
- •Физические основы электроники Электрофизические методы исследования полупроводников и полупроводниковых приборов
- •Введение в настоящем пособии излагаются основные темы дисциплин, связанных с основами работы полупроводниковых приборов.
- •Требования к подготовке, выполнению и защите работ
- •Тема 1. Приборы, используемые для проведения исследований полупроводниковых приборов
- •1.1. Автоматические мосты переменного тока
- •1.2. Осциллографы
- •1.3. Генераторы
- •Тема 2. Проводимость полупроводников и металлов лабораторная работа № 2.1
- •2.1. Терморезисторы: термисторы и позисторы
- •Подготовка к работе
- •Измерения и обработка результатов
- •Отчетные материалы
- •Лабораторная работа № 2.2
- •2.2. Общие сведения
- •Подготовка к работе
- •Измерения и обработка результатов
- •1. Подготовка к работе
- •2. Исследование вольтамперной характеристики варистора
- •7. Исследование зависимости сопротивления от температуры
- •Отчетные материалы
- •Лабораторная работа № 2.3
- •2.3. Определение типа носителей в полупроводниках
- •2.3.1. Метод термозонда
- •2.3.2. Метод Холла
- •2.3.3. Определение концентрации и подвижности носителей
- •Подготовка к работе
- •Измерения и обработка результатов
- •1. Определение типа носителей с помощью метода термозонда
- •1.1. Подготовка к работе
- •1.2. Определение типа носителей разных кристаллов
- •2. Исследования по методу Холла
- •2.1. Определение типа основных носителей в датчике Холла
- •2.3. Исследование вольтамперной характеристики датчика
- •2.4. Определение микропараметров кристалла датчика Холла
- •2.6. Определение зависимости эдс Холла от величины тока
- •2.9. Определение зависимости эдс Холла величины индукции в
- •Отчетные материалы
- •Тема 3. Полупродниковые диоды Лабораторная работа №3.1 ″Исследование полупроводниковых диодов″
- •3.1. Характеристики полупроводниковых диодов
- •Подготовка к работе
- •Измерения и обработка результатов
- •1. Начальные установки
- •2. Исследование вольтамперной характеристики диода при t0
- •2.1. Исследование прямой ветви вах диода д2
- •2.2. Исследование обратной ветви вах диода д2
- •3*. Исследование вах диодов различных типов
- •4. Исследование зависимости обратного тока диода от температуры
- •Отчетные материалы
- •Лабораторная работа № 3.2
- •3.2. Полупроводниковые стабилитроны и стабисторы
- •3.3. Описание стенда
- •Измерения и обработка результатов
- •2. Исследование вольтамперной характеристики стабилитрона при комнатной температуре
- •5. Исследование влияния температуры на напряжение Uст
- •Отчетные материалы
- •Лабораторная работа №3.3
- •3.4. Характеристики светодиодов
- •3.4.1. Управляемые источника света. Светодиоды
- •3.4.2. Строение светодиодов
- •3.4.3. Общие сведения об обозначении светодиодов
- •3.4.4. Особенности лабораторной установки
- •Отчетные материалы
- •Лабораторная работа № 3.4
- •3.5. Общие сведения о фотоприемниках
- •3.5.2. Параметры и характеристики фоторезистора
- •3.5.3. Особенности работы фотодиодов
- •3.5.4. Описание установки
- •Подготовка к работе
- •Измерения и обработка результатов
- •3. Исследование параметров электрического сигнала от генератора
- •6. Определение параметров импульса эдс от облучаемого фотодиода
- •10. Определение параметров импульса в цепи фоторезистора
- •11. Оценка параметров сигнала от резистора Rизм
- •16*. Исследование величины светового потока от светодиода
- •Отчетные материалы
- •Тема 4. Биполярные транзисторы Лабораторная работа №4.1
- •4.1. Характеристики биполярных транзисторов
- •4.1.1. Схемы включения биполярных транзисторов
- •4.1.2. Схема с общей базой
- •4.1.3. Схема с общим эмиттером
- •4.1.4. Описание установки
- •Подготовка к работе
- •Измерения и обработка результатов
- •1. Исследование схемы с общей базой
- •1.2. Исследование входных характеристик транзистора в схеме об
- •1.6. Исследование выходных характеристик транзистора в схеме об
- •1.12*. Исследование характеристики обратной связи в схеме об
- •1.14. Исследование характеристик передачи тока в схеме об
- •2. Исследование схемы с общим эмиттером
- •2.2. Исследование входных характеристик транзистора в схеме оэ
- •2.6. Исследование выходных характеристик транзистора в схеме оэ
- •2.11*. Исследование характеристики обратной связи в схеме оэ
