Определение эквивалентных параметров аппроксимированных статических вах выходного тока генераторных ламп и биполярных транзисторов

Рассмотрим методику определения эквивалентных параметров аппроксимированных статических ВАХ анодного тока генераторной лампы. Методика явилась результатом обработки большого статистического материала и изначально была описана В.А. Хацкелевичем. В силу сходства статических ВАХ коллекторного тока биполярного транзистора с характеристиками анодного тока лампы методика применима и для определения эквивалентных параметров характеристик коллекторного тока. В то же время могут быть некоторые особенности в подходе к определению эквивалентных параметров статических ВАХ транзисторов, которые мы обсудим в конце лекции. Суть рассматриваемой методики в следующем.

Первоначально выбирается напряжение источника анодного питания , и находится ориентировочное ожидаемое значение амплитуды импульсов анодного тока .

Например, если известна колебательная мощность , которую должен обеспечивать генератор, то амплитуду импульсов анодного тока можно найти из приближённого выражения, справедливого для режима, близкого к критическому,⁴

Эквивалентные параметры характеристик в общем случае будут несколько изменяться в зависимости от выбора напряжения , использования лампы по току и напряжённости режима. Чем ближе реальные характеристики к параллельным прямым, тем меньше изменяются эквивалентные параметры.

Определение статической крутизны S

Для определения статической крутизны удобно воспользоваться ВАХ анодного тока в анодно-сеточной системе координат . Из семейства выбирается статическая ВАХ, соответствующая напряжению (рис.4.14).

Через точку со значением проводятся две прямые. Одна из них является касательной к реальной характеристике в точке . Крутизна её . Вторая соединяет точку с началом реальной характеристики. Крутизна её . Расчётная крутизна является средним арифметическим:

Определение проницаемости D

Для определения проницаемости в анодно-сеточной системе координат рассматриваются две характеристики анодного тока, соответствующие и На уровне тока отсчитываются два значения напряжения на сетке: и (рис.4.15).

Значение проницаемости

Определение напряжения запирания (сдвига) и напряжений приведения

В анодно-сеточной системе координат выбирается статическая ВАХ, соответствующая . При отсутствии таковой выбирается характеристика, соответствующая . Через точку , как и при определении статической крутизны S, проводится касательная, которая пересекает ось абсцисс в точке (рис.4.16).

Напряжение запирания принимается равным среднему арифметическому напряжений и :

где - напряжение на сетке, при котором реальная характеристика при выбранном пересекает ось абсцисс.

Зная величину напряжения запирания, можно, используя соотношение (*), определить напряжения приведения. Согласно (*)

,

соответственно .

Если напряжение для взятой ВАХ заметно отличается от принимаемого значения напряжения питания анода , то, определив напряжение приведения, следует, используя (*), уточнить величину напряжения запирания (сдвига):

.

Определение крутизны критической линии

В семействе анодных характеристик выбирается статическая ВАХ с таким напряжением на сетке , для которого середина криволинейного участка, соответствующего переходу от плавного изменения анодного тока при больших значениях к резкому изменению анодного тока при малых значениях , находится на уровне тока (рис.4.17).

Прямая, проходящая через начало координат и точку на характеристике, является линией критических режимов. Крутизна её

.

В случае тетрода с динатронным эффектом линия критических режимов аппроксимированных ВАХ выходит не из начала координат, а из точки (см. рис.4.4,б). Определение крутизны критической линии осуществляется аналогично и поясняется рис.4.18. Как следует из рис.4.18,

г де, напомним, величина анодного напряжения сдвига связывается с напряжением питания второй сетки через коэффициент динатронного эффекта . Если значение неизвестно, то следует принять = .

Определённые описанным выше способом параметры аппроксимированных статических ВАХ анодного тока генераторной лампы можно использовать и при значениях анодного напряжения и амплитуды импульсов анодного тока, отличающихся от выбранных , примерно, до ±20% в случае веерообразных реальных ВАХ. При этом сохраняется вполне достаточная для инженерных расчётов точность. Если реальные статические ВАХ лампы близки к параллельным прямым, то параметры аппроксимированных характеристик практически не изменяются при изменении .