- •Уравнения выходного тока аэ гвв для разных режимов работы по напряжённости при кусочно-линейной аппроксимации статических вах
- •Уравнение выходного тока аэ в основной области статических вах
- •Уравнение выходного тока аэ в областях перенапряжённого и критического режимов
- •Определение эквивалентных параметров аппроксимированных статических вах выходного тока генераторных ламп и биполярных транзисторов
- •Особенности определения эквивалентных параметров аппроксимированных статических вах коллекторного тока транзистора
- •Вопросы для самоконтроля знаний по теме лекции 4:
Особенности определения эквивалентных параметров аппроксимированных статических вах коллекторного тока транзистора
При наличии статических ВАХ коллекторного тока транзистора, соответствующих подобным ВАХ анодного тока, эквивалентные параметры статических ВАХ коллекторного тока биполярного транзистора: могут быть определены аналогично лампам. Значение , при необходимости, может быть уточнено с учётом соотношений, вытекающих из записи уравнения (4.17). Значение коэффициента D для транзистора может быть принято равным нулю.
В то же время, для транзисторов в справочниках обычно приводятся входные статические ВАХ iБ (еБ) при ЕК = 0 и ЕК < ЕК НОМ и выходные характеристики iК (еК) в зависимости от параметра iБ, которые отличаются от обычно приводимых в справочниках по лампам. Чтобы не пересчитывать приведенные в справочнике статические ВАХ транзистора к подобным для ламп, определить эквивалентные параметры статических ВАХ транзистора можно следующим образом.
Напряжение отсечки может быть определено по имеющейся входной статической ВАХ iБ (еБ) при ЕК < ЕК НОМ как среднее арифметическое напряжений отсечки реальной характеристики и напряжения отсечки, соответствующего касательной к реальной характеристике в основной области.
Крутизна линии критических режимов, она же линия насыщения, определяется, как и у ламп. В отдельных справочниках указывается величина сопротивления насыщения rНАС, которое связано с SКР соотношением: rНАС =1/ SКР.
Статическую крутизну коллекторного тока S следует определить как среднее арифметическое N крутизн Si
,
найденных с использованием выходных статических ВАХ iК (еК) при еК ЕК/2. Для этого при еК ЕК/2 для трёх-четырёх характеристик (N = 2-3) определяют соответствующие значения iК, а по значениям входного тока iБ, соответствующим этим характеристикам, по входным характеристикам определяют значения еБ. Отношение iК/еБ определяет значение статической крутизны Si.
Значение коэффициента D можно определить следующим способом. На выходных характеристиках в основной области на уровне любого значения тока при двух значениях напряжения на коллекторе еК ЕК и еК ЕК/2, отличающихся на еК, отмечаются входные токи, соответствующие этим характеристикам. По входной характеристике по найденным входным токам определяется значение еБ. Соответственно D = еБ/еК.
Вопросы для самоконтроля знаний по теме лекции 4:
-
Поясните своё понимание режима большого сигнала при работе АЭ в ГВВ. Можно ли использовать это понятие при условии, если колебательная мощность генератора существенно меньше мощности, которую может создать АЭ? Поясните.
-
Назовите основные параметры, описывающие семейство статических ВАХ выходного тока лампы и биполярного транзистора. Запишите соотношения для их определения. Уясните суть.
-
Сформулируйте отличия линий критических режимов в разных системах координат статических ВАХ. Поясните.
-
Выделите на статических ВАХ биполярного транзистора области: отсечки, активную, насыщения, пробоя. Поясните их.
-
Поясните понятия допараметрического, параметрического и граничного режимов ГВВ на биполярном транзисторе.
-
Поясните своё понимание целесообразности введения напряжений приведения: сеточного и анодного . Как они связаны между собою? Можно ли определить подобные напряжения для транзистора?
-
Поясните смысл напряжения . Какие названия к нему применяются? Поясните их смысл. Как определить ? Как связано с напряжением анодного питания ?
-
Запишите уравнения для области перенапряжённого режима ГВВ на лампе и для области насыщения ГВВ на биполярном транзисторе. Запишите такое же уравнение для ГВВ на тетроде с динатронным эффектом. В чём отличие?
-
Чему равно напряжение смещения, соответственно в ламповом и транзисторном ГВВ, для обеспечения режима с нижним углом отсечки выходного (анодного, коллекторного) тока =90? Как ответ согласуется с выражениями (4.15) и физической стороной режима?
-
Исходя из сути эквивалентных параметров статических ВАХ анодного тока, предложите метод определения напряжения сдвига (запирания) при интересующем напряжении на аноде , если известно значение и определено значение S.
-
Можно ли, используя прибор для измерения величины угла (транспортир) и таблицы значений тангенсов углов, определить статическую крутизну S и крутизну линии критических режимов . Если можно, то как, если нельзя, то почему? Поясните.
1 Обычно такие характеристики приводятся в учебных изданиях по генераторным и подобным устройствам, хотя реальные статические ВАХ коллекторного тока в области малых значений (рис.4.5,а) при разных значениях несколько расходятся.
2 Рассматриваются в лекции 18.
3 Если D = 0, то, согласно (*), . Следовательно, у тетродов и пентодов . Говорить о при этом не имеет смысла.
4 Происхождение выражения поясняется в конце лекции 6.