Отчетные материалы

В лабораторной тетради представляются:

– заполненные таблицы для каждого из исследуемых светодиодов;

– экспериментальные зависимости ВАХ для всех исследуемых светодиодов (на одном графике)

– выполненные расчеты и ВАХ p-n-переходов исследуемых светодиодов без учета влияния резистивных слоев (на одном графике);

– расчетные данные для значений R, U_{пр пред}, E_з,  и  волн, излучаемых каждым исследуемым светодиодом.

К защите представляется РГЗ с задачами по темам: ″P-n-переход, ″Реальные диоды″, ″Светодиоды″.

Лабораторная работа № 3.4

″Исследование фоторезисторов и фотодиодов″

Цель работы: исследование электрических характеристик фотоприемников: фотодиодов, люксметра, фоторезисторов в режимах постоянного и импульсного тока.

Приборы и принадлежности: источник питания постоянного напряжения; генератор – источник импульсного электрического сигнала; осциллограф; люксметр; фотодиоды типа ФД-125; фоторезисторы типа СФ2-1, ФСД-1; измерительные приборы.

3.5. Общие сведения о фотоприемниках

Фотоприемники предназначены для преобразования энергии светового излучения в электрическую. В качестве фотоприемников используются фоторезисторы, фотодиоды, фототранзисторы, фототиристоры и т. д. [1].

Фотоэлектрические явления, лежащие в основе работы фотоприемников, можно разделить на три основных вида:

1) внутренний фотоэффект (фоторезистивный эффект) – изменение электропроводимости полупроводника при его освещении;

2) фотоэффект в запирающем слое p-n-перехода – возникновение ЭДС под действием света на границе раздела двух полупроводников p- и n-типа;

3) внешний фотоэффект – испускание веществом электронов под действием света (в вакуумных и газонаполненных фотоэлементах).

3.5.1. Фоторезисторы

В затемненном полупроводнике имеется незначительное количество равновесных свободных (подвижных) носителей заряда (электронов и дырок). Равновесные носители заряда создаются за счет теплового поля; концентрация равновесных носителей (как основных, так и неосновных) возрастает с ростом температуры (см. тему 2).

При этом считается, что за счет равновесных носителей полупроводник обладает начальной проводимостью _т, которая носит название темновой:

_т = e(n₀_n + p₀ _p), Ом^–1м^–1, (3.15)

где e – заряд электрона; n₀, p₀  концентрация (м^–3) равновесных носителей заряда в полупроводнике в неосвещенном состоянии.

При облучении светом в фоторезисторах реализуется внутренний фотоэффект  явление изменения проводимости материала под действием инфракрасного, видимого или ультрафиолетового излучения.

Рассмотрим механизм возникновения фотопроводимости в материале при облучении (рис. 3.15, а) фоторезистора импульсным светом со временем импульса t_и (рис. 3.15, в).

Рис. 3.15. Фоторезистор (а), его УГО (б), осциллограммы параметров (в-е)

Под действием света появляются дополнительные свободные носители заряда, которые, в отличие от равновесных, называются неравновесными. При выключении света неравновесные носители постепенно исчезают (см. ниже), так что в темноте проводимость вновь определяется равновесными носителями.

Таким образом, при облучении в объеме материала увеличивается концентрация свободных носителей за счет дополнительной генерации неравновесных носителей заряда. Возможны различные механизмы генерации неравновесных носителей [4]: собственная (биполярная) и примесная фотогенерация. При собственной (биполярной) генерации в объеме материала образуются дополнительные электронно-дырочные пары, при примесной – только электроны или дырки.

При фоторезистивном эффекте по мере облучения светом в результате фотогенерации в полупроводнике увеличивается концентрация носителей заряда на величину концентрации неравновесных электронов n и (или) дырок p, так что его полная проводимость _общ резко возрастает:

_общ = e(n₀ + n)_n + (p₀ + p) _p). (3.16)

Изменение электропроводимости полупроводника под действием света характеризует величину его фотопроводимости _ф:

_ф = = (_общ _т) = е( _nn + _pp), (3.17)

которая изменяется в зависимости от яркости, длины волны и т. п.

Темновым значением _т проводимости можно пренебречь, потому что оно крайне мало по сравнению со значением фотопроводимости.

При включении потока (рис. 3.15, в) облучающего света Ф (лм) в момент времени t₁ скорость процесса генерации неравновесных носителей заряда не сразу достигает стационарного значения, соответствующего интенсивности падающего излучения, а нарастает со временем до момента t₂ по экспоненциальному закону (рис. 3.15, д). Концентрация неравновесных носителей n(t) изменяются по соотношению [4]:

n(t) = С(1  e^t/), (3.18)

где   время жизни неравновесных носителей заряда, c; C  скорость рекомбинации неравновесных носителей, определяемая следующим образом:

C = NΨ, 1/м³с, (3.19)

где N  концентрация фотонов, падающих на единицу площади за 1 секунду, 1/м³с;  – коэффициент поглощения, характеризующий энергию, поглощенную полупроводником; Ψ  квантовый выход, определяющий число носителей заряда, образующихся при поглощении одного фотона, Ψ ≥ 1.

Соответственно изменяется и проводимость материала (рис. 3.15, г). Если время облучения (время светового импульсаt_и) достаточно велико: t_и  (3 – 5) , то концентрация неравновесных носителей заряда достигает своего стационарного значения в момент времени t_3.

Например, при биполярной генерации концентрации появляющихся неравновесных дырок и электронов одинаковы:

n_ст(t₂) = p_ст(t₂) = С = NY. (3.20)

При примесной фотопроводимости происходит генерация носителей одного знака, причем их концентрация в переходных режимах также изменяется по аналогичному (3.18) экспоненциальному закону.

При выключении облучающего потока света в момент времени t₃ изменение концентрации неравновесных носителей заряда и проводимости материала не может произойти мгновенно, так как для рекомбинации электронов с дырками (рис. 2.6, а, переход II) требуется определенное время – время жизни неравновесных носителей заряда. Именно поэтому после выключения света фотопроводимость не исчезает ″мгновенно″.

Явление постепенного изменения _ф(t) при включении и выключении облучающего потока называют релаксацией фотопроводимости.

Начиная с момента выключения (рис. 3.15. г, д, е), параметры фоторезистора описываются выражениями

n(t) = n_стe^t/, (3.21)

_ф(t) = _oбщe^t/ , (3.22)

где n_ст, _oбщ  параметры материала в момент выключения света.

Например, в момент выключения t₀ (рис. 3.15, е) значение концентрации неравновесных носителей равно n_ст. C учетом соотношения (3.21) и (3.22) время жизни экспериментально может быть определено как время, в течение которого концентрация носителей (или проводимость) уменьшается на 63 % (в e ≈ 2,71) раз по сравнению тем исходным значением, которое было в момент выключения:

n() = n_стe^/ = n_ст/e. (3.23)

Значение  может быть рассчитано по экспериментальным данным (рис. 3.15, е).