- •Профилирующая дисциплина устройства генерирования и формирования сигналов
- •Профилирующая дисциплина устройства генерирования и формирования сигналов
- •Профилирующая дисциплина устройства генерирования и формирования сигналов
- •Профилирующая дисциплина устройства генерирования и формирования сигналов
- •Профилирующая дисциплина устройства генерирования и формирования сигналов
- •Профилирующая дисциплина устройства генерирования и формирования сигналов
- •Профилирующая дисциплина устройства генерирования и формирования сигналов
- •Профилирующая дисциплина устройства генерирования и формирования сигналов
- •Профилирующая дисциплина устройства генерирования и формирования сигналов
- •Профилирующая дисциплина устройства генерирования и формирования сигналов
- •Профилирующая дисциплина устройства генерирования и формирования сигналов
- •Профилирующая дисциплина устройства генерирования и формирования сигналов
- •Профилирующая дисциплина устройства генерирования и формирования сигналов
- •Профилирующая дисциплина устройства генерирования и формирования сигналов
- •Профилирующая дисциплина устройства генерирования и формирования сигналов
- •Профилирующая дисциплина устройства генерирования и формирования сигналов
- •Профилирующая дисциплина устройства генерирования и формирования сигналов
- •Профилирующая дисциплина устройства генерирования и формирования сигналов
- •Профилирующая дисциплина устройства генерирования и формирования сигналов
Профилирующая дисциплина устройства генерирования и формирования сигналов
ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ N 20
Теоретические вопросы
1.
На основе аналитической теории
четырехполюсников найти полиномы
соединения исходного четырехполюсника
и двухполюсника
=B(p)/A(p)
на входе.
2. Изобразить эскиз полупроводниковой структуры ЛПД. Пояснить принцип разделения базы диода на слой умножения и пролетное пространство. Привести малосигнальную эквивалентную схему слоя умножения.
Практическое задание
3. Для кусочно-линейной модели транзистора получить формулу для проводимости Н22(p) и поставить в соответствие H22(p) электрическую эквивалентную схему. Рассчитать параметры схемы для транзистора КТ913В при =90 , = 2 А, =28 В, =125 С. Привести принципиальную схему усилителя, работающего на транзисторе КТ913В в номинальном режиме на частоте 330 МГц.
Билет получил студент ____________________ группы ЭР16-08
Дата экзамена 07.06.2012 г. Москва
Министерство образования и науки РФ
Национальный исследовательский университет
«Московский энергетический институт»
ИТОГОВАЯ ГОСУДАРСТВЕННАЯ АТТЕСТАЦИЯ БАКАЛАВРИАТА
ПО НАПРАВЛЕНИЮ 210300 РАДИОТЕХНИКА
Зав. кафедрой Формирования колебаний и сигналов |
«Утверждаю» ________________ Проф. Удалов Н.Н. 24.05.2012 |
Профилирующая дисциплина устройства генерирования и формирования сигналов
ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ N 22
Теоретические вопросы
1. На основе аналитической теории четырехполюсников найти матричные полиномы малосигнальной модели полевого транзистора для умеренно высоких частот.
2. Привести эквивалентную схему генератора на ЛПД с сосредоточенными параметрами. Пояснить аналогию со схемой Клаппа на биполярном транзисторе.
Практическое задание
3.
Для кусочно-линейной модели транзистора
КТ916А рассчитать максимальную частоту
генерации
и максимальную частоту усиления в
Н-схеме с ОЭ при
180
.
Оценить влияние
на рассчитанные частоты. Привести
принципиальную схему усилителя мощности,
работающего на транзисторе КТ916А в
номинальном режиме на частоте 350 МГц.
Билет получил студент ____________________ группы ЭР16-08
Дата экзамена 07.06.2012 г. Москва
Министерство образования и науки РФ
Национальный исследовательский университет
«Московский энергетический институт»
ИТОГОВАЯ ГОСУДАРСТВЕННАЯ АТТЕСТАЦИЯ БАКАЛАВРИАТА
ПО НАПРАВЛЕНИЮ 210300 РАДИОТЕХНИКА
Зав. кафедрой Формирования колебаний и сигналов |
«Утверждаю» ________________ Проф. Удалов Н.Н. 24.05.2012 |
