
- •Физические основы электроники Электрофизические методы исследования полупроводников и полупроводниковых приборов
- •Введение в настоящем пособии излагаются основные темы дисциплин, связанных с основами работы полупроводниковых приборов.
- •Требования к подготовке, выполнению и защите работ
- •Тема 1. Приборы, используемые для проведения исследований полупроводниковых приборов
- •1.1. Автоматические мосты переменного тока
- •1.2. Осциллографы
- •1.3. Генераторы
- •Тема 2. Проводимость полупроводников и металлов лабораторная работа № 2.1
- •2.1. Терморезисторы: термисторы и позисторы
- •Подготовка к работе
- •Измерения и обработка результатов
- •Отчетные материалы
- •Лабораторная работа № 2.2
- •2.2. Общие сведения
- •Подготовка к работе
- •Измерения и обработка результатов
- •1. Подготовка к работе
- •2. Исследование вольтамперной характеристики варистора
- •7. Исследование зависимости сопротивления от температуры
- •Отчетные материалы
- •Лабораторная работа № 2.3
- •2.3. Определение типа носителей в полупроводниках
- •2.3.1. Метод термозонда
- •2.3.2. Метод Холла
- •2.3.3. Определение концентрации и подвижности носителей
- •Подготовка к работе
- •Измерения и обработка результатов
- •1. Определение типа носителей с помощью метода термозонда
- •1.1. Подготовка к работе
- •1.2. Определение типа носителей разных кристаллов
- •2. Исследования по методу Холла
- •2.1. Определение типа основных носителей в датчике Холла
- •2.3. Исследование вольтамперной характеристики датчика
- •2.4. Определение микропараметров кристалла датчика Холла
- •2.6. Определение зависимости эдс Холла от величины тока
- •2.9. Определение зависимости эдс Холла величины индукции в
- •Отчетные материалы
- •Тема 3. Полупродниковые диоды Лабораторная работа №3.1 ″Исследование полупроводниковых диодов″
- •3.1. Характеристики полупроводниковых диодов
- •Подготовка к работе
- •Измерения и обработка результатов
- •1. Начальные установки
- •2. Исследование вольтамперной характеристики диода при t0
- •2.1. Исследование прямой ветви вах диода д2
- •2.2. Исследование обратной ветви вах диода д2
- •3*. Исследование вах диодов различных типов
- •4. Исследование зависимости обратного тока диода от температуры
- •Отчетные материалы
- •Лабораторная работа № 3.2
- •3.2. Полупроводниковые стабилитроны и стабисторы
- •3.3. Описание стенда
- •Измерения и обработка результатов
- •2. Исследование вольтамперной характеристики стабилитрона при комнатной температуре
- •5. Исследование влияния температуры на напряжение Uст
- •Отчетные материалы
- •Лабораторная работа №3.3
- •3.4. Характеристики светодиодов
- •3.4.1. Управляемые источника света. Светодиоды
- •3.4.2. Строение светодиодов
- •3.4.3. Общие сведения об обозначении светодиодов
- •3.4.4. Особенности лабораторной установки
- •Отчетные материалы
- •Лабораторная работа № 3.4
- •3.5. Общие сведения о фотоприемниках
- •3.5.2. Параметры и характеристики фоторезистора
- •3.5.3. Особенности работы фотодиодов
- •3.5.4. Описание установки
- •Подготовка к работе
- •Измерения и обработка результатов
- •3. Исследование параметров электрического сигнала от генератора
- •6. Определение параметров импульса эдс от облучаемого фотодиода
- •10. Определение параметров импульса в цепи фоторезистора
- •11. Оценка параметров сигнала от резистора Rизм
- •16*. Исследование величины светового потока от светодиода
- •Отчетные материалы
- •Тема 4. Биполярные транзисторы Лабораторная работа №4.1
- •4.1. Характеристики биполярных транзисторов
- •4.1.1. Схемы включения биполярных транзисторов
- •4.1.2. Схема с общей базой
- •4.1.3. Схема с общим эмиттером
- •4.1.4. Описание установки
- •Подготовка к работе
- •Измерения и обработка результатов
- •1. Исследование схемы с общей базой
- •1.2. Исследование входных характеристик транзистора в схеме об
- •1.6. Исследование выходных характеристик транзистора в схеме об
- •1.12*. Исследование характеристики обратной связи в схеме об
- •1.14. Исследование характеристик передачи тока в схеме об
- •2. Исследование схемы с общим эмиттером
- •2.2. Исследование входных характеристик транзистора в схеме оэ
- •2.6. Исследование выходных характеристик транзистора в схеме оэ
- •2.11*. Исследование характеристики обратной связи в схеме оэ
- •2.13. Исследование характеристики передачи тока в схеме оэ
- •Отчетные материалы
- •Тема 5. Полевые транзисторы Лабораторная работа № 5.1
- •5.1. Характеристики полевого транзистора
- •5.1.1. Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом
- •5.1.2. Полевой транзистор с изолированным затвором
- •5.1.3. Особенности схемы измерения
- •Подготовка к работе
- •Измерения и обработка результатов
- •2. Исследование стоковой (выходной) характеристики
- •Отчетные материалы
- •Тема 6. Элементы технологии производства имс Лабораторная работа № 6.1
- •6.1. Элементы технологии изготовления имс
- •6.1.1. Классификация имс
- •6.1.2. Понятие о технологическом цикле производства имс
- •6.1.3. Производство планарного биполярного транзистора
- •6.1.4. Производство планарного полевого транзистора
- •6.1.5. Структура транзисторов статических микросхем памяти
- •6.1.6. Общие сведения о топологии микросхем памяти
- •6.1.7. Описание установки и процедуры испытаний
- •Подготовка к работе
- •Измерения и обработка результатов
- •1. Исследование элементов технологии гибридных имс
- •1.4. Исследование сопротивления резисторов на бгис
- •2. Исследование элементов технологии твердотельных имс
- •2.4. Градуировка окуляров с помощью дифракционной решетки
- •3. Исследование твердотельных микросхем на установке "мим"
- •4. Анализ топологии и параметров микросхемы памяти
- •Отчетные материалы
- •Задачи по темам Аналоговая и Цифровая Электроника
- •П2. Диоды и тиристоры
- •П3. Источники вторичного напряжения
- •П4. Транзисторы
- •П5. Аналоговые устройства
- •П6. Операционные усилители и схемы на их основе
- •П7. Преобразовательные устройства и генераторы
- •П8. Стабилизаторы
- •П9. Логические микросхемы
- •П10. Логические схемы
- •П11. Схемы на лэ
- •П12. Триггеры
- •П13. Регистры и счетчики
- •П14. Преобразователи кодов
- •П15. Мультиплексоры, демультиплексоры, сумматоры
- •П16. Цифро-аналоговые преобразователи
- •П17. Микросхемы (технология и устройство)
- •Рекомендуемая литература Основная литература
- •Дополнительная
Подготовка к работе
Лабораторная работа относится к теме: ″Фотоприемники″, ″Фотодиоды″. Предварительно необходимо выполнить задания контрольной работы (РГЗ).
