
- •Физические основы электроники Электрофизические методы исследования полупроводников и полупроводниковых приборов
- •Введение в настоящем пособии излагаются основные темы дисциплин, связанных с основами работы полупроводниковых приборов.
- •Требования к подготовке, выполнению и защите работ
- •Тема 1. Приборы, используемые для проведения исследований полупроводниковых приборов
- •1.1. Автоматические мосты переменного тока
- •1.2. Осциллографы
- •1.3. Генераторы
- •Тема 2. Проводимость полупроводников и металлов лабораторная работа № 2.1
- •2.1. Терморезисторы: термисторы и позисторы
- •Подготовка к работе
- •Измерения и обработка результатов
- •Отчетные материалы
- •Лабораторная работа № 2.2
- •2.2. Общие сведения
- •Подготовка к работе
- •Измерения и обработка результатов
- •1. Подготовка к работе
- •2. Исследование вольтамперной характеристики варистора
- •7. Исследование зависимости сопротивления от температуры
- •Отчетные материалы
- •Лабораторная работа № 2.3
- •2.3. Определение типа носителей в полупроводниках
- •2.3.1. Метод термозонда
- •2.3.2. Метод Холла
- •2.3.3. Определение концентрации и подвижности носителей
- •Подготовка к работе
- •Измерения и обработка результатов
- •1. Определение типа носителей с помощью метода термозонда
- •1.1. Подготовка к работе
- •1.2. Определение типа носителей разных кристаллов
- •2. Исследования по методу Холла
- •2.1. Определение типа основных носителей в датчике Холла
- •2.3. Исследование вольтамперной характеристики датчика
- •2.4. Определение микропараметров кристалла датчика Холла
- •2.6. Определение зависимости эдс Холла от величины тока
- •2.9. Определение зависимости эдс Холла величины индукции в
- •Отчетные материалы
- •Тема 3. Полупродниковые диоды Лабораторная работа №3.1 ″Исследование полупроводниковых диодов″
- •3.1. Характеристики полупроводниковых диодов
- •Подготовка к работе
- •Измерения и обработка результатов
- •1. Начальные установки
- •2. Исследование вольтамперной характеристики диода при t0
- •2.1. Исследование прямой ветви вах диода д2
- •2.2. Исследование обратной ветви вах диода д2
- •3*. Исследование вах диодов различных типов
- •4. Исследование зависимости обратного тока диода от температуры
- •Отчетные материалы
- •Лабораторная работа № 3.2
- •3.2. Полупроводниковые стабилитроны и стабисторы
- •3.3. Описание стенда
- •Измерения и обработка результатов
- •2. Исследование вольтамперной характеристики стабилитрона при комнатной температуре
- •5. Исследование влияния температуры на напряжение Uст
- •Отчетные материалы
- •Лабораторная работа №3.3
- •3.4. Характеристики светодиодов
- •3.4.1. Управляемые источника света. Светодиоды
- •3.4.2. Строение светодиодов
- •3.4.3. Общие сведения об обозначении светодиодов
- •3.4.4. Особенности лабораторной установки
- •Отчетные материалы
- •Лабораторная работа № 3.4
- •3.5. Общие сведения о фотоприемниках
- •3.5.2. Параметры и характеристики фоторезистора
- •3.5.3. Особенности работы фотодиодов
- •3.5.4. Описание установки
- •Подготовка к работе
- •Измерения и обработка результатов
- •3. Исследование параметров электрического сигнала от генератора
- •6. Определение параметров импульса эдс от облучаемого фотодиода
- •10. Определение параметров импульса в цепи фоторезистора
- •11. Оценка параметров сигнала от резистора Rизм
- •16*. Исследование величины светового потока от светодиода
- •Отчетные материалы
- •Тема 4. Биполярные транзисторы Лабораторная работа №4.1
- •4.1. Характеристики биполярных транзисторов
