
- •Физические основы электроники Электрофизические методы исследования полупроводников и полупроводниковых приборов
- •Введение в настоящем пособии излагаются основные темы дисциплин, связанных с основами работы полупроводниковых приборов.
- •Требования к подготовке, выполнению и защите работ
- •Тема 1. Приборы, используемые для проведения исследований полупроводниковых приборов
- •1.1. Автоматические мосты переменного тока
- •1.2. Осциллографы
- •1.3. Генераторы
- •Тема 2. Проводимость полупроводников и металлов лабораторная работа № 2.1
- •2.1. Терморезисторы: термисторы и позисторы
- •Подготовка к работе
- •Измерения и обработка результатов
- •Отчетные материалы
- •Лабораторная работа № 2.2
- •2.2. Общие сведения
- •Подготовка к работе
- •Измерения и обработка результатов
- •1. Подготовка к работе
- •2. Исследование вольтамперной характеристики варистора
- •7. Исследование зависимости сопротивления от температуры
- •Отчетные материалы
- •Лабораторная работа № 2.3
- •2.3. Определение типа носителей в полупроводниках
- •2.3.1. Метод термозонда
- •2.3.2. Метод Холла
- •2.3.3. Определение концентрации и подвижности носителей
- •Подготовка к работе
- •Измерения и обработка результатов
- •1. Определение типа носителей с помощью метода термозонда
- •1.1. Подготовка к работе
- •1.2. Определение типа носителей разных кристаллов
- •2. Исследования по методу Холла
- •2.1. Определение типа основных носителей в датчике Холла
- •2.3. Исследование вольтамперной характеристики датчика
- •2.4. Определение микропараметров кристалла датчика Холла
- •2.6. Определение зависимости эдс Холла от величины тока
- •2.9. Определение зависимости эдс Холла величины индукции в
- •Отчетные материалы
- •Тема 3. Полупродниковые диоды Лабораторная работа №3.1 ″Исследование полупроводниковых диодов″
- •3.1. Характеристики полупроводниковых диодов
- •Подготовка к работе
- •Измерения и обработка результатов
- •1. Начальные установки
- •2. Исследование вольтамперной характеристики диода при t0
- •2.1. Исследование прямой ветви вах диода д2
- •2.2. Исследование обратной ветви вах диода д2
- •3*. Исследование вах диодов различных типов
- •4. Исследование зависимости обратного тока диода от температуры
- •Отчетные материалы
- •Лабораторная работа № 3.2
- •3.2. Полупроводниковые стабилитроны и стабисторы
- •3.3. Описание стенда
- •Измерения и обработка результатов
- •2. Исследование вольтамперной характеристики стабилитрона при комнатной температуре
- •5. Исследование влияния температуры на напряжение Uст
- •Отчетные материалы
- •Лабораторная работа №3.3
- •3.4. Характеристики светодиодов
- •3.4.1. Управляемые источника света. Светодиоды
- •3.4.2. Строение светодиодов
- •3.4.3. Общие сведения об обозначении светодиодов
- •3.4.4. Особенности лабораторной установки
- •Отчетные материалы
- •Лабораторная работа № 3.4
- •3.5. Общие сведения о фотоприемниках
- •3.5.2. Параметры и характеристики фоторезистора
- •3.5.3. Особенности работы фотодиодов
- •3.5.4. Описание установки
- •Подготовка к работе
- •Измерения и обработка результатов
- •3. Исследование параметров электрического сигнала от генератора
- •6. Определение параметров импульса эдс от облучаемого фотодиода
- •10. Определение параметров импульса в цепи фоторезистора
- •11. Оценка параметров сигнала от резистора Rизм
- •16*. Исследование величины светового потока от светодиода
- •Отчетные материалы
- •Тема 4. Биполярные транзисторы Лабораторная работа №4.1
- •4.1. Характеристики биполярных транзисторов
- •4.1.1. Схемы включения биполярных транзисторов
- •4.1.2. Схема с общей базой
- •4.1.3. Схема с общим эмиттером
- •4.1.4. Описание установки
- •Подготовка к работе
- •Измерения и обработка результатов
- •1. Исследование схемы с общей базой
- •1.2. Исследование входных характеристик транзистора в схеме об
- •1.6. Исследование выходных характеристик транзистора в схеме об
- •1.12*. Исследование характеристики обратной связи в схеме об
- •1.14. Исследование характеристик передачи тока в схеме об
- •2. Исследование схемы с общим эмиттером
- •2.2. Исследование входных характеристик транзистора в схеме оэ
- •2.6. Исследование выходных характеристик транзистора в схеме оэ
- •2.11*. Исследование характеристики обратной связи в схеме оэ
- •2.13. Исследование характеристики передачи тока в схеме оэ
- •Отчетные материалы
- •Тема 5. Полевые транзисторы Лабораторная работа № 5.1
- •5.1. Характеристики полевого транзистора
- •5.1.1. Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом
- •5.1.2. Полевой транзистор с изолированным затвором
- •5.1.3. Особенности схемы измерения
- •Подготовка к работе
- •Измерения и обработка результатов
- •2. Исследование стоковой (выходной) характеристики
- •Отчетные материалы
- •Тема 6. Элементы технологии производства имс Лабораторная работа № 6.1
- •6.1. Элементы технологии изготовления имс
- •6.1.1. Классификация имс
- •6.1.2. Понятие о технологическом цикле производства имс
- •6.1.3. Производство планарного биполярного транзистора
- •6.1.4. Производство планарного полевого транзистора
- •6.1.5. Структура транзисторов статических микросхем памяти
- •6.1.6. Общие сведения о топологии микросхем памяти
- •6.1.7. Описание установки и процедуры испытаний
- •Подготовка к работе
- •Измерения и обработка результатов
- •1. Исследование элементов технологии гибридных имс
- •1.4. Исследование сопротивления резисторов на бгис
- •2. Исследование элементов технологии твердотельных имс
- •2.4. Градуировка окуляров с помощью дифракционной решетки
- •3. Исследование твердотельных микросхем на установке "мим"
- •4. Анализ топологии и параметров микросхемы памяти
- •Отчетные материалы
- •Задачи по темам Аналоговая и Цифровая Электроника
- •П2. Диоды и тиристоры
- •П3. Источники вторичного напряжения
- •П4. Транзисторы
- •П5. Аналоговые устройства
- •П6. Операционные усилители и схемы на их основе
- •П7. Преобразовательные устройства и генераторы
- •П8. Стабилизаторы
- •П9. Логические микросхемы
- •П10. Логические схемы
- •П11. Схемы на лэ
- •П12. Триггеры
- •П13. Регистры и счетчики
- •П14. Преобразователи кодов
- •П15. Мультиплексоры, демультиплексоры, сумматоры
- •П16. Цифро-аналоговые преобразователи
- •П17. Микросхемы (технология и устройство)
- •Рекомендуемая литература Основная литература
- •Дополнительная
3.4.4. Особенности лабораторной установки
Испытания светодиодов различного свечения (от инфракрасного до белого) производятся на стенде, упрощенная схема которого приведена на рис. 3.14): 1 – блок со светодиодами; 2 – источник постоянного напряжения; 3 – электронный вольтметр; 4 – электронный амперметр; 5 – шестиполюсный переключатель полярности; 6 – потенциометр; 7 – люксметр с фотодиодным датчиком.