В "заготовке" к работе следует описать:
– механизмы фотоэлектрических явлений, понятие о времени жизни носителей; формулы, описывающие измерение фототока со временем;
– строение, характеристики, параметры фоторезистора и влияние различных факторов;
– строение, характеристики, параметры фотодиода и влияние различных факторов;
– схему опыта и методы определения времени жизни носителей;
– осциллограммы сигналов на фотодиоде и фоторезисторе при облучении;
– методику расчета ;
– применение фотоприемных устройств: люксметр, солнечные батареи, оптоэлектронные пары и другие;
– таблицы для испытаний.
Измерения и обработка результатов
1. Установление начальных значений приборов.
Установите на осциллографе следующие примерные значения:
– делитель (Д) -100; усиление (У) - 10 мВ/дел. Амплитуда сигнала определяется: N (дел)УД = N1000 мВ; – развертка (Р): 10 мс/дел; множитель (М): 0,3. Время сигнала определяется: N (дел)РМ = N2 с.
Источник питания фоторезистора выключен.
2. По разрешению преподавателя включите осциллограф и прогрейте его в течение не менее 2 мин. Включите генератор электрических импульсов и прогрейте его в течение 2 мин. Установите начальную частоту 15 - 20 Гц (режим: прямоугольный импульсный сигнал).
Подключите к выходу генератора кабель питания 2 импульсного светодиода, не подключая его к блоку фотодиода и фоторезистора. При прогретом генераторе должно быть видно отчетливое мигание светодиода, по мере увеличения частоты генератора мигание светодиода "прекращается" вследствие инерционности глаза.
Плавно изменяя частоту f электрических импульсов, определите предельную максимальную частоту fмах, ниже которой глаз воспринимает сигнал как прерывистый, импульсный (табл. 3.8) и выше которой глаз воспринимает световой сигнал как непрерывный.
Проведите испытание не менее трех раз и рассчитайте среднее значение fмах ср.
Таблица 3.8.
-
Параметр
fмах, Гц
fмах, Гц
fмах, Гц
fмах ср, Гц
Значение
?
?
?
?
3. Исследование параметров электрического сигнала от генератора
Установите на генераторе частоту f 1 = 100….150 Гц.
Кабель подключите к выходу "Cигнал" на генераторе. Другой разъем кабеля I подключите к входу Y осциллографа. Режим синхронизации осциллографа: "Внутр.". Потенциометры "Уровень" и "Плавное усиление" – в крайнее правое положение).
В том случае, когда на вход Х подается аналогичный сигнал для синхронизации и устойчивого наблюдения импульса на экране осциллографа, следует установить режим синхронизации ″Внеш″.
Таблица 3.9.
Частоты |
Параметр |
Электрический сигнал от |
||
генератора |
фотодиода |
резистора Rизм |
||
f 1 = ? Гц |
Т |
? |
? |
? |
tи |
? |
? |
? |
|
|
? |
? |
? |
|
tф |
? |
? |
? |
|
tс |
? |
? |
? |
|
1 |
- |
? |
? |
|
Форма |
? |
? |
? |
|
f 2 = ? Гц |
Т |
? |
? |
? |
tи |
? |
? |
? |
|
|
? |
? |
? |
|
tф |
? |
? |
? |
|
tс |
? |
? |
? |
|
2 |
- |
? |
? |
|
Форма |
? |
? |
? |
|
f 3 = ? Гц |
Т |
? |
? |
? |
tи |
? |
? |
? |
|
|
? |
? |
? |
|
tф |
? |
? |
? |
|
tс |
? |
? |
? |
|
1 |
- |
? |
? |
|
Форма |
? |
? |
? |
|
= ср ± |
? |
? |
При нажатой клавише "" (режим ″≈″: постоянная составляющая не регистрируется) добейтесь появления устойчивого сигнала на экране осциллографа (1-2 периода, амплитуда импульса на экране 2 - 2,5 см).
Зарисуйте форму импульса с обозначением его параметров, определите значения параметров электрического сигнала с помощью осциллографа (табл. 3.9), обратите внимание на период Т, время tф переднего фронта и tс среза (рис. 3.19, д).
4. Повторите испытания п. 3. для частоты f2 = 2f1 (табл. 3.9).
5. Повторите испытания п. 3. для частоты f3 = 3f1 (табл. 3.9).