- •4.1.1. Схемы включения биполярных транзисторов
- •4.1.2. Схема с общей базой
- •4.1.3. Схема с общим эмиттером
- •4.1.4. Описание установки
- •Подготовка к работе
- •Измерения и обработка результатов
- •1. Исследование схемы с общей базой
- •1.2. Исследование входных характеристик транзистора в схеме об
- •1.6. Исследование выходных характеристик транзистора в схеме об
- •1.12*. Исследование характеристики обратной связи в схеме об
- •1.14. Исследование характеристик передачи тока в схеме об
- •2. Исследование схемы с общим эмиттером
- •2.2. Исследование входных характеристик транзистора в схеме оэ
- •2.6. Исследование выходных характеристик транзистора в схеме оэ
- •2.11*. Исследование характеристики обратной связи в схеме оэ
- •2.13. Исследование характеристики передачи тока в схеме оэ
- •Отчетные материалы
- •Тема 5. Полевые транзисторы Лабораторная работа № 5.1
- •5.1. Характеристики полевого транзистора
- •5.1.1. Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом
- •5.1.2. Полевой транзистор с изолированным затвором
- •5.1.3. Особенности схемы измерения
- •Подготовка к работе
- •Измерения и обработка результатов
- •2. Исследование стоковой (выходной) характеристики
- •Отчетные материалы
- •Тема 6. Элементы технологии производства имс Лабораторная работа № 6.1
- •6.1. Элементы технологии изготовления имс
- •6.1.1. Классификация имс
- •6.1.2. Понятие о технологическом цикле производства имс
- •6.1.3. Производство планарного биполярного транзистора
- •6.1.4. Производство планарного полевого транзистора
- •6.1.5. Структура транзисторов статических микросхем памяти
- •6.1.6. Общие сведения о топологии микросхем памяти
- •6.1.7. Описание установки и процедуры испытаний
- •Подготовка к работе
- •Измерения и обработка результатов
- •1. Исследование элементов технологии гибридных имс
- •1.4. Исследование сопротивления резисторов на бгис
- •2. Исследование элементов технологии твердотельных имс
- •2.4. Градуировка окуляров с помощью дифракционной решетки
- •3. Исследование твердотельных микросхем на установке "мим"
- •4. Анализ топологии и параметров микросхемы памяти
- •Отчетные материалы
- •Задачи по темам Аналоговая и Цифровая Электроника
- •П2. Диоды и тиристоры
- •П3. Источники вторичного напряжения
- •П4. Транзисторы
- •П5. Аналоговые устройства
- •П6. Операционные усилители и схемы на их основе
- •П7. Преобразовательные устройства и генераторы
- •П8. Стабилизаторы
- •П9. Логические микросхемы
- •П10. Логические схемы
- •П11. Схемы на лэ
- •П12. Триггеры
- •П13. Регистры и счетчики
- •П14. Преобразователи кодов
- •П15. Мультиплексоры, демультиплексоры, сумматоры
- •П16. Цифро-аналоговые преобразователи
- •П17. Микросхемы (технология и устройство)
- •Рекомендуемая литература Основная литература
- •Дополнительная
3.4.2. Строение светодиодов
В зависимости от назначения излучающие диоды разделяются на полупроводниковые генераторы излучения ПГИ (излучатели) и полупроводниковые индикаторы ПИ.
ПГИ спонтанного и стимулированного излучения предназначены для использования в волоконно-оптических линиях передачи информации в составе оптоэлектронных пар. Мощность ПГИ спонтанного излучения непрерывного действия в ИК-диапазоне изменяется от 0,1 мВт до 500 мВт в зависимости от тока (в мощных ПГИ ток достигает 3 А).
В излучающих диодах, как правило, используются как гомопереходы (материалы одного типа), так гетеропереходы на основе различных соединений арсенида галлия, например, типа: область р(AlxGa1-x As) и область n+ –(GaAs).