- •2.13. Исследование характеристики передачи тока в схеме оэ
- •Отчетные материалы
- •Тема 5. Полевые транзисторы Лабораторная работа № 5.1
- •5.1. Характеристики полевого транзистора
- •5.1.1. Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом
- •5.1.2. Полевой транзистор с изолированным затвором
- •5.1.3. Особенности схемы измерения
- •Подготовка к работе
- •Измерения и обработка результатов
- •2. Исследование стоковой (выходной) характеристики
- •Отчетные материалы
- •Тема 6. Элементы технологии производства имс Лабораторная работа № 6.1
- •6.1. Элементы технологии изготовления имс
- •6.1.1. Классификация имс
- •6.1.2. Понятие о технологическом цикле производства имс
- •6.1.3. Производство планарного биполярного транзистора
- •6.1.4. Производство планарного полевого транзистора
- •6.1.5. Структура транзисторов статических микросхем памяти
- •6.1.6. Общие сведения о топологии микросхем памяти
- •6.1.7. Описание установки и процедуры испытаний
- •Подготовка к работе
- •Измерения и обработка результатов
- •1. Исследование элементов технологии гибридных имс
- •1.4. Исследование сопротивления резисторов на бгис
- •2. Исследование элементов технологии твердотельных имс
- •2.4. Градуировка окуляров с помощью дифракционной решетки
- •3. Исследование твердотельных микросхем на установке "мим"
- •4. Анализ топологии и параметров микросхемы памяти
- •Отчетные материалы
- •Задачи по темам Аналоговая и Цифровая Электроника
- •П2. Диоды и тиристоры
- •П3. Источники вторичного напряжения
- •П4. Транзисторы
- •П5. Аналоговые устройства
- •П6. Операционные усилители и схемы на их основе
- •П7. Преобразовательные устройства и генераторы
- •П8. Стабилизаторы
- •П9. Логические микросхемы
- •П10. Логические схемы
- •П11. Схемы на лэ
- •П12. Триггеры
- •П13. Регистры и счетчики
- •П14. Преобразователи кодов
- •П15. Мультиплексоры, демультиплексоры, сумматоры
- •П16. Цифро-аналоговые преобразователи
- •П17. Микросхемы (технология и устройство)
- •Рекомендуемая литература Основная литература
- •Дополнительная
3.5.4. Описание установки
Схема измерения представлена на рис. 3.18. Генератор 1 импульсного электрического сигнала вырабатывает периодический сигнал для включения светодиода 2. Частота f , период T повторения импульса изменяется с помощью плавной и ступенчатой регулировки на генераторе 1.
Рис.
3.18. Блок-схема испытаний
Световой сигнал светодиода 2 облучает фотодиод 6 (ФД), фоторезистор 3 или приемный элемент (фотодиод) люксметра 5.
Если импульсный свет облучает фотодиод, работающий в режиме фотогенератора, то на контактах ФД появляется импульс ЭДС Uхх (напряжения холостого хода), регистрируемый осциллографом 4. Форма импульсного сигнала ЭДС фотодиода близка к прямоугольной, время импульса tи определяется как длительность импульса на уровне 0,5U0 (рис. 3.19, д).
При испытании фоторезистора 3, последний включается в цепь постоянного тока (рис. 3.18). Источник 7 постоянного ЭДС Еп предназначен для формирования тока в цепи фоторезистора. В том случае, когда импульсный свет падает на фоторезистор 3, в цепи возникает импульсный фототок (рис. 3.19, в), обусловленный модуляцией (изменением) проводимости материала.
Сила тока через фоторезистор может быть измерена приборами, который включается последовательно с фоторезистором.
Если в цепи фоторезистора протекает постоянный фототок, то можно использовать амперметр постоянного тока. Если фототок – импульсный, то следует применять амперметр электромагнитной системы, измеряющий действующее значение тока.
Если амперметр отсутствует, то ток в цепи фоторезистора может быть оценен по результатам эксперимента. В данном случае последовательно с фоторезистором включено измерительное сопротивление Rизм = 3000 Ом, с которого снимается напряжение URизм, которое имеет постоянную (в отсутствие импульса света) и импульсную составляющую (при импульсном облучении). Форма напряжения URизм регистрируется с помощью осциллографа 4. Зная параметры ЭДС Еп источника питания постоянного тока, величину тока Iф, протекающего в цепи фоторезистора, величину измерительного резистора Rизм, можно рассчитать значение сопротивления фоторезистора Rф= по постоянному току при различных условиях облучения.
