Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
ЛР 2 Диоды метод указания.doc
Скачиваний:
0
Добавлен:
01.05.2025
Размер:
239.1 Кб
Скачать

Ф отодиод

Фотодиод – это полупроводниковый прибор, у которого обратный ток зависит от освещенности катода. ВАХ (рис.12). Зависимость тока от величины освещенности аналогично зависимости тока от приложенного напряжения для обычного диода рис.12

(выпрямительного), т.е. воздействие электрического и магнитного полей оказывает аналогичное действие.

С ветодиод

Светодиод – полупроводниковый прибор, при протекании прямого тока через который область катода начинает светиться.

При протекании прямого тока I через p-n-переход число электронов, находящихся на внешней орбите атома уменьшается за счёт их перехода на внутренние орбиты. Это сопровождается выделением квантов электромагнитного излучения. При подборе соответствующего полупроводникового материала мы можем выделить излучение с определенной длиной волны.

На практике есть светодиоды, излучающие в областях, начиная с ультрафиолетовой (<0,4 мкм) и кончая ближней инфракрасной (ИК) - с  до 2 мкм.

При получении излучения в полупроводниковых лазерах используют также данный эффект, но излучение лазера когерентно и монохроматично.

Диод Шотки

Рис.11 Условно графическое обозначение диода Шотки.

Использует контактные явления между полупроводником и металлом. Эффект Шотки возникает лишь в том случае, когда работа выхода электронов в вакуум из металла больше, чем работа выхода электрона из полупроводника (рис.12).

При контакте полупроводника с металлом за счёт разности энергии выхода электронов из полупроводника диффундируют в область металла, тем самым создают p-n-переход (рис.13). За счёт отсутствия не основных носителей заряда (дырок) в металле переход из открытого в закрытое состояние практически без инерционен (время перехода 12 нс).

Рис.12 Энергетическая диаграмма перехода металл-полупроводник

Рис.13 Перехода металл-полупроводник

Порядок выполнения работы .

  1. С помощью средств программы Multisim построить схемы для снятия вольтамперной характеристики диодов в соответствии с рисунками 14, 15. Значение э.д.с. источника постоянного тока зависит от типа исследуемого диода. В большинстве случаев достаточно прикладывать к диоду в прямом направлении напряжение порядка1В, а в обратном– 30-200 В.

Рис.14 Схема для дослідження прямої гілки ВАХ діода

Рис.15 Схема для дослідження зворотної гілки ВАХ діода

2 Выбрать из библиотеки тип диода. В таблице 1 приведены основные параметры некоторых диодов, получивших широкое применение в электронной аппаратуре.

Таблица 1 – Основные параметры некоторых диодов

Тип диода

Выпрямленный ток (среднее значение), А

Обратный ток, mА

Максимальное обратное напряжение, В

Постоянное прямое напряжение, В

1N4001

1

0,03

50

1,1

1N4007

1

0,03

1000

1,1

BZV55-B5V1

-

35

5,4

-

3 Нажать кнопку «Пуск» на экране дисплея. Снять вольт-амперные характеристики выпрямительного диода и стабилитрона по схемам прямым и обратным напряжением.

4. Определить параметры по прямой ветви ВАХ диодов и характеризующие их свойства:

- сопротивление диода постоянному току

- дифференциального сопротивления .

Параметры которые определяют по обратной ветви ВАХ стабилитронов и характеризующие их свойства:

- статическое сопротивление

- дифференциального сопротивления .

Контрольные вопросы

1. Способы получения p и n типов проводимости ?

2. Физические процессы , протекающие при образовании p-n перехода ?

3. Типы пробоев p-n перехода ?

4. Влияние внешних факторов на ВАХ диода ?

5. Параметры , характеризующие свойства n/n диода ?

6. Классификация диодов ?

7. Образование емкости p-n перехода и влияние её на частотные свойства диода ?

6