
- •Физические основы электроники Электрофизические методы исследования полупроводников и полупроводниковых приборов
- •Введение в настоящем пособии излагаются основные темы дисциплин, связанных с основами работы полупроводниковых приборов.
- •Требования к подготовке, выполнению и защите работ
- •Тема 1. Приборы, используемые для проведения исследований полупроводниковых приборов
- •1.1. Автоматические мосты переменного тока
- •1.2. Осциллографы
- •1.3. Генераторы
- •Тема 2. Проводимость полупроводников и металлов лабораторная работа № 2.1
- •2.1. Терморезисторы: термисторы и позисторы
- •Подготовка к работе
- •Измерения и обработка результатов
- •Отчетные материалы
- •Лабораторная работа № 2.2
- •2.2. Общие сведения
- •Подготовка к работе
- •Измерения и обработка результатов
- •1. Подготовка к работе
- •2. Исследование вольтамперной характеристики варистора
- •7. Исследование зависимости сопротивления от температуры
- •Отчетные материалы
- •Лабораторная работа № 2.3
- •2.3. Определение типа носителей в полупроводниках
- •2.3.1. Метод термозонда
- •2.3.2. Метод Холла
- •2.3.3. Определение концентрации и подвижности носителей
- •Подготовка к работе
- •Измерения и обработка результатов
- •1. Определение типа носителей с помощью метода термозонда
- •1.1. Подготовка к работе
- •1.2. Определение типа носителей разных кристаллов
- •2. Исследования по методу Холла
- •2.1. Определение типа основных носителей в датчике Холла
- •2.3. Исследование вольтамперной характеристики датчика
- •2.4. Определение микропараметров кристалла датчика Холла
- •2.6. Определение зависимости эдс Холла от величины тока
- •2.9. Определение зависимости эдс Холла величины индукции в
- •Отчетные материалы
- •Тема 3. Полупродниковые диоды Лабораторная работа №3.1 ″Исследование полупроводниковых диодов″
- •3.1. Характеристики полупроводниковых диодов
- •Подготовка к работе
- •Измерения и обработка результатов
- •1. Начальные установки
- •2. Исследование вольтамперной характеристики диода при t0
- •2.1. Исследование прямой ветви вах диода д2
- •2.2. Исследование обратной ветви вах диода д2
- •3*. Исследование вах диодов различных типов
- •4. Исследование зависимости обратного тока диода от температуры
- •Отчетные материалы
- •Лабораторная работа № 3.2
- •3.2. Полупроводниковые стабилитроны и стабисторы
- •3.3. Описание стенда
- •Измерения и обработка результатов
- •2. Исследование вольтамперной характеристики стабилитрона при комнатной температуре
- •5. Исследование влияния температуры на напряжение Uст
- •Отчетные материалы
- •Лабораторная работа №3.3
- •3.4. Характеристики светодиодов
- •3.4.1. Управляемые источника света. Светодиоды
- •3.4.2. Строение светодиодов
- •3.4.3. Общие сведения об обозначении светодиодов
- •3.4.4. Особенности лабораторной установки
- •Отчетные материалы
- •Лабораторная работа № 3.4
- •3.5. Общие сведения о фотоприемниках
- •3.5.2. Параметры и характеристики фоторезистора
- •3.5.3. Особенности работы фотодиодов
- •3.5.4. Описание установки
- •Подготовка к работе
- •Измерения и обработка результатов
- •3. Исследование параметров электрического сигнала от генератора
- •6. Определение параметров импульса эдс от облучаемого фотодиода
- •10. Определение параметров импульса в цепи фоторезистора
- •11. Оценка параметров сигнала от резистора Rизм
- •16*. Исследование величины светового потока от светодиода
- •Отчетные материалы
- •Тема 4. Биполярные транзисторы Лабораторная работа №4.1
- •4.1. Характеристики биполярных транзисторов
- •4.1.1. Схемы включения биполярных транзисторов
- •4.1.2. Схема с общей базой