В светодиодах типа АЛС331 предусмотрена возможность ″изменения″ цвета свечения, воспринимаемого человеческим глазом. Принцип изменения цвета представлен на рис. 3.13. Конструкция предусматривает в одном корпусе два излучающих p-n-перехода, каждый из которых излучает в диапазоне длин волн, обычно в области красного (кр ≈ 650 нм) и зеленого (зел ≈ 555 нм) цветов. Соотношение их яркостей (интенсивностей) регулируется путем изменения величины прямых токов через переходы. В данном случае, меняя силу тока Iпр через каждый p-n-переход, и, соответственно, регулируя интенсивность светового потока от каждого из переходов, можно в некоторых пределах изменять (смешивать) цветовую гамму общего светового потока. Однако подчеркнем, что этот процесс не связан с реальным изменением длины волны излучения, но обусловлен визуальным восприятием света человеческим глазом. Другими словами, при изменении тока, протекающего через два параллельных светодиода, происходит лишь визуальное (эмоциональное) изменение цветовой гаммы.
3.4.3. Общие сведения об обозначении светодиодов
Устаревшая система обозначений включает в себя ряд букв и цифр, например, АЛ316, АЛ107Б или АЛС331. Первая буква характеризует материал (арсенид галлия); вторая - конструктивное исполнение (Л единичный светодиод; ЛС ряд или матрица светодиодов); цифры номер разработки.
Современные обозначения светодиодов содержат семь элементов. Первый элемент буква И (знакосинтезирующий индикатор); иногда перед литерой И ставится буква К, обозначающая прибор широкого общепромышленного применения. Второй элемент буква, характеризующая вид индикатора: П полупроводниковый; Ж жидкокристаллический; Э электролюминесцентный и др. Третий элемент буква, характеризующая отображающую информацию: Д единичная, Ц цифровая, М мнемоническая и др. Четвертый элемент номер разработки. Дальнейшие элементы включают в себя информацию о сегментах индикатора, цвете свечения (К - красный, Л зеленый, С синий, Ж желтый, Г голубой, М многоцветный), особенности корпуса и т.п. Например, КИПМ01А-К (красный), КЛД901Л (синий).
Рис. 3.13. Условная схема АЛС331 (а), конструкция (б), спектральные характеристики "мощность излучения - длина волны" (в); характеристики излучения от прямого тока (г)
Импортные светодиоды имеют специфическую маркировку (табл. 3.5).
Сектора характеризуют особенности прибора: I – указывает на изготовителя, например, Ningbo G-Nor; II – тип СИД (L – светодиод, LED); III - тип корпуса; IY - тип выводов: 0 - для поверхностного монтажа, SMD; 1- выводы 20 мм со стопперами (рис. 3, а); 2 - выводы 18 мм; 3 - с большим рефлектором, выводы 25,4 мм; 4 - с малым рефлектором, выводы 25,4 мм; 5 - три вывода для двухцветных светодиодов 25,4 мм; 7 - два вывода для двухцветных светодиодов 25,4 мм; 9 - три вывода для двухцветных светодиодов 25,4 мм; Y – цвет излучения, отдельные значения представлены в таблице 3.6; YI - цвет линзы: D - цветная матовая, T - цветная прозрачная, C - прозрачная, W - матовая, CD - верх линзы цветной матовый, WD - верх линзы прозрачный матовый, E - оранжевая матовая; YII – дополнительные параметры.
Таблица 3.5
-
Сектор
I
II
III
IY
Y
YI
7
Содержание
GN
L
501
3
G
D
XXX
Из отдельных светодиодов собирают индикаторы в виде блоков и матриц, которые позволяют высвечивать изображения букв и цифр.
Таблица 3.6
-
Буква
Цвет
Материал
Длина волны, нм
H
красный
GaP/GaP
700
UHR
ярко-красный
AlGaInP
640
Y
желтый
GaAsP/GaP
585
G
зеленый
GaP/GaP
568
BG
голубой
AlGaInP
505
B
синий
GaN/SiC
430
W
белый
SG
красный + зеленый
RGB
полноцветный
Промышленностью выпускаются так называемые ″мигающие″ светодиоды, особенностью которых является импульсное свечение при подключении светодиода к цепи постоянного тока. Данный эффект достигается путем внедрения в корпус светодиода микросхемы мультивибратора, обеспечивающего работу светодиода в импульсном режиме.