуры испытаний
- •Подготовка к работе
- •Измерения и обработка результатов
- •1. Исследование элементов технологии гибридных имс
- •1.4. Исследование сопротивления резисторов на бгис
- •2. Исследование элементов технологии твердотельных имс
- •2.4. Градуировка окуляров с помощью дифракционной решетки
- •3. Исследование твердотельных микросхем на установке "мим"
- •4. Анализ топологии и параметров микросхемы памяти
- •Отчетные материалы
- •Задачи по темам Аналоговая и Цифровая Электроника
- •П2. Диоды и тиристоры
- •П3. Источники вторичного напряжения
- •П4. Транзисторы
- •П5. Аналоговые устройства
- •П6. Операционные усилители и схемы на их основе
- •П7. Преобразовательные устройства и генераторы
- •П8. Стабилизаторы
- •П9. Логические микросхемы
- •П10. Логические схемы
- •П11. Схемы на лэ
- •П12. Триггеры
- •П13. Регистры и счетчики
- •П14. Преобразователи кодов
- •П15. Мультиплексоры, демультиплексоры, сумматоры
- •П16. Цифро-аналоговые преобразователи
- •П17. Микросхемы (технология и устройство)
- •Рекомендуемая литература Основная литература
- •Дополнительная
6. Определение параметров импульса эдс от облучаемого фотодиода
Установите вилку кабеля II с импульсным светодиодом в розетку оптико-волоконного кабеля IY. Убедитесь, что на выходе кабеля 4 имеется импульсный оптический сигнал.
Подключите вилку кабеля IY в розетку с фотодиодом, который работает в режиме фотогенератора. За счет облучения на фотодиоде возникает импульсный сигнал, форма которого может быть исследована с помощью осциллографа. Кабель I подключите к соответствующей розетке ″Выход″ на блоке фотодиода; переключатель П в положение 1.
7. Установите частоту f1 на генераторе.
При нажатой клавише "" (режим ″≈″: постоянная составляющая не регистрируется) добейтесь появления устойчивого сигнала на экране осциллографа (1 - 2 периода). С помощью переключателей зафиксируйте оптимальные размеры изображения сигнала фото-ЭДС на осциллографе, определите амплитуду напряжения на фотодиоде, длительность импульсного сигнала Т, частоту f, значения tф, tи в данном режиме (на уровне 0,5Uмах) (табл. 3.2).
Зарисуйте форму сигнала с обозначением его параметров. Сравните данные с результатами, полученными в предыдущих исследованиях, обратив внимание на то, как изменяется форма сигнала от фотодиода, время периода, переднего фронта, среза и другие параметры по сравнению с электрическим импульсом, питающим светодиод.
8. Повторите испытания п. 7. для частоты f2 = 2f1 (табл. 3.9).
9. Повторите испытания п. 7. для частоты f3 = 3f1 (табл. 3.9).
10. Определение параметров импульса в цепи фоторезистора
Установите переключатель П в положение 2. Концы кабеля III подключите к источнику питания в соответствии с полярностью, указанной на контактах, а вилку кабеля III установите в розетку питания фоторезистора на блоке (рис. 3.20).
Включите источник питания, установив на нем 510 В (по указанию преподавателя).
Вилку кабеля IY подключите к розетке разъема с фоторезистором.
11. Оценка параметров сигнала от резистора Rизм
Напряжение, снимаемое с резистора Rизм, имеет как постоянную UR=, так и переменную UR≈ составляющие (рис. 3.19, г). Значения этих составляющих может быть оценены с помощью осциллографа.
При отжатой клавише "" или режиме ″≈=″ на экране осциллографа можно видеть сигнал в целом; измеряется как постоянная UR=, так и переменная UR≈ составляющие напряжения. По мере увеличения постоянной составляющей сигнал смещается по вертикали, так, что переменная составляющая становится менее значимой.
При нажатой клавише "" или режиме ″≈″ производится контроль только переменной составляющей (независимо от постоянной составляющей изображение переменного импульса остается неподвижным и не смещается по вертикали). В данном случае можно увеличивать чувствительность осциллографа (по вертикали и горизонтали) для определения параметров сигнала.
12. Установите частоту f1 на генераторе.
При нажатой клавише "" или режиме ″≈″ (постоянная составляющая не регистрируется) добейтесь появления устойчивого сигнала на экране осциллографа (1-2 периода). С помощью переключателей зафиксируйте оптимальные размеры изображения сигнала от резистора Rизм на осциллографе, определите амплитуду напряжения, длительность импульсного сигнала Т, частоту f, значения tф, tи в данном режиме (на уровне 0,5Uмах) (табл. 3.9).
Зарисуйте форму сигнала (с обозначением его параметров). Сравните данные с результатами, полученными в предыдущих исследованиях, обратив внимание на то, как изменяется форма сигнала, время периода, переднего фронта, среза и другие параметры по сравнению с электрическим импульсом, питающим светодиод.
13. Повторите испытания п. 12. для частоты f2 = 2f1 (табл. 3.9).
14. Повторите испытания п. 12. для частоты f3 = 3f1 (табл. 3.9).
15*. Силу постоянного тока через фоторезистор можно определить по следующей методике.
Кнопку "" отжата (режим ″≈″). Установите, например, усиление 20, делитель 100 (или 10). Установите частоту генератора f3. Переключатель П в нейтральное положение. В этом случае на осциллограф сигнал от резистора Rизм не поступает. На осциллографе видна горизонтальная линия, например, в нижней части шкалы с делениями. Установите переключатель П в положение 2. На осциллограф подается напряжение с резистора Rизм, сигнал смещается на величину Y (дел), которая пропорциональна постоянному напряжению UR= = Uизм= на измерительном резисторе, согласно схеме изменения (рис. 3.18).
Оценивая экспериментальное значение UR= =Uизм= с помощью осциллографа, можно рассчитать величину тока Iф= в цепи фоторезистора:
Iф= = Uизм=/Rизм . (3.33)
При фиксированном ЭДС (Епит) источника питания в цепи фоторезистора часть напряжения Uф падает на освещенном фоторезисторе, часть Uизм – на дополнительном резисторе (Rизм = 3 кОм). Сопротивление фоторезистора Rф может быть определено по соотношениям
Eпит = Uф + Uизм = Iф(Rф + Rизм), (3.34)
Rф = Eпит/Iф= Rизм, (3.35)
где Iф постоянный тока фоторезистора, зависящий от освещенности.
Рассчитайте параметры сигнала и фоторезистора (табл. 3.10).
Таблица 3.10
Частота |
Eпит, В |
Uизм,В |
Uф,В |
Iф, мкА |
Rф(E) |
f2 |
? |
? |
? |
? |
? |