Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Скачиваний:
304
Добавлен:
26.05.2014
Размер:
1.12 Mб
Скачать

Лекция 4

Аппроксимация статических ВАХ генераторных ламп и транзисторов. Уравнения выходного тока АЭ ГВВ для разных режимов работы по напряжённости при кусочно-линейной аппроксимации статических ВАХ Определение эквивалентных параметров аппроксимированных статических ВАХ.

Аппроксимация статических ВАХ генераторных ламп и транзисторов.

Графоаналитический метод расчёта режима ГВВ, упоминавшийся в предыдущей лекции, основанный на использовании реальных статических ВАХ АЭ, является надёжным средством получения достоверных данных о режиме генератора. Он незаменим при всякого рода детальных исследованиях, когда важно иметь возможно более точные сведения о работе генератора. Вместе с тем, для инженерных расчётов этот метод громоздок и применения в повседневной практической работе радиоспециалиста не нашёл.

Инженерные методы расчёта строятся на базе простых аналитических соотношений, таблиц коэффициентов или обобщённых графиков, в результате чего существенно сокращается время, необходимое для проведения вычислений. Инженерные методы позволяют удобно выбирать исходные данные для расчёта, например, задавать колебательную мощность или допустимое значение тока, сопротивление нагрузки (эквивалентное сопротивление контура ), температурный режим и др. При графоаналитическом методе расчёта заданными считаются только напряжения, действующие на электродах АЭ в схеме генератора, а токи, мощности, необходимое сопротивление нагрузки определяются в ходе вычислений.

Для разработки инженерных методов расчёта генератора, прежде всего, необходимо иметь аналитические выражения, описывающие семейство статических ВАХ выходного тока АЭ. Эти выражения должны быть простыми, чтобы при использовании их оказалась простой вся методика расчёта.

Наиболее простой и достаточно точный метод расчёта генераторов на электронных лампах и биполярных транзисторах получается при кусочно-линейной аппроксимации статических ВАХ анодного и коллекторного тока. Такая аппроксимация позволяет описывать зависимость тока от действующих напряжений в виде линейных уравнений и получать весьма простые формулы для технических расчётов. Методы, основанные на кусочно-линейной аппроксимации статических ВАХ выходного тока лампы, транзистора, обеспечивают хорошую точность при условии полного или почти полного использования АЭ по мощности, так как при этом значения рабочих токов и напряжений на электродах АЭ перекрывают всё поле статических ВАХ, и с локальными нелинейностями реальных ВАХ можно не считаться. Подобная ситуация характеризует так называемый режим большого сигнала.

На рис.4.1 пунктирными линиями показаны реальные, а сплошными линиями – аппроксимированные статические ВАХ анодного тока генераторного триода в анодной системе координат . В основной области характеристик, занимающей большую часть поля значений напряжения и тока, где анодный ток монотонно возрастает как при увеличении напряжения , так и напряжения , реальные статические характеристики триода отображаются семейством равноотстоящих параллельных прямых, соответствующих ряду значений напряжения на сетке , отличающихся друг от друга на постоянную величину . Прямые проходят под углом к оси абсцисс

Характерная прямая, проходящая через начало координат, построена для напряжения , которое называется сеточным напряжением приведения (смысл этого напряжения будет пояснён ниже).

Семейство статических характеристик в основной области полностью описывается такими параметрами, как:

статическая крутизна

проницаемость

напряжение приведения .

Обратим внимание, что , где соответствует изменению тока между двумя соседними характеристиками, а соответствует изменению напряжения для сохранения тока на прежнем уровне при изменении напряжения на величину между двумя соседними характеристиками.

Область реальных характеристик анодного тока с резким изменением при изменении , связанным с заметным перераспределением катодного тока между анодом и сеткой лампы, что бывает, когда , заменяется при аппроксимации реальных характеристик наклонной прямой, проходящей через начало координат. Эту прямую называют критической линией или линией критических режимов и характеризуют крутизной, обозначаемой . На критической линии анодный ток при принятой аппроксимации не зависит от напряжения и изменяется только при изменении напряжения .

Существенное расхождение между реальными и аппроксимированными характеристиками наблюдается в зоне критической линии. Некоторое отличие в характеристиках наблюдается и в основной области, которое сводится к тому, что реальные характеристики отстоят между собой на промежутки, возрастающие с увеличением напряжения . Кроме того, наблюдается и изменение их угла наклона к оси абсцисс .