Рис. 3.19. Осциллограммы импульсных сигналов
Светодиод 6, который управляется электрическим импульсом от генератора, заключен в корпус (вилку) стандартного разъема (радиочастотного соединителя). Оптический сигнал от светодиода передается через оптико-волоконный кабель к фотодиоду или фотосопротивлению с помощью второй половины (розетки) стандартного разъема, закрепленного на корпусе блока (рис. 3.18).
Для определения освещенности, которую создает излучение светодиода на поверхности фотодиода или фоторезистора, может использоваться люксметр 5, с помощью которого производится контроль освещенности объектов (в люксах) на градуированном приборе.
С помощью осциллографа можно измерить параметры импульсного светового сигнала, к которым относятся: период сигнала (импульса) Т, частоту сигнала f = 1/Т, время импульса tи, величины скважности q = T/tи и заполнения импульсов = 1/q; время переднего фронта tф, время среза tс (задний фронт) (рис. 3.19, д).
В первом приближении световой поток Ф(t) оптического импульса (рис. 3.19, а) светодиода 2 имеет форму прямоугольного сигнала.
Фотодиоды являются быстродействующими оптическими фотоприемниками, в которых время рекомбинации носителей мало (время жизни - микросекунды и доли микросекунд), поэтому, как правило, импульс фото-ЭДС Uхх, снимаемый с фотодиода, характеризуется малыми временами переднего фронта и среза (рис. 3.19, б, д).
Для фоторезисторов характерны значительные времена рекомбинации носителей, а, значит, большие значения постоянной времени (до миллисекунд). Поэтому, когда происходит облучение фоторезистора, передний фронт и срез импульса тока, протекающего при импульсном облучении, будут отличаться от прямоугольной формы (рис. 3.19, г, д), т.к. неравновесные носители заряда появляются и исчезают по экспоненциальному закону, описываемому соотношениями (3.7) и (3.8).
Заметим, что через время, равное (4-5) после прекращения облучения, процесс рекомбинации носителей полностью завершен (рис. 3.5, д).
Протекая через измерительное сопротивление Rизм (рис. 3.18), импульсный фототок Iф(t) (рис. 3.19, в) создает на данном резисторе импульсное напряжение UR(t) (г), пропорциональное току Iф(t). Форма и параметры этого напряжения, подаваемого вход Y осциллографа, могут быть изучены в процессе испытаний.
Поскольку при импульсном освещении средний фототок отличается от темнового тока, в целом фототок Iф(t) и напряжение UR(t) имеют постоянные (Iф=; UR=) и переменные (Iф≈; UR≈) составляющие (рис. 3.19, в, г, д), которые могут быть оценены независимо.
Методика определения значений постоянных и переменных составляющих с помощью осциллографа описана ниже.
Величина может быть рассчитана из соотношения (3.23) и оценки формы напряжения UR≈(t) импульсного сигнала, снимаемого с резистора Rизм и пропорционального фототоку фоторезистора Iф≈(t).
Согласно процедуре, описанной выше, постоянная времени рассчитывается как время, в течение которого напряжение импульсного UR≈(t) сигнала уменьшается в е (2,71) раз от максимального значения, наблюдаемого на экране осциллографа (рис. 3.15, е; 3.19, д): UR≈(t0)/UR≈(t0 + ) = 2,71.
Световой поток Ф, падающий на фотодиод, определяется:
Ф = ЕS, лм, (3.32)
где Е освещенность, лк, S – площадь чувствительной поверхности фотодиода, S 10–6 м3.
Величина удельной интегральной чувствительности фотодиода может быть оценена по соотношениям (3.26) – (3.27).
Конструкция стенда может быть представлена следующим образом (рис. 3.20). В состав схемы входят следующие кабели:
I – контроль выходного сигнала (подключается к осциллографу к входу Y; может иметь синхронизирующий контакт, подключаемый к входу Х);
II – кабель питания импульсного светодиода от генератора импульсов.
III – кабель питания (постоянное напряжение до 15 В) от источника постоянного напряжения к гнезду питания фоторезистора.
IY – оптико-волоконный кабель для передачи светового сигнала от источника (светодиода) к приемнику излучения (фотодиоду или фоторезистору).
Электрический импульсный сигнал от генератора (рис. 3.18) поступает на светодиод. Фотодиод и фоторезистор, помещенные в розетки корпусов радиочастотных разъемов, облучаются оптическими импульсами светодиода.
Рис. 3.20. Блок фотодиода и фоторезистора с кабелями
В зависимости от положения переключателя П (рис. 3.6) к осциллографу подключаются фотодиод или резистор Rизм, напряжение на которых анализируется по осциллограммам.