- •4.1.3. Схема с общим эмиттером
- •4.1.4. Описание установки
- •Подготовка к работе
- •Измерения и обработка результатов
- •1. Исследование схемы с общей базой
- •1.2. Исследование входных характеристик транзистора в схеме об
- •1.6. Исследование выходных характеристик транзистора в схеме об
- •1.12*. Исследование характеристики обратной связи в схеме об
- •1.14. Исследование характеристик передачи тока в схеме об
- •2. Исследование схемы с общим эмиттером
- •2.2. Исследование входных характеристик транзистора в схеме оэ
- •2.6. Исследование выходных характеристик транзистора в схеме оэ
- •2.11*. Исследование характеристики обратной связи в схеме оэ
- •2.13. Исследование характеристики передачи тока в схеме оэ
- •Отчетные материалы
- •Тема 5. Полевые транзисторы Лабораторная работа № 5.1
- •5.1. Характеристики полевого транзистора
- •5.1.1. Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом
- •5.1.2. Полевой транзистор с изолированным затвором
- •5.1.3. Особенности схемы измерения
- •Подготовка к работе
- •Измерения и обработка результатов
- •2. Исследование стоковой (выходной) характеристики
- •Отчетные материалы
- •Тема 6. Элементы технологии производства имс Лабораторная работа № 6.1
- •6.1. Элементы технологии изготовления имс
- •6.1.1. Классификация имс
- •6.1.2. Понятие о технологическом цикле производства имс
- •6.1.3. Производство планарного биполярного транзистора
- •6.1.4. Производство планарного полевого транзистора
- •6.1.5. Структура транзисторов статических микросхем памяти
- •6.1.6. Общие сведения о топологии микросхем памяти
- •6.1.7. Описание установки и процедуры испытаний
- •Подготовка к работе
- •Измерения и обработка результатов
- •1. Исследование элементов технологии гибридных имс
- •1.4. Исследование сопротивления резисторов на бгис
- •2. Исследование элементов технологии твердотельных имс
- •2.4. Градуировка окуляров с помощью дифракционной решетки
- •3. Исследование твердотельных микросхем на установке "мим"
- •4. Анализ топологии и параметров микросхемы памяти
- •Отчетные материалы
- •Задачи по темам Аналоговая и Цифровая Электроника
- •П2. Диоды и тиристоры
- •П3. Источники вторичного напряжения
- •П4. Транзисторы
- •П5. Аналоговые устройства
- •П6. Операционные усилители и схемы на их основе
- •П7. Преобразовательные устройства и генераторы
- •П8. Стабилизаторы
- •П9. Логические микросхемы
- •П10. Логические схемы
- •П11. Схемы на лэ
- •П12. Триггеры
- •П13. Регистры и счетчики
- •П14. Преобразователи кодов
- •П15. Мультиплексоры, демультиплексоры, сумматоры
- •П16. Цифро-аналоговые преобразователи
- •П17. Микросхемы (технология и устройство)
- •Рекомендуемая литература Основная литература
- •Дополнительная
Тема 1. Приборы, используемые для проведения исследований полупроводниковых приборов
1.1. Автоматические мосты переменного тока
Различные автоматические мосты переменного тока, используемые для измерения емкости, сопротивления, индуктивности других параметров радиокомпонентов (мосты Е7, мультиметры, приборы типа "тестер" и т. д.), содержат встроенные генераторы, создающие стандартную частоту, равную 1 кГц.
Для питания мостов используем сетевое напряжение 220 В, а также источники питания напряжением 5 - 6 В, подключаемые к прибору в строгом соответствии с полярностью.
Объект измерения присоединяем к мосту проводами, которые должны иметь незначительную собственную емкость. В случае необходимости емкость проводов определяем с использованием самых чувствительных шкал, и, соответственно, вычитаем из показаний при измерении емкости неизвестного образца.
