- •Национальный исследовательский ядерный университет «мифи» (нияу мифи)
- •Общая информация об объекте исследований
- •Классификация (мпк) найденных документов в иерархическом виде
- •Найденные документы Заявка 1. Острийные структуры, приборы на их основе и методы их изготовления (2001 135 713)
- •Заявка 2. Силовой зонд на основе кварцевого резонатора (2003 116 595)
- •Заявка 3. Острийная структура с нанотрубкой (2006 133 011)
- •Заявка 4. Способ производства наноэлектронных и наномеханических приборов (2007 137 024)
- •Заявка 5. Микрофлюидные платформы для детектирования множественных мишеней (2010 118 611)
- •Полезная модель 2. Многозондовое устройство для выполнения технологических операции формирования наноструктур (47593)
- •Полезная модель 1. Устройство для получения наноструктур на подложке (41933)
- •Полезная модель 3. Устройство формирования квантовых точек (66 607)
- •Полезная модель 4. Устройство для формирования квантовых ям (104 773)
- •Заключение
- •Приложение а1
- •Приложение б1
- •14 Февраля 2013 г.
Полезная модель 1. Устройство для получения наноструктур на подложке (41933)
Заявка: 2004101099/22,16.01.2004
МПК: Н02М2/00
Дата начала отсчета срока действия патента: 16.01.2004
Опубликовано: 10.11.2004
Адрес для переписки: 109028, Москва, Б. Трехсвятительский пер., 3/12, МГИЭМ , отдел охраны интеллектуальной собственности , пат.пов. Т.В. Григорьевой, рег.№ 34
Автор(ы): Ивашов Е.Н.(РУ), Чижов А.В. (RU)
Патентообладатель(и): Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электроники и математики (Технический университет) (RU)
Формула полезной модели
Устройство для получения наноструктур на подложке, содержащее пьезопривод, жестко связанный с системой зондов и неподвижной направляющей, и подложку, установленную на координатном столе, отличающееся тем, что зонды выполнены в виде углеродных нанотрубок, установленных в кассету, устройство снабжено источником лазерного излучения с возможностью воздействия на подложку посредством углеродных нанотрубок.
Полезная модель 2. Многозондовое устройство для выполнения технологических операции формирования наноструктур (47593)
Заявка: 2005109773/22, 05.04.2005
МПК: Н02N2/00
Дата начала действия патента: 05.04.2005 (45)
Опубликовано: 27.08.2005 Бюл. № 24
Адрес для переписки: 109028, Москва, Б. Трехсвятительский пер., 3/12, МГИЭМ, "Отдел охраны интеллектуальной собственности", пат.пов. Т.В. Григорьевой, рег.№ 34
Автор(ы): Ивашов Е.Н. Чижов А.В. (RU)
Патентообладатель(ли): Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электроники и математики (Технический Университет) (RU)
Формула полезной модели
Многозондовое устройство для выполнения технологических операций формирования наноструктур, содержащее пьезопривод, установленный на неподвижном основании, зонд, связанный с пьезоприводом, подложкодержатель с подложкой, установленный на платформе, причем подложка и зонд электрически связанны между собой, отличающееся тем, что устройство снабжено дополнительными пьезоприводами, установленными на неподвижном основании таким образом, что оси пьезоприводов параллельны, между пьезоприводами на неподвижном основании установлен шаговый двигатель, вал которого связан с диском-«ромашкой», выполненного из диэлектрического материала, на консоли каждого лепестка диска-«ромашки» расположено острие зонда, а подложкодержатель с подложкой связан с платформой посредством трехкоординатного пьезостола, выполненного с возможностью перемещения подложки по координатным осям X, У, Z., устройство снабжено дополнительными трехкоординатными пьезостолами, установленными на платформе соосно дополнительным пьезоприводам, на дополнительных трехкоординатных пьезостолах установлены вспомогательные технологические подложкодержатели с подложками, причем число всех пьезоприводов равно числу лепестков диска-«ромашки», а острия зондов выполнены из различных материалов и на каждом острие зонда установлена углеродная нанотрубка, легированная цинком, хромом и железом, с возможностью реализации ее сверх проводящего состояния.
Рис. 2