В процессе испытаний производится анализ ВАХ (рис. 3.11, в) различных светодиодов. По мере того, как увеличивается ток через светодиод, возрастает световой поток излучения. Люкс-амперная характеристика – зависимости интенсивности света Е от тока Iпр, протекающего через светодиод (рис. 3.11, г). Интенсивность света исследуется с помощью люксметра – прибора, приемным элементом которого выступает фотодиод, включенный в режиме фотогенератора (см. работу № 3.4). Шкала люксметра градуируется в единицах освещенности Е (люкс ≡ лк) света.
Рис. 3.14. Упрощенная схема измерений
Цветовая гамма светодиода оценивается визуально; свечение инфракрасного светодиода может быть обнаружено некоторыми видами фотокамер мобильных телефонов. Обработка результатов ВАХ, расчет длины волны излучения оценивается по методике, описанной выше.
Подготовка к работе
Лабораторная работа относится к темам: P-n-переход, ″Реальные диоды″, ″Светодиоды″. Предварительно необходимо выполнить задания контрольной работы (РГЗ).
В "заготовке" к работе следует описать:
– строение, схему замещения, вольтамперные и люкс-амперные характеристики различных светодиодов,
– влияние сопротивления различных слоев диода на ВАХ;
– взаимосвязь между шириной запрещенной зоны и длиной излучаемой волны; написать количественные соотношения;
– особенности маркировки и применение светодиодов;
– алгоритм определения сопротивления структуры светодиода, Uпр пред, Eз, и волн излучаемых светодиодом;
– строение и принцип работы фотодиодов, режимы его работы, применение в люксметрах.
Измерения и обработка результатов
1. Ознакомьтесь со стендом, с работой электронных приборов. По разрешению преподавателя включите питание установки.
2. Подключите блок со светодиодами (количество определяется преподавателем) к испытательному стенду. Одновременно, установите датчик люксметра вблизи светодиодов.
Используя переключателя полярности, по величине прямого и обратного тока определите особенности схемы включения светодиодов, какой из выводов – анод, какие выводы подсоединены к p или nобластям, когда реализуется прямое и обратное смещение?
3. При комнатной температуре снимите вольтамперную характеристику исследуемых диодов в области прямых смещений (табл. 3.7) вплоть до максимально возможных значений напряжения.
Определите напряжение и силу тока, при котором происходит начало видимого свечения светодиода. Одновременно, по мере увеличения прямого тока через светодиод, снимайте люкс-амперную характеристику прибора.
4. С помощью оптической призмы определите примерный состав излучения, видимый глазом.
Таблица 3.7
Светодиод № ? ; состав цвета в излучении _?_ ; _? _;_?_; |
|||||||||
Результат испытаний |
Расчетные параметры |
||||||||
U, В |
I, мА |
Ф, лК |
R, Ом |
Uпр пред, В |
Eз, эВ |
нм |
, Гц |
Цвет |
Качественные замечания |
0 |
? |
? |
? |
? |
? |
? |
? |
? |
? |
10- |
? |
? |
? |
||||||
12 |
? |
? |
? |
||||||
Точек |
? |
? |
? |
||||||
… |
? |
? |
? |
||||||
Uмах |
? |
? |
? |
5. Повторите измерения для всех исследуемых светодиодов, используя таблицы, аналогично, таблице 3.7.
6. Выключите установку.
7. Постройте ВАХ для различных светодиодов (на одном графике для сравнения), укажите их цвет свечения.
8. Для каждого светодиода в области больших прямых токов выделите линейную область, аналогично, представленной на рис. 3.12, г, кривая 1. По алгоритму, представленному выше, рассчитайте сопротивление R светодиода, включенное последовательно с p-n-переходом.
9. Рассчитайте значения и постройте ВАХ p-n-перехода каждого из исследуемых светодиодов (кривая 3).
10. Рассчитайте значение Uпр пред для каждого из исследуемых светодиодов.
11. Используя значения Uпр пред оцените значения ширины запрещенной зоны Eз для каждого светодиода. Рассчитайте значения и волнизлучаемых каждым светодиодом.