Найденные документы Заявка 1. Острийные структуры, приборы на их основе и методы их изготовления (2001 135 713)

Заявка: 2001135713/28, 31.05.2000

МПК: G01L1/00

Дата публикации заявки: 20.11.2003

Дата перевода заявки РСТ на национальную фазу: 03.01.2002

Заявка РСТ: RU 00/00209 (31.05.2000)

Публикация РСТ: WO 00/74107 (07.12.2000)

Адрес для переписки: 117421, Москва, ул. Обручева, 20, кв.12, Е. И. Гиваргизову

Заявитель(и): Гиваргизов Евгений Инвиевич, Гиваргизов Михаил Евгеньевич

Автор(ы): Гиваргизов Евгений Инвиевич, Гиваргизов Михаил Евгеньевич

Формула изобретения

1. Острийная структура, которая включает монокристаллическую подложку и монокристаллическое острие, эпитаксиальное к подложке, отличающаяся тем, что ось острия образует данный угол по отношению к вертикали, которая проходит через его основание.

2. Острийная структура по п.1, отличающаяся тем, что подложка имеет плоскую поверхность.

3. Острийная структура по п.1, отличающаяся тем, что подложка представляет собой монокристаллическое острие, эпитаксиальное к плоской монокристаллической поверхности.

4. Острийная структура по любому из пп.1-3, отличающаяся тем, что единственная точка подложки служит основанием для, по меньшей мере, двух острий.

5. Острийная структура по любому из пп.1-4, отличающаяся тем, что острие имеет форму, которая включает, по меньшей мере, одну ступень и два звена, ось каждого последующего звена может образовывать свой собственный угол по отношению к оси предшествующего звена.

6. Острийная структура по п.5, отличающаяся тем, что, по меньшей мере, одна из ступеней служит базисом для, по меньшей мере двух, звеньев и, по меньшей мере, одно из них может быть не эпитаксиальным по отношению к предыдущему.

7. Острийная структура по любому из пп.5 и 6, отличающаяся тем, что, по меньшей мере, одно из звеньев образовано нанотрубкой.

8. Острийная структура по п.7, отличающаяся тем, что нанотрубка скомбинирована слоями разных материалов, один из которых углерод.

9. Острийная структура по любому из пп.5-8, отличающаяся тем, что, по меньшей мере, одно из звеньев образовано, по меньшей мере, одним атомным рядом.

10. Острийная структура по любому из пп.1-9, отличающаяся тем, что, по меньшей мере, одно острие имеет частицу на его вершине, которое содержит, помимо материала острия, по меньшей мере, еще один химический элемент, причем частица может быть покрыта пленкой этого или иного элемента.

11. Острийная структура по п. 10, отличающаяся тем, что, по меньшей мере, один химический элемент, содержащийся в частице, участвует в выращивании острийной структуры, и частица может быть покрыта пленкой этого или иного элемента.

12. Острийная структура по пп.10 и 11, отличающаяся тем, что на пленку осаждаются химические функциональные группы.

13. Острийная структура по любому из пп.1-8, отличающаяся тем, что немагнитное острие имеет плоскую вершину, монодоменная магнитная частица конической формы помещена на плоскую вершину острия, причем частица контактирует c плоской вершиной острия.

14. Острийная структура по любому из пп.1-8, отличающаяся тем, что электропроводящее острие имеет плоскую вершину перпендикулярную

15. Острийная структура, которая включает подложку и монокристаллическое острие, отличающаяся тем, что острие не эпитаксиально подложке.

16. Острийная структура по п. 15, отличающаяся тем, что ось острия образует некоторый угол по отношению к вертикали, которая проходит через его основание.

17. Острийная структура по любому из пп.15 и 16, отличающаяся тем, что подложка имеет плоскую поверхность.

18. Острийная структура по любому из пп.15-17, отличающаяся тем, что подложкой служит монокристаллическое острие, по отношению плоской монокристаллической поверхности.

19. Острийная структура по любому из пп.15-18, отличающаяся тем, что одна точка подложки служит базисом, по меньшей мере, двух острий.

20. Острийная структура по любому из пп.15-19, отличающаяся тем, что острие имеет форму, которая содержит, по меньшей мере, одну ступень и два звена, причем ось каждого последнего звена образует свой собственный угол по отношению к оси предыдущего звена.

21. Острийная структура по п.20, отличающаяся тем, что, по меньшей мере, одна ступень служит базисом для двух звеньев, причем, по меньшей мере, одно из них может быть не эпитаксиальным по отношению к предшествующему.

22. Острийная структура по пп.20 и 21, отличающаяся тем, что, по меньшей мере, одно из звеньев сформировано нанотрубкой.

23. Острийная структура по п.22, отличающаяся тем, что нанотрубка скомбинирована из слоев разных материалов, причем один из них углерод.

24. Острийная структура по любому из пп.20-23, отличающаяся тем, что, по меньшей мере, одно из звеньев образовано, по меньшей мере, одним рядом атомов.

25. Острийная структура по любому из пп. 15-24, отличающаяся тем, что, по меньшей мере, одно острие имеет частицу на вершине, которая содержит, кроме острийного материала, по меньшей мере, еще один химический элемент, причем частица покрыта пленкой этого или иного элемента.