Аппроксимированные статические ВАХ анодного тока генераторного триода в анодно-сеточной системе координат показаны на рис.4.2.

Основная область статических характеристик, где анодный ток возрастает при увеличении и , отображается семейством равноотстоящих параллельных прямых, проходящих под углом к оси абсцисс , соответствующих ряду значений напряжения на аноде , отличающихся на постоянную величину .

Характерная прямая, проходящая через начало координат, построена для напряжения , которое называется анодным напряжением приведения (смысл и полезность введения этого напряжения, как и напряжения , будут рассмотрены ниже). На характеристиках рис.4.1 анодное напряжение приведения соответствует точке пересечения характеристики, снятой при = 0, с осью абсцисс .

В основной области семейство статических ВАХ (рис.4.2) описывается такими параметрами, как статическая крутизна S, проницаемость D, напряжение приведения . При этом статическая крутизна S определяет наклон параллельных прямых в основной области ВАХ рис.4.2.

Область реальных характеристик, соответствующая заметному перераспределению катодного тока между анодом и сеткой лампы при , когда анодный ток в значительной мере зависит от и в малой от , в анодно-сеточной системе координат заменяется семейством горизонтальных прямых, каждая из которых является продолжением соответствующей характеристики при данном для основной области.

Место излома всех характеристик лежит на наклонной прямой, пересекающей ось абсцисс в точке =. Эту наклонную прямую также называют критической линией или линией критических режимов. Крутизна её . Эта линия представляет граничную линию между двумя областями семейства характеристик лампы.

К недостаткам рассмотренной аппроксимации (рис.4.2) следует отнести то, что в основной области крутизна всех характеристик принята одинаковой, тогда как реальные характеристики имеют обычно веерообразный ход и характерные «хвосты» при малых анодных токах. Следовательно, кусочно-линейная аппроксимация только приблизительно передаёт ход реальных характеристик анодного тока.

Однако, следует заметить, что при правильном выборе параметров семейства аппроксимированных статических ВАХ анодного тока ошибки в расчёте режима анодной цепи лампового генератора с использованием кусочно-линейной аппроксимации не превышают (3…5)%, что вполне соответствует требованиям, предъявляемым к обычному техническому расчёту.

В общем случае точность несколько хуже, так как параметры определяются обычно по усреднённым характеристикам лампы, представленным в справочнике, тогда как отдельные экземпляры ламп могут отличаться по параметрам на (10…20)%. Параметры , определяемые при аппроксимации статических ВАХ, называют эквивалентными параметрами статических ВАХ анодного тока.

Рассмотренная аппроксимация статических ВАХ анодного тока генераторного триода полностью применима и к другим генераторным лампам – тетродам и пентодам. У ряда тетродов и пентодов проницаемость D очень мала и может быть без большого вреда для аппроксимации и расчётов принята равной нулю. При D = 0 аппроксимированные статические ВАХ анодного тока в основной области в анодной системе координат представляют горизонтальные прямые (угол на рис.4.1 равен нулю), а в анодно-сеточной системе координат в основной области все характеристики совпадают, пересекая ось абсцисс в точке Критическая линия в системе координат совпадает со статическими характеристиками основной области. Аппроксимированные статические ВАХ анодного тока генераторного тетрода или пентода при D = 0 показаны на рис.4.3. У тетродов и пентодов не выделяют характеристики, соответствующие напряжениям приведения .

Статические ВАХ анодного тока тетрода и пентода соответствуют фиксированному напряжению на второй (экранной) сетке . При изменении этого напряжения характеристики пропорционально смещаются: в основной области в анодной системе координат при увеличении вверх, в анодно-сеточной системе координат влево. Критическая линия при этом в анодной системе координат наклоняется вправо. Отметим, что в случае тетродов и пентодов напряжённость режима работы лампы в первую очередь связана с перераспределением катодного тока между анодом и второй (экранной) сеткой, а не между анодом и первой (управляющей) сеткой, как в триоде. В случае пентода напряжение на третьей (защитной) сетке также фиксируется, причём часто

У ряда тетродов проявляется динатронный эффект, что приводит к статическим ВАХ анодного тока рис.4.4,а, где пунктиром показаны также ВАХ тока второй (экранной) сетки

Аппроксимируют такие характеристики анодного тока, как показано на рис.4.4,б. Напряжение называется анодным напряжением сдвига. Величина его пропорциональна напряжению питания второй (экранной) сетки :

где - коэффициент динатронного эффекта, значение которого обычно находится в пределах (0,8…1,0).