Как правило, на передней панели прибора имеются переключатели режимов, используемые для измерения емкости С, индуктивности L, сопротивления резисторов R, проводимости G объектов. В частности, для определения емкости конденсатора устанавливаем переключатель на один из диапазонов измерения ″С″.
В том случае, если переключатель диапазонов и режимов находится на отметке, соответствующей, например, 20 нФ, считаем, что при данном режиме максимальное измеряемое значение емкости не более 20 нФ, следовательно, нет необходимости рассчитывать значения параметров, отражаемых на табло. Поэтому при измерениях используем такой диапазон, чтобы значение измеряемого параметра имело одну или две значащие цифры, т. е. добиваемся максимальной чувствительности.
При считывании значений необходимо знать российские и международные обозначения (табл. 1.1).
В ряде приборов, например, мост переменного тока Е7-13 (рис. 1.6), при неправильном выборе режима работы (например, переключатель диапазонов находится на отметке 20 нФ, а измеряемая емкость равна 40 нФ) возникает режим "переполнения" и на шкале появляется индикация цифры "1", иногда мигающей. В этом случае переходим на другой более ″грубый″ диапазон.
Таблица 1.1
Соответствия обозначений
Название |
Обозначение |
Значение |
|
русское |
международное |
||
атто- |
a |
a |
10–18 |
фемто- |
ф |
f |
10–15 |
пико- |
п |
p |
1012 |
нана- |
н |
n |
109 |
микро- |
мк |
μ |
106 |
милли- |
м |
m |
10–3 |
деци- |
д |
d |
10–2 |
кило- |
к |
к |
103 |
мега- |
М |
М |
106 |
гига- |
Г |
G |
109 |
тера- |
Т |
Т |
1012 |
пета |
П |
Р |
1015 |
экса |
Э |
E |
1018 |
Некоторые мосты переменного тока, например, Е7-22 (рис. 1.2, а), автоматически устанавливаются в оптимальный режим испытаний, так что не требуется вмешательство оператора для установки диапазона.
Рис. 1.1. Внешний вид моста Е7-13
Например, при испытании резистора или катушки для выбора режимов L, R или C следует несколько раз нажать на кнопку R/L/C. При этом на шкале высвечиваются значения рабочей частоты моста (120 Гц или 1 кГц устанавливаются кнопкой ″Част.″), значение индуктивности L (в единицах Н – Генри), значение R (в единицах Ом, ,), С (в производных единицах F).
Мультиметр – многофункциональный измерительный прибор (рис. 1.2, б), который можно использовать в качестве амперметра (постоянного или переменного тока), вольтметра (постоянного или переменного напряжения), омметра, термометра, измерителя емкости конденсаторов и других параметров электрической цепи.
Вход мультиметра ″COM″ рекомендуется всегда соединять проводом с шиной (гнездом) ″Земля″ схемы. К клемме ″U″ подводится провод при измерении напряжения (разности потенциалов). К клемме ″I″ подводится провод при измерении тока в какой-либо ветви цепи.
а) б)
Рис. 1.2. Внешний вид Е7-22 (а) и мультиметра (б)
Во избежание поломки любые переключения режимов работы мультиметра производятся при выключенном питании моста и схемы. Другими словами, первоначально следует установить режим работы, например, измерение тока I (20 мА), после чего включить питание моста.
При пользовании мультиметрами необходимо строго выполнять условия подключения прибора к цепи (в режиме вольтметра - параллельно элементу цепи, в режиме ″амперметра″ для измерения тока последовательно), соответственно, меняя контакты на входе прибора и режимы работы.
Параметры токов и напряжений цепей постоянного тока измеряются в режимах U=, I= (A=).
Все измерения действующих значений переменных токов и напряжений производятся в режимах, соответственно, А и U.
Измерения сопротивлений резисторов производятся в режиме R при отключенном питании анализируемой схемы.