26. Острийная структура по п.25, отличающаяся тем, что, по меньшей мере, один химический элемент, содержащийся в частице, участвует в выращивании острийной структуры, и эта частица может быть покрыта пленкой этого или иного элемента.

27. Острийная структура по любому из пп.25, 26, отличающаяся тем, что на пленку осаждают химические функциональные группы.

28. Острийная структура по любому из пп. 15-24, отличающаяся тем, что немагнитное острие имеет плоскую вершину, на этой плоской вершине расположена монодоменная магнитная частица конической формы, причем основание частицы контактируете плоской вершиной.

29. Острийная структура согласно любому из пп. 15-24, отличающаяся тем, что электропроводящее острие имеет плоскую вершину, перпендикулярную к его оси, плоская вершина покрыта диэлектрической пленкой, причем р-п переходе верхней части острия параллелен и близок к плоской вершине.

30. Метод изготовления острийной структуры посредством эпитаксиального выращивания острия по механизму пар-жидкость-кристалл на подложке путем осаждения паро-газовой и/или газовой смеси с использованием, по меньшей мере, одного металлического растворителя, отличающийся тем, что острийную структуру выращивают как, по крайней мере, одно острие такое, что ось острия образует некоторый угол по отношению к вертикали, которая проходит через его основание.

31. Метод по п.30, отличающийся тем, что в качестве подложки используется монокристаллическая пластинка ориентированная по определенной кристаллографической плоскости, причем эта пластинка позволяет изготовить острийную структуру как, по меньшей мере, одно острие эпитаксиальное подложке под некоторым углом к ее поверхности.

32. Метод по п.30, отличающийся тем, что в качестве подложки используется монокристаллическое острие эпитаксиальное к плоской монокристаллической поверхности.

33. Метод по любому из пп.30-32, отличающийся тем, что острийная структура для пп.3-14 изготовляется изменением температуры выращивания и/или концентраций соединений в парогазовой или газовой смеси, и/или давлений парогазовой или газовой смеси, и/или добавлением, по меньшей мере, одного металла-растворителя и/или его испарением.

34. Метод по любому из пп.30-33, отличающийся тем, что после выращивания острийной структуры проводится диффузия, по меньшей мере, одного химического элемента в эту структуру с сохранением структуры, по меньшей мере, одного металла-растворителя.

35. Метод по любому из пп.30-34, отличающийся тем, что после изготовления острийной структуры она погружается в аморфный материал, полученный композит полируется вместе с, по меньшей мере, одной вершиной до образования плоской поверхности, и аморфный материал может быть вытравлен (удален).

36. Метод по любому из пп.30-35, отличающийся тем, что после вытравливания аморфного материала проводится диффузия, по меньшей мере, одного химического элемента в материал острийной структуры.

37. Метод по любому из пп.30-36, отличающийся тем, что проводится диффузия, по меньшей мере, одного химического элемента в, по меньшей мере, один металлический растворитель.

38. Метод по п.37, отличающийся тем, что стравливанием материала, который продиффундировал в, по меньшей мере, один металл-растворитель, этот металл-растворитель удаляют.

39. Метод по любому из пп.30-38, отличающийся тем, что, по меньшей мере, один химический элемент испаряют на всю поверхность острийной структуры.

40. Метод по п.39, отличающийся тем, что часть испаренного химического элемента удаляют стравливанием диффузионного слоя с поверхности острийной структуры, или стравливанием аморфного слоя с сохранением химического элемента, по меньшей мере, на одной вершине.

41. Метод по любому из пп.30-40, отличающийся тем, что выполняют эпитаксиальное выращивание острийной структуры, по меньшей мере, на одной вершине создают ступень и/или плато путем изменения температуры выращивания и/или концентрации соединений в паро-газовой или газовой смеси и/или давлений паро-газовой или газовой смеси, и/или добавлением, по меньшей мере, одного металла-растворителя и/или его испарения, после чего закристаллизовавшаяся глобула может быть удалена.

42. Метод по любому из пп.34-41, отличающийся тем, что, по меньшей мере, одна из процедур, описанных в пп.33-41 используется, по меньшей мере, еще один раз.

43. Метод по любому из пп.39-41, отличающийся тем, что, по меньшей мере, один раз используют магнитный материал для испарения, образовавшуюся магнитную частицу заостряют бомбардировкой ускоренными ионами и проводят ее монодоменизацию.

44. Метод по п.43, отличающийся тем, что монодоменизацию проводят выдерживанием частицы в постоянном магнитном поле определенного направления.

45. Метод по пп.43 и 44, отличающийся тем, что монодоменизацию проводят при высокой температуре магнитной частицы, причем эта температура может быть достигнута пропусканием полевого эмиссионого тока через острийную структуру.

46. Метод изготовления, по меньшей мере, одной острийной структуры направленным выращиванием по механизму пар-жидкость-кристалл на подложке при осаждении материала из паро-газовой и/или газовой смеси с использованием, по меньшей мере, одного металла-растворителя, отличающийся тем, что острийную структуру выращивают не эпитаксиально подложке.

47. Метод по п.46, отличающийся тем, что острийную структуру создают в соответствии с пп.15-29.

48. Метод по любому из пп.46 и 47, отличающийся тем, что для выращивания острия в подложке создают полость.

49. Метод по п.48, отличающийся тем, что полость имеет форму, которая соответствует кристаллографической структуре острийного материала