При такой аппроксимации область левее считается запретной.

В ГВВ на биполярных транзисторах наибольшее распространение имеет схема с общим эмиттером, представленная на рис.1.1,б, ввиду того, что она обладает наибольшим коэффициентом усиления по мощности. Схема с общим эмиттером транзисторного ГВВ эквивалентна схеме лампового генератора с общим катодом.

Т ипичные статические ВАХ биполярного транзистора по схеме с общим эмиттером показаны на рис.4.5.1

Статические ВАХ коллекторного тока транзистора во многом подобны статическим ВАХ анодного тока лампы рис.4.1, рис.4.2. В качестве параметра при снятии статических характеристик коллекторного тока в системе координат , обычно принимается ток базы , тогда как у ламп в эквивалентной системе координат параметром является напряжение на сетке . Отвлекаясь от причин этого различия, отметим, что, используя характеристики базового тока транзистора рис.4.5,б, можно от величины базового тока перейти к напряжению на базе , являющемся эквивалентом напряжения в случае лампы.

В семействе статических ВАХ биполярного транзистора выделяют четыре области:

1 – область отсечки, когда эмиттерный (эмиттер-база) и коллекторный (коллектор-база) переходы смещены в обратном направлении, то есть закрыты. Коллекторный переход смещён в обратном направлении в исходном состоянии транзистора в ГВВ всегда, а эмиттерный только при .

2 – активная область, когда эмиттерный переход смещён в прямом направлении (открыт), а коллекторный – в обратном (закрыт). В этой области коллекторный ток слабо зависит от коллекторного напряжения , а в основном зависит от напряжения на базе (или от тока базы ).

Следовательно, в активной области, являющейся основной при работе транзистора в ГВВ, статические ВАХ транзистора ближе к ВАХ ламп с малой проницаемостью, то есть в первую очередь к тетродам и пентодам.

3 – область насыщения, когда оба перехода смещены в прямом направлении (открыты). Это имеет место при >.

Представляя биполярный транзистор как условно показано на рис.4.6, при обычно принимаемых направлениях напряжений на электродах (такие направления напряжений приняты и в транзисторном ГВВ по схеме рис.1.1,б) напряжение на коллекторном переходе можно определить как

В активной области , поэтому и переход коллектор-база (К-Б) всё время закрыт. При этом ток эмиттера распределяется между базой и коллектором (рис.4.6,б). Когда оказывается , коллекторный переход открывается и коллектор начинает выполнять функции эмиттера, что обусловливает появление составляющей коллекторного тока обратного направления (рис.4.6,в), о чём мы упоминали в лекции 3, обсуждая форму импульса коллекторного тока при коэффициенте использования коллекторного напряжения ξ > 1.

В области насыщения ток коллектора в основном зависит от напряжения на коллекторе. Граница, отделяющая область насыщения от активной области, называется линией насыщения. Линия насыщения сходна с критической линией (или линией критических режимов) в семействе статических ВАХ лампы в анодной системе координат .

4 – область лавинного умножения или область пробоя. В области лавинного умножения транзистор может находиться в течение весьма малого времени, величина которого зависит от многих факторов и сильно колеблется у различных типов транзисторов. При превышении этого времени наступает явление вторичного пробоя, приводящее к необратимым процессам в структуре p-n перехода и выходу транзистора из строя.

Для расчёта транзисторных ГВВ применяется кусочно-линейная аппроксимация статических ВАХ коллекторного тока в активной области и в области насыщения, что обусловлено, в первую очередь, большим сходством статических ВАХ биполярного транзистора и электронной лампы.

На рис.4.7 показаны аппроксимированные статические ВАХ коллекторного тока биполярного транзистора.

Основными параметрами аппроксимированных характеристик являются:

статическая крутизна

напряжение отсечки при выбранном напряжении ;

крутизна линии насыщения или критической линии

коэффициент

аналогичный проницаемости у ламп.

Часто у транзисторов можно считать коэффициент D = 0, при этом не зависит от напряжения , а аппроксимированные характеристики коллекторного тока в системе координат выходят из одной точки. В системе координат в пределах основной области при D = 0 характеристики отображаются прямыми линиями, параллельными оси абсцисс . Очевидно, при D = 0 аппроксимированные ВАХ коллекторного тока подобны аппроксимированным ВАХ анодного тока генераторной лампы с пренебрежимо малым значением D.

Линия насыщения или критическая линия разделяет недонапряжённый и перенапряжённый режимы работы транзистора, соответственно и ГВВ. Самой линии соответствует критический режим работы.

Параметры аппроксимированных статических ВАХ коллекторного тока биполярного транзистора определяются аналогично соответствующим параметрам аппроксимированных статических ВАХ анодного тока генераторной лампы. Они также носят название эквивалентных параметров статических ВАХ коллекторного тока.

П омимо рассмотренной аппроксимации статических ВАХ коллекторного тока биполярного транзистора на семействе реальных характеристик в системе координат выделяют также линию параметрического режима, которая проходит правее линии насыщения, как показано на рис.4.8.

Если в процессе работы транзисторного ГВВ мгновенная рабочая точка, определяемая мгновенными напряжениями на электродах и соответствующим им значением коллекторного тока, остаётся правее линии параметрического режима, то режим считается допараметрическим. При заходе рабочей точки левее этой линии режим становится параметрическим. Разделяет эти два режима граничный режим, которому соответствует линия параметрического режима (в справочных данных на транзистор линию параметрического режима часто называют линией критического режима, которая приводится для одной или нескольких частот. Однако, несмотря на схожесть названий, не следует путать линию критического режима с линией критических режимов – линией насыщения).

В допараметрическом режиме ряд параметров транзистора, например, ёмкость коллекторного перехода, можно считать неизменными, тогда как в параметрическом режиме эти параметры сильно зависят от режима. Это обстоятельство используется в ряде устройств на транзисторах, в том числе и для генерирования высокочастотных электрических колебаний – в параметрических транзисторных умножителях частоты.2

Таким образом, в общем случае в транзисторном генераторе, в отличие от лампового, различают шесть режимов работы: недонапряжённый, критический, перенапряжённый, которые аналогичны режимам лампового генератора и связаны с нелинейностью статических ВАХ коллекторного тока при переходе из активной области в область насыщения, и допараметрический, граничный, параметрический. Понятие параметрического режима является специфическим для транзисторного генератора. Можно считать, что области на семействе статических ВАХ коллекторного тока, соответствующие названным режимам, попарно совпадают для недонапряжённого и допараметрического, критического и граничного, перенапряжённого и параметрического.

Уравнения выходного тока аэ гвв для разных режимов работы по напряжённости при кусочно-линейной аппроксимации статических вах

Аппроксимация статических ВАХ выходного тока АЭ даёт возможность аналитически определить оптимальные условия работы генератора и создать методы расчёта его режима. Для этих целей необходимо составить уравнение выходного тока АЭ ГВВ.

Для составления уравнения, описывающего зависимость выходного тока АЭ от напряжений, действующих на электродах, рассмотрим наиболее общий случай использования пятиэлектродной лампы (пентода). Полученные результаты распространяются на любой частный случай, включая как лампу, так и транзистор, в силу внешнего сходства статических ВАХ выходного тока этих приборов, что обсуждалось выше.

В общем виде уравнение анодного тока пентода

,

где еА, еС, еС2, еС3 – соответственно напряжение на аноде, управляющей сетке, второй и третьей сетках.

Изменение анодного тока от изменения мгновенных напряжений на электродах выражается полным дифференциалом

(4.1)

где - частные производные функции анодного тока по напряжению соответствующего электрода; de - дифференциалы соответствующих напряжений.

Применение кусочно-линейной аппроксимации статических ВАХ анодного тока позволяет считать его частные производные по напряжениям в каждой из областей семейства постоянными.

Рассмотрим уравнения выходного тока АЭ в каждой из трёх областей: основной, перенапряжённого, критического режимов.

Уравнение выходного тока аэ в основной области статических вах

В пределах основной области семейства статических ВАХ анодного тока при кусочно-линейной аппроксимации параметры характеристик можно считать постоянными. При этом

где - внутреннее сопротивление лампы переменному току, определяющее тангенс угла наклона аппроксимированных статических ВАХ анодного тока в основной области (см. рис.4.1); - крутизна анодного тока (или крутизна аппроксимированных характеристик анодного тока), соответственно, по напряжению управляющей (первой) сетки, второй (экранной) сетки, третьей (защитной) сетки.

Выполняя интегрирование (4.1), при принятых обозначениях получим

(4.2)

где С - постоянная интегрирования, которая может быть найдена с использованием статических ВАХ в любой точке основной области, в которой определяется значение тока при выбранных значениях .

Ранее отмечалось, что статические ВАХ анодного тока пентода снимаются при фиксированных напряжениях на второй и третьей сетках, то есть при , где - напряжения питания сеток. Для каждой конкретной лампы, используя семейство её статических ВАХ анодного тока, можно определить конкретное значение С на основании (4.2), что, естественно, неудобно для создания общего подхода к анализу и расчёту режима генератора. Поэтому для определения постоянной интегрирования С в уравнении (4.2) следует взять некоторую отличительную характеристику, которая однозначно определяется для любой лампы, и отличительное значение анодного тока.

В анодной системе координат для определения постоянной интегрирования С целесообразно взять статическую характеристику, соответствующую сеточному напряжению приведения (см. рис.4.1), и принять , что имеет место при . Тогда, согласно (4.2),

Таким образом,

(4.3)

Последнее выражение является общим уравнением анодного тока пентода в основной области статических ВАХ и отражает его линейную зависимость от приложенных к электродам напряжений.

Так как при работе генератора напряжения на второй и третьей сетках обычно остаются неизменными, то , следовательно,

(4.4)

где учтено основное соотношение для электронных ламп

в котором - статический коэффициент усиления по напряжению .

Выражение (4.4) определяет зависимость анодного тока при одновременном изменении напряжений на сетке и аноде и справедливо в пределах основной области статических ВАХ анодного тока для всех типов ламп при любых фазовых и амплитудных соотношениях напряжений, действующих на электродах.

Сеточное напряжение приведения оказывается равным анодному напряжению приведения , умноженному на проницаемость D, то есть

Действительно, если при определении постоянной интегрирования С в (4.2) обратиться к аппроксимированным статическим ВАХ анодного тока в системе координат , то в основной области из всего семейства целесообразно взять отличительную характеристику, соответствующую анодному напряжению приведения (см. рис.4.2), и принять при . Тогда, согласно (4.2),

(4.5)

Так как при работе генератора , то, согласно последнему выражению,

(4.6)

Очевидно, уравнение (4.6) должно давать аналогичный (4.4) результат, что возможно только при

Таким образом, выбор статических ВАХ анодного тока, соответствующих напряжению или , для определения постоянной интегрирования в уравнении (4.2), позволяет для любой лампы использовать одни и те же качественные условия и делает уравнения (4.3), (4.5) пригодными, в общем случае, для любой лампы. Если напряжения на второй и третьей сетках остаются неизменными при работе генератора или лампа является триодом, то в пределах основной области статических ВАХ анодного тока справедливы также уравнения (4.4), (4.6) при любых амплитудных и фазовых соотношениях напряжений на аноде и управляющей сетке.

Учитывая соотношения (1.1) и (1.2), определяющие мгновенные напряжения на сетке и аноде лампы в ГВВ при усилении, согласно которым

уравнения (4.4), (4.6) можно записать в следующем виде:

(4.7)

Результирующее напряжение в квадратных скобках (4.7) называется управляющим и представляет сумму постоянного и переменного напряжений. Если переменное напряжение равно нулю, то уравнение (4.7) будет определять точки статических ВАХ анодного тока в основной области.

Выражение (4.7) называется основным уравнением лампового ГВВ в режиме усиления и представляет аналитическое выражение динамической характеристики анодного тока в основной области статических ВАХ.

Напряжение

определяет величину напряжения запирания , то есть

(*)

Действительно, если переменное напряжение отсутствует, то, согласно (4.7), анодный ток при

а напряжение на управляющей сетке, при котором статическая ВАХ анодного тока в системе координат при выбранном напряжении на аноде пересекает ось абсцисс , как известно, называется напряжением запирания. Следовательно, соотношение (*) справедливо.3

Напряжение характеризует сдвиг аппроксимированных статических ВАХ анодного тока в анодно-сеточной системе координат относительно их начала (см. рис.4.9) и поэтому носит также название напряжения сдвига.

С учётом введенного обозначения (*) основное уравнение лампового ГВВ (4.7) принимает вид

(4.8)

Аналогичное (4.8) уравнение может быть получено и для транзисторного ГВВ в режиме усиления, которое в соответствующих терминах имеет вид

(4.9)

Отличие (4.9) от (4.8) только в знаке перед в сравнении с , так как у транзистора на статических ВАХ коллекторного тока напряжение отсечки сдвинуто вправо от начала координат (см. рис.4.7,б), а у ламп напряжение запирания находится левее начала соответствующих координат (см. рис.4.9).

Действительно, если применить (4.1) к биполярному транзистору, то

где в пределах активной области статических ВАХ коллекторного тока при кусочно-линейной аппроксимации

Выполняя интегрирование, получаем

Для определения постоянной интегрирования С обратимся к статической ВАХ коллекторного тока, снятой при которая в аппроксимированном виде представлена на рис.4.10. Принимая условие при находим:

(4.10)

где

Учитывая (1.1), (1.2), согласно которым

получаем

что соответствует (4.9).

Очевидно, в случае лампы для определения постоянной интегрирования С в (4.2) также можно воспользоваться условием при и после соответствующих подстановок и преобразований получить основное уравнение лампового ГВВ в виде (4.8), не вводя в рассмотрение напряжения приведения В то же время, введение в рассмотрение этих напряжений позволяет глубже понять смысл напряжений запирания и отсечки, а также, что весьма важно, установить количественную связь между напряжениями запирания и отсечки при разных значениях

Действительно, как было показано выше (*),

тогда

откуда следует:

где

Аналогичное соотношение справедливо и для транзистора:

Отличие только в том, и об этом не следует забывать, что в случае лампы с увеличением напряжения питания анода напряжение запирания становится более отрицательным, при этом статическая ВАХ анодного тока в системе координат смещается более влево от начала координат (см. рис.4.9), а в случае транзистора с увеличением напряжения питания коллектора статическая ВАХ коллекторного тока в системе координат смещается ближе к началу координат (рис.4.7,б).

Если D = 0, то уравнения (4.8), (4.9) упрощаются и могут быть записаны из рассмотрения рис.4.11, согласно которому для произвольной точки х на статической ВАХ в основной области:

что соответствует (4.8), (4.9).

Подставляя в уравнения (4.8), (4.9) величины соответствующих напряжений и задавая значения фазы ωt в пределах периода (0…2π) радиан, можно вычислить ток, соответствующий каждому моменту времени. При этом отрицательные значения тока следует отбросить, как не имеющие физического смысла, и считать в эти моменты времени ток равным нулю. Учитывая сделанное замечание, уравнения (4.8), (4.9) можно использовать для определения постоянной и гармонических составляющих выходного тока лампы, транзистора по формулам для коэффициентов ряда Фурье. Однако использовать уравнения (4.8), (4.9) в приведенном виде для анализа формы выходного тока и создания инженерных методов расчёта режимов ГВВ довольно сложно, так как все входящие в эти уравнения напряжения влияют на режим генератора.

В лекции 1 отмечалось, что, в общем случае, выходной ток АЭ в ГВВ представляет периодическую последовательность импульсов, которые удобно характеризовать двумя параметрами: максимальным значением (амплитудой) , соответственно, анодного, коллекторного тока и углом нижней отсечки θ. Уравнения (4.8), (4.9) могут быть преобразованы к виду, когда мгновенные токи анода и коллектора определяются через их амплитудные значения и угол нижней отсечки.

Действительно, учитывая, что при ωt = θ токи , согласно (4.8), (4.9) можно записать:

(4.11)

Соответственно, с учётом (4.11) уравнения (4.8), (4.9) можно записать в виде:

(4.12)

Так как при то, согласно уравнениям (4.12),

(4.13)

С учётом последних соотношений уравнения (4.12) приводятся к одинаковому виду:

(4.14)

Согласно уравнениям (4.14) в основной области статических ВАХ анодного, коллекторного тока выходной ток АЭ при кусочно-линейной аппроксимации статических характеристик по форме представляет, в общем случае, импульсы косинусоидальной формы высотой (амплитудой) и шириной 2θ (рис. 4.12).

Из соотношений (4.11) следуют формулы для определения нижнего угла отсечки анодного тока лампы

(4.15а)

коллекторного тока транзистора

(4.15б)

Обратим внимание, что приведенные выражения для соответствуют отрицательному смещению, которое принималось в исходных соотношениях лекции 1. Если смещение будет положительным, что возможно, в частности, в отдельных случаях транзисторного ГВВ, то в записанных соотношениях надо брать его со знаком « – ».

Уравнения (4.14) используются для гармонического анализа импульсов выходного тока лампы и транзистора. С учётом результатов этого анализа строятся инженерные методы расчёта ламповых и транзисторных ГВВ в недонапряжённом и критическом режимах работы.

Соседние файлы в папке лекции по УГФС (